阿斯麦与台积电宣布发起行业计划 引领高NA极紫外光刻向大尺寸

阿斯麦与台积电联合推动半导体行业完成大尺寸极紫外（EUV）光掩模的技术迭代。当前高NA极紫外光刻生产使用6英寸光掩模，切换至12英寸光掩模后，预计将提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并消除拼接工艺限制。该计划获得行业广泛支持，多家高NA极紫外光刻技术采用方及其他主要供应商均表达了加入意向。

高NA极紫外光刻技术将推动半导体行业向更小、更快、能效更高的芯片发展。通过全产业链协作持续创新，降低技术门槛并实现先进方案的规模化应用。台积电计划自2030年起大规模采用阿斯麦的高NA技术，并预计芯片工艺层将持续迭代，促进整个行业的技术升级和效率提升。

本报告重点分析了阿斯麦与台积电联合推动的大尺寸极紫外（EUV）光掩模技术迭代计划，包括技术切换对生产效率、成本的影响，以及行业对12英寸光掩模的广泛支持。同时探讨了高NA极紫外光刻技术的逐步落地过程，以及台积电在该技术上的应用规划。

当前高NA极紫外光刻生产主要使用6英寸光掩模，但行业正逐步向12英寸光掩模过渡。该技术切换预计将提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并消除拼接工艺限制。多家高NA极紫外光刻技术采用方及其他主要供应商均表达了加入意向，显示出行业对该技术的积极态度和广泛支持。

本报告提示，高NA极紫外光刻技术的规模化应用仍面临技术挑战和成本压力。虽然行业计划通过全产业链协作持续创新，降低技术门槛，但初期沿用6英寸光掩模后，切换至12英寸光掩模仍需克服设备产能和工艺适配等问题。此外，技术迭代过程中可能出现的不确定性也可能带来一定的市场风险。