关注AI数据中心高速互联电芯片国产化加速2026082

这份研报主要分析了AI数据中心高速互联电芯片国产化加速的趋势。报告指出，光通信电芯片在光模块中价值占比约20%，是AI数据中心高速光互连的核心器件。当前400G/800G光模块已成为AI集群主力，下一代产品向1.6T/3.2T演进，推动电芯片由25G/50G持续向100G/200G升级。报告重点分析了裕太微和优迅股份两家公司，前者深耕以太网PHY、交换芯片及网卡等有线通信芯片，2026年拟募资10.6亿元布局数据中心高速互联及车载通信，围绕112G SerDes研发高速互联芯片；后者专注光通信前端收发电芯片，10G及以下产品市场份额全球第二，积极向25G及以上高速率产品切换，25Gbps及以上产品2025H2预计销售986.9万元，2026年预计销售6972万元，同比增长超过5倍。报告还提到LPO/CPO趋势放大TIA、LDD等前端电芯片价值，随着800G/1.6T及更高速率升级，系统对TIA、Driver提出更高要求，部分原由DSP承担的功能向TIA、LDD迁移，具备高速模拟电芯片能力的厂商持续受益。

AI数据中心高速互联电芯片行业发展趋势向好。随着AI算力需求的持续升级，光通信电芯片作为AI数据中心高速光互连的核心器件，其重要性日益凸显。当前400G/800G光模块已成为AI集群主力，下一代产品正向1.6T/3.2T演进，这将推动电芯片由25G/50G持续向100G/200G升级。同时，LPO/CPO趋势放大了TIA、LDD等前端电芯片的价值，随着800G/1.6T及更高速率升级，系统对TIA、Driver提出更高要求，部分原由DSP承担的功能将向TIA、LDD迁移。这为具备高速模拟电芯片能力的厂商提供了新的发展机遇。此外，国产化替代加速，裕太微、优迅股份等国内企业正积极布局高速互联芯片，有望打开高速光互连市场。

研报重点分析了裕太微和优迅股份两家公司。裕太微深耕以太网PHY、交换芯片及网卡等有线通信芯片，其PHY与SerDes能力构成高速互连技术底座。公司2026年拟募资10.6亿元，重点布局数据中心高速互联及车载通信，围绕112G SerDes研发高速互联芯片。其铜线介质产品已实现2.5G及以下全覆盖，10G是铜互连向光互连延伸的重要节点，部分芯片已支持铜线及光纤传输。优迅股份专注光通信前端收发电芯片，10G及以下产品市场份额全球第二，积极向25G及以上高速率产品切换。其25Gbps及以上产品2025H2预计销售986.9万元，2026年预计销售6972万元，同比增长超过5倍，高速产品成为新的成长动能。

当前AI数据中心高速互联电芯片市场呈现快速发展态势。光通信电芯片在光模块中价值占比约20%，是AI数据中心高速光互连的核心器件。400G/800G光模块已成为AI集群主力，下一代产品正向1.6T/3.2T演进，推动电芯片由25G/50G持续向100G/200G升级。国产化替代加速，裕太微、优迅股份等国内企业在高速互联芯片领域积极布局，市场竞争力不断提升。同时，LPO/CPO趋势放大了TIA、LDD等前端电芯片的价值，随着800G/1.6T及更高速率升级，系统对TIA、Driver提出更高要求，部分原由DSP承担的功能将向TIA、LDD迁移，为具备高速模拟电芯片能力的厂商提供了新的发展机遇。

研报中提示的风险主要包括技术迭代风险和市场竞争风险。AI数据中心高速互联电芯片技术更新迅速，企业需要持续投入研发以保持技术领先地位。同时，市场竞争激烈，国内外厂商都在积极布局高速互联芯片领域，企业需要应对激烈的市场竞争。此外，随着800G/1.6T及更高速率产品的升级，系统对TIA、Driver提出更高要求，企业需要不断提升产品性能以满足市场需求。这些因素都可能对企业的经营和发展带来一定的不确定性。