公司概况
新洁能股份有限公司（以下简称“公司”或“新洁能”）成立于2013年，专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司拥有四大核心产品工艺平台：IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET），并已推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品。
行业分析
公司所处行业为功率半导体行业，该行业受益于国家电能替代与节能改造战略，以及新能源汽车、AI数据中心、风光储等新兴应用领域的快速发展，正处于快速增长阶段。2026年，全球功率器件市场预计将迎来爆发式增长，中国作为全球最大的消费国，市场发展前景持续向好。
经营状况
2026年上半年，公司实现营业收入116.74亿元，同比增长25.57%；利润总额2.68亿元，同比增长0.26%；归属于上市公司股东的净利润2.33亿元，同比下降0.75%。公司产品已成功通过更多新能源汽车及充电桩、AI算力中心、机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户严苛认证，实现量产销售并不断扩大规模。
研发创新
公司持续加大研发投入，2026年上半年研发投入5,638.37万元。公司新增授权专利13项，其中发明专利8项。公司在SGTMOSFET、TrenchMOSFET、IGBT、SJMOS平台以及第三代半导体功率器件平台等方面持续进行研发和产业化，并取得了多项技术突破。
生产运营
公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。面对行业整体供给紧张，公司积极与供应商开展多轮商务洽谈与资源协调，全力争取更多产能配额，并构建多元化供应链，以保障供应链的稳定供应。公司积极推进供应链国产化替代战略，降低进口材料依赖及供应链风险。
子公司建设
公司全资子公司电基集成专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障，并持续扩产，以缓解产能瓶颈。子公司金兰半导体致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售，并已初步完成各应用领域的产品布局。子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司专注于智能功率集成电路芯片设计，已形成从低压到高压、从分立驱动到智能模块的全覆盖产品布局。海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd.承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能，推动公司全球化战略布局。
内部管理
公司持续完善内部治理体系，不断健全内部控制制度与流程管理体系，提升组织协同效率与整体运营能力。公司高度重视投资者关系管理，通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流，积极传递公司价值，树立了良好的资本市场形象。
资本市场
公司紧紧围绕整体发展战略，持续关注并积极推进外延式发展机遇。投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域，通过直接或间接方式，对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资，稳步推进横向整合与纵向延伸。
核心竞争力
公司拥有多项核心竞争力，包括研发实力优势、产品系列优势、产品品质优势、产业链协作优势、进口替代优势、品牌和客户优势以及人才优势。公司致力于成为国内中高端功率半导体领域的领先企业，并积极拓展海外市场，提升国际竞争力。
