液冷Busbar：电-热链路一体化枢纽，高密度数据中心抬升产品壁垒

‑ 投资逻辑： AI服务器正从单机部署走向机架级、超节点级系统，机柜功耗进入快速提升阶段。进入AI时代，GPU/ASIC、NVSwitch、高速互联、光模块等被更高密度地集成在同一机柜内，整机柜逐渐成为算力、供电、散热和互联协同设计的最小单元。以英伟达平台为例，GB200 NVL72 IT侧功率约136kW，Vera Rubin NVL72预计提升至约209kW，NVLink交换能力和整柜功率密度继续上行。随着后续GPU功耗提升、交换芯片数量增加以及超节点架构推进，机柜供电能力将成为AI基础设施的重要瓶颈之一。 机架母线是AI机柜内部配电系统的核心部件，主要承担大电流传输、电源分配和托盘连接功能，是机柜内部的“供电主干”。在集中式供电架构下，电源模块输出电能后，需要通过母线将电流分配至计算托盘、交换托盘等负载端，因此母线的导电能力、温升控制、压降水平、连接可靠性和安全冗余，都会直接影响整柜供电效率和运行稳定性。以英伟达机柜为例，GB200 NVL72在50V集中供电下母线电流约2900A，而Vera Rubin NVL72母线电流预计提升至5000A以上，已经显著超出传统机柜配电部件的能力边界。 功率提升带来的难点不只是“电流变大”，更在于高电流需要在有限机柜空间内实现可控传输。TE Connectivity的仿真数据显示，在48V架构下，负载功率从200kW提升至400kW时，最大直流电流由4166A提升至8333A，最大温升由7.79℃提升至33.59℃，最大压降由0.10V提升至0.21V，温升压力呈明显非线性放大。与此同时，AI机柜内部空间被芯片冷却部件、线缆和结构件共同占用，母线很难简单依靠加宽、加厚铜排来解决大电流问题，换言之，AI机柜功耗提升后，母线不再是普通配电件，而是影响整柜电力密度、热管理效率和系统可靠性的关键基础部件。 液冷Busbar有望成为高功率AI机架的重要产品趋势，800V高压供电将进一步提高母线性能要求。相比传统风冷或自然散热母线，液冷Busbar通过在母线结构中引入冷却流道，或与整柜液冷系统协同，将导电、散热、流体密封、绝缘防护和可靠性测试集成到同一部件中，使产品壁垒从传统铜排加工升级为“电-热-液”一体化设计制造能力。TE已推出面向200kW、400kW和750kW等级的液冷垂直母线方案；Molex在2026年Computex展示多通道液冷母线方案，冷却效率最高可提升20%，并在15000A电流下将温升控制在15℃左右，液冷Busbar已经进入量产应用阶段。此外，800V高压直流架构的导入将进一步提高母线在绝缘、安全防护、连接可靠性和结构集成方面的性能要求，推动机架母线从低压大电流部件向高压高可靠组件继续升级。 铜材料是机架母线的核心材料。铜具备更低电阻率、更高导电率和更高导热率，在大电流、高功率密度场景中更有利于降低线路损耗、控制温升并压缩结构尺寸。液冷Busbar和高压母线对铜材也提出了更高要求，产品竞争重点将从基础铜排供给，进一步延伸到高纯铜/铜合金材料、复杂截面成型、冷却流道协同、焊接与密封、绝缘包覆、平整度控制和批量一致性管理。因此，机架母线升级本质上会带来材料、结构、工艺和验证体系的全面升级，具备高性能铜材、精密加工、客户协同开发和批量质量控制能力的供应商，有望在AI机柜功率升级过程中率先受益。 投资建议与估值 机架母线液冷渗透率提升，以及800V HVDC高压直流架构在新建数据中心导入，将对母线核心部件铜排带来材料和结构升级机会，相关标的：铜排及高性能铜材主要供应商金田股份、博威合金、电工合金等。 风险提示 产业化进度不及预期，产品认证及产能释放不及预期。 内容目录 一、AI机架功率密度提升，低压供电面临大电流瓶颈................................................41.1 AI系统由服务器级向机架级拓展，单柜功率密度持续提升....................................41.2低压直流架构下，功率提升放大电流、损耗与压降...........................................5二、液冷Busbar：供电与冷却一体化的机架级组件..................................................72.1液冷Busbar的结构与散热原理............................................................72.2液冷结构增加多道制造与测试环节，加工复杂度提升.........................................82.3高压架构对Busbar迭代的影响...........................................................10三、铜材：液冷Busbar高性能化的核心材料.......................................................12四、产业链梳理................................................................................144.1液冷Busbar产品厂商：海外率先进入产品化阶段...........................................144.2投资建议..............................................................................164.2.1金田股份：再生铜闭环构筑差异化，高精密铜排加速放量..................................164.2.2博威合金：合金棒材切入AI液冷散热及供电，越南基地加速放量...........................184.2.3电工合金：深耕铜母线深加工，AI机架供电加速放量......................................20风险提示......................................................................................22 图表目录 图表1：GPU高速互联由单服务器级扩展至机柜级...................................................4图表2：NVIDIA AI系统由服务器级向机架级扩展，双产品线并行演进.................................4图表3：Vera Rubin NVL72延续72 GPU机柜框架，供电、冷却及互联能力进一步升级...................5图表4：ORv3机柜采用母线集中汇集主备电源并向GPU供电..........................................6图表5：ORv3机柜内Busbar沿机柜纵向布置，连接主备电源与IT设备................................6图表6：负载功率翻倍下，Busbar最大电流也翻倍..................................................6图表7：根据NVIDIA官方机架后部拆解图，Busbar可用空间有限.....................................7图表8：低压直流架构下，功率提升对Busbar的影响逻辑链........................................7图表9：Cyntec核壳式液冷Busbar结构...........................................................8图表10：Baknor导体内嵌流道液冷Busbar结构....................................................8图表11：传统Busbar的典型制造与绝缘工艺.....................................................9图表12：Cyntec液冷Busbar多部件集成结构....................................................9图表13：Cyntec波纹板式散热结构..............................................................10图表14：Cyntec子管式多流道散热结构..........................................................10图表15：相同温升下，铜排截面增加可提升允许载流量............................................10 图表16：Molex SideWize高压连接器的绝缘防护设计..............................................11图表17：LITEON 800VDC方案将低压Busbar配电集中于IT机架侧...................................11图表18：NVIDIA Kyber架构将800VDC直送板级，并在GPU侧完成低压转换...........................12图表19：Busbar主要导体材料分类及特点.......................................................12图表20：相同额定电流下，铜材料尺寸可小于铝..................................................12图表21：液冷Busbar主体温度较低，局部连接区域形成高温热点...................................13图表22：铜更适用于冲压、焊接等工艺制造......................................................14图表23：TE液冷垂直Busbar沿全机架高度布置，采用底部进液、顶部出液...........................14图表24：TE Connectivity垂直Busbar参数对比..................................................15图表25：Molex多通道液冷Busbar产品外观......................................................15图表26：液冷机架母线形成“铜基材—Busbar制造—AI机柜”产业链..................................16图表27：公司具备覆盖铜排主要生产环节的制造装备..............................................16图表28：2026H1公司实现营业收入793.0亿元，同比增长33.7%....................................17图表29：2026H1公司实现归母净利润4.4亿元，同比增长18.4%....................................17图表30：公司铜排业务持续向AI散热及机架母线高端场景延伸.....................................17图表31：公司国内外铜材产能建设持续推进.....................................................