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高盛 韩国科技 存储器 美光4QFY26交叉解读 预计2027与2028年存储器供需较2026

2026-10-03 未知机构 王擦
高盛 韩国科技 存储器 美光4QFY26交叉解读 预计2027与2028年存储器供需较2026

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这份研报主要讲了什么内容?

这份研报主要分析了美光公布的4QFY26业绩,并交叉解读了韩国存储器巨头三星电子和SK海力士的供需及价格趋势。报告指出,预计2027及2028年存储器供需将显著趋紧,DRAM位元出货量增长将放缓至低20%区间,NAND供需同样紧张。美光DRAM ASP涨幅与预期一致,NAND ASP涨幅超预期。美光新签10份SCA,覆盖至2030年收入35%以上,客户要求更长周期、更大供应量。报告还预测2027年HBM ASP将大幅上涨,预计三星HBM利润率将接近传统DRAM水平。美光计划追加资本开支以布局2028年后产能,上调FY2027 capex。高盛重申对三星电子与SK海力士的买入评级,建议投资者超配韩国存储器双雄。

存储器赛道未来发展趋势如何?

根据美光4QFY26业绩及交叉解读,存储器赛道未来发展趋势显示供需将显著趋紧。预计2027及2028年DRAM位元出货量增长将放缓至低20%区间,NAND供需同样紧张。价格方面,美光DRAM ASP涨幅与预期一致,NAND ASP涨幅超预期,环比+30%。长期供应协议方面,美光新签10份SCA,覆盖至2030年收入35%以上,客户要求更长周期、更大供应量。HBM定价方面,预计2027年将大幅上涨,三星HBM利润率预计将接近传统DRAM水平。整体来看,存储器市场供需紧张,价格持续上涨,长期协议锁定将改善盈利可见性。

报告中重点分析了哪些方向?

报告中重点分析了韩国存储器双雄三星电子和SK海力士的供需及价格趋势。核心增量信息包括:1)供需展望,预计2027及2028年存储器供需将显著趋紧,DRAM位元出货量增长将放缓至低20%区间,NAND供需同样紧张;2)价格与出货量,美光DRAM ASP涨幅与预期一致,NAND ASP涨幅超预期;3)长期供应协议(SCA),美光新签10份SCA,覆盖至2030年收入35%以上,客户要求更长周期、更大供应量;4)HBM定价,预计2027年HBM ASP将大幅上涨,三星HBM利润率预计将接近传统DRAM水平;5)资本开支,美光计划追加资本开支以布局2028年后产能。报告还重申了对三星电子与SK海力士的买入评级。

当前存储器市场现状如何判断?

当前存储器市场现状表现为供需紧张,价格持续上涨。根据美光4QFY26业绩及交叉解读,预计2027及2028年存储器供需将显著趋紧,DRAM位元出货量增长将放缓至低20%区间,NAND供需同样紧张。价格方面,美光DRAM ASP涨幅与预期一致,NAND ASP涨幅超预期,环比+30%。长期供应协议方面,美光新签10份SCA,覆盖至2030年收入35%以上,客户要求更长周期、更大供应量。HBM定价方面,预计2027年将大幅上涨,三星HBM利润率预计将接近传统DRAM水平。整体来看,存储器市场处于供不应求状态,价格持续上涨,企业通过长期协议锁定收入,改善盈利可见性。

这份研报有哪些风险提示?

这份研报提示的风险点主要集中在市场供需和价格波动方面。首先,存储器市场供需紧张可能导致供应链不稳定,企业产能释放不及预期可能进一步加剧供需失衡。其次,价格持续上涨可能面临宏观环境变化带来的压力,如利率上升、经济下行等可能导致需求疲软,进而影响价格走势。此外,长期供应协议虽然有助于锁定收入,但也可能限制企业根据市场变化调整产能和价格的灵活性。最后,资本开支大幅增加可能带来财务风险,若市场增长不及预期,可能导致投资回报率下降。投资者需关注这些风险因素,谨慎评估投资决策。