688469 芯联集成 芯联集成电路制造股份有限公司2026年8月10日投资者关系活动记录表

编号：2026-004 电机）、底盘、车身、热管理等，覆盖国内九成以上新能源车企。 （3）高端消费电子营收同比增长31.76%，公司产品已覆盖MEMS麦克风、激光雷达驱动芯片VCSEL光源、IMU运动传感芯片等，从环境感知到稳定供电，相关产品已嵌入多种AI终端设备； （4）工控业务营收同比增长21.29%，光伏、储能混碳功率模块、工商业储能模块已批量交付。 得益于公司核心产品市场需求持续旺盛、产能利用率稳步提升以及新客户、新订单的持续落地，公司前期在产能建设、产品布局等方面的投入正逐步转化为经营成果，规模化效应开始集中显现。公司毛利率的显著改善主要源于以下几个方面的协同驱动：一是产品结构持续优化，高附加值产品占比逐步提高；二是生产运营效率提升，精益管理和精益生产效能显现；三是产能利用率提升带来的单位固定成本摊薄效应。 公司已从“规模建设”进入“利润释放”的良性通道，盈利能力仍将继续提升。 二、交流环节 1、公司对功率模拟业务在Q3进行了涨价，目前涨价的具体落实情况，对于市场需求持续性和未来涨价节奏如何判断？ 公司于三季度对MOSFET、IGBT、碳化硅、模拟芯片等全品类产品启动调价，整体调价区间为15%-25%。目前各业务板块涨价已全面落地执行，综合实际落地幅度约15%。基于公司产品交付周期，涨价带来的营收与毛利弹性将从三季度开始，四季度释放。 本次调价基于行业结构性紧缺叠加成本刚性上涨的双向驱动：一方面AI服务器、新能源汽车等高景气下游需求持续爆发，叠加国内功率模拟芯片国产化替代加速，行业需求整体呈现明确的供不应求格局；另一方面上游贵金属、关键原材料成本持续上行，制造端成本压力凸显。本轮行业景气和以往消费电子、传统汽车驱动的短周期复苏有本质区别，核心驱动力来自AI数据中心等基建的长期建设，具备建设周期长、资本开支稳定、需求持续放量的特征。功率模拟芯片行业中长期需求增长逻辑清晰，高景气度具有可持续性。公司将持续以创新推动产品竞争力提升，同时也将根据市场情况，适时、动态调整价格体系。 2、上半年公司毛利率12.71%，尤其是Q2环比大幅提升，请问毛利率提升的主要驱动因素有哪些，以及对于下半年和明年毛利率趋势的判断？ 上半年公司毛利率达到12.71%，较上年同期大幅提升9.17个百分点。公司 随着下半年涨价落地将带来毛利率弹性，且收入逐季增长带来的规模效应将进一步推动公司综合毛利率持续温和提升。 3、公司作为国内SiC器件实力最强的一家公司，如何看待SiC在SST的市场空间，目前公司有哪些最新进展？ 从市场空间来看，伴随全球AI基建高速迭代，数据中心供电架构迎来颠覆性升级。10kV-35kV中压输入、800VHVDC直流输出已成为下一代AI数据中心供电的主流标准。高压SiC器件占SST整机价值量接近40%，SST市场将成为SiC的下一个高增长市场。 目前，芯联集成的3300V SiC已向核心客户送样验证，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑，填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白。 同时公司正持续迭代完善SST场景专用高压产品与工艺梯队，已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，并已开展对6.5kV、10kV碳化硅产品的研发。 的提升和价格的上涨。目前公司6寸碳化硅月产能9000片，8寸碳化硅月产能7000片。为了保证客户的供给，公司8寸产线计划扩产至1.5万片/月。目前公司第四代碳化硅芯片已于2026年二季度实现量产，同时已布局650V-3300V全电压段产品，3300V产品也已送样核心客户。 碳化硅产品大规模应用，包含了（1）车载应用领域的大规模应用：汽车平台从400V向800V转换。800V平台对能源转换效率有明显提升，同时节省成本、提升续航里程，以及解决充电速度的问题；（2）AI应用领域的应用：从SST到柜内一次、二次、三次电源的应用等。随着碳化硅产品应用市场的快速打开，从主驱到充电，从光伏、储能到AI，碳化硅的需求在更快速的增长，将带来产能的供不应求。 鉴于目前市场的需求带来整体功率器件的涨价，碳化硅产品涨价的同时，硅基产品价格也有一定幅度的提升，因而碳化硅产品与硅基产品的市场需求的相对状态并没有发生明显变化。 5、公司四期项目在光芯片进行全面布局，请问公司切入光芯片市场的动机，有哪些优势，拟达到的目标，以及目前最新的研发、产品、项目建设的最新进展如何？ 从业务来看，AI算力高速爆发驱动数据中心光互连持续迭代，800G已规模上量、1.6T加速渗透，高端光芯片已成为算力升级的核心瓶颈。国内光芯片产业目前普遍存在光电工艺割裂、一体化代工能力薄弱、高端产能紧缺的问题，国产化替代机遇明确。 芯联集成完整布局VCSEL+InP+硅光+TFLN+SiGe+MEMS OCS，构建从有源芯片到硅光芯片、再到配套电芯片以及异质集成的完整光互连技术平台，在AI数据中心光互连供应链中占据卡位优势。 其中：①12英寸硅光工艺以及90/55nm锗硅工艺，依托低损耗、高带宽的特质，可以支撑800G、1.6T及更高规格光模块对于硅光芯片、跨阻放大器芯片的工艺需求；②性能优异的SOI BCD平台凭借突出的抗干扰能力与稳定性，适配光通信领域高压、高精度、高集成度的光路控制芯片开发；③BCD高性能电阻工艺具备优秀的低噪声优势，可满足光通信运算放大芯片对于精密性能的严苛要求。 目前，公司光芯片业务已实现阶段性突破：主流数据中心硅光芯片已经实现规模化稳定量产；适配AI数据中心的交换芯片和VCSEL芯片完成验证，迈入小批量试制阶段。 当前，四期项目的土建已开始，预计2027年底开始投产，2028年光芯片业务将逐步放量。凭借稀缺的光电一体化工艺技术壁垒，公司致力于成为