首席周观点：2026年第31周

张天丰|东兴证券金属首席分析师 S1480520100001，021-25102914，Zhang_tf@dxzq.net.cn 金属行业：“钙钛矿+光模块”或推动全球铟需求爆发，铟供应缺口或持续放大 全球可经济开采的铟资源极少，静态储采比不足15年。从资源量观察，全球已知的含铟矿床约有1512处，合计含铟资源量超过35.6万吨。其中，中国已查明的铟资源量约为2万吨，占全球铟资源量5.6%。从储量观察，由于在可回收铟的锌矿床中，铟含量普遍仅有百万分之一至万分之一，因此实际可经济开采的铟资源极少。据亚洲金属网数据，全球铟储量仅约5万吨（可开采储量仅占50%）。由于工业主要从铅锌冶炼的副产物中提取金属铟，结合回收率（50%～60%）计算，全球铟的静态储采比不足15年。 全球铟储量集中度较高，中国铟储量居首。全球铟储量集中度较高，中国、秘鲁、美国、加拿大和俄罗斯铟储量排名前五，CR5超80%。其中，中国铟储量达13014吨，居世界首位，占全球铟储量比例达26%。中国铟资源广泛分布于云南、广西、内蒙古、湖南等19个省（区），比较著名的含铟矿床包括广西大厂锡矿床（铟金属量约6000吨）、云南都龙锡锌矿床（铟金属量约4000吨）等。此外，中国的富铟矿物中，80%以上的铟都富集在闪锌矿中，尚未发现铟的独立矿床。 全球及中国精铟供给结构均以再生铟为主，中国精铟及原生铟产量全球占比近70%。2025年全球精铟产量为2630吨：其中原生铟产能为1760吨/年，原生铟产量为1100吨（产能利用率为62.5%）；再生铟产量为1530吨，全球原生铟占精铟供应比例为41.8%。此外，中国精铟产量为1820吨（全球占比69.2%），原生铟产量为760吨（全球占比69.1%），再生铟产量为1060吨（全球占比69.3%），中国原生铟占精铟供应比例为41.8%。 原生铟的生产依赖铅锌矿的主产节奏，自身供给弹性较低。2020-2025年间全球铟产量CAGR仅为2.8%（由2020年960吨升至2025年1100吨），其中2025年全球铟产量同比增幅仅为0.9%，边际下行趋势明显。根据矿石品位和回收率测算，生产一吨铟需要处理2万～3万吨锌精矿，对应生产1万～1.5万吨金属锌。铟与主产金属的产量比（品位比）极低，因此铟价涨幅极难有效刺激铅锌冶炼的扩产。海外方面，能源成本增长或导致海外铅锌冶炼厂减产；国内方面，环保政策趋严或限制国内铟供给；全球原生铟供给或维持较低增速，2025-2028年间全球原生铟供应CAGR或为2.9%。 再生铟方面，中国再生铟供应全球占比持续提升。再生铟通过冶金或化学方法从含铟废料中回收获得精铟，其来源包括工业生产中产生的废ITO靶材、液晶显示器（LCD）面板等电子 废弃物以及废弃金属回收。由于再生铟回收工序难度较高、回收率较低（ITO靶材中再生铟回收率仅为60%～65%），再生铟供给亦具有刚性特征。2022-2025年间，全球再生铟产量由1281吨升至1530吨，期间CAGR为6.1%。其中，中国再生铟产量由2022年的452吨升至2025年的1060吨，期间CAGR高达32.9%，对应全球再生铟产量占比由35.3%升至69.3%，呈现出结构性增长。 综合考虑，全球精铟供给或由2025年的2630吨增长至2028年的3024吨，期间CAGR或达4.8%。 2025年ITO靶材占全球铟消费80%。据安泰科数据，2022-2025年间，全球铟消费量CAGR为3.16%，2025年全球铟消费量达2025吨。其中，ITO靶材消费量达1640吨，占比81%。此外，半导体化合物（磷化铟）、焊料及合金和其他消费量分别为182吨（占比9%）、162吨（占比8%）和41吨（占比2%）。ITO靶材为占比最高的需求领域。ITO（氧化铟锡）是由90%氧化铟（In2O3）与10%氧化锡（SnO2）组成的复合氧化物，通过真空磁控溅射镀膜工艺制备，形成透明导电薄膜。ITO光学透明性与导电性极优，可见光透光率达85%—95%，电阻率为10-4~10—3Ω·cm，且具有强耐腐蚀性、热稳定性、附着力和可加工性。受益于其优良性能，ITO靶材可用于显示面板（LCD、OLED、触摸屏等）、光伏（HJT、CIGS、钙钛矿电池等）、智能调光（绿色节能建筑和汽车玻璃等）等多个领域。进一步观察，ITO显示面板主要应用于家电、电子设备和汽车三大领域。在家电领域中，“家电以旧换新”及消费补贴政策拉动铟需求提升（结合我们对家电消费量的预测，2025-2028年间，国内家电行业铟消费量CAGR或为3.7%）；在电子设备及汽车领域中，大尺寸、高刷新率、柔性显示等高端面板需求持续增长，综合行业内各机构预测，折叠屏/车载屏需求或推动2025-2030年间显示面板ITO靶材消耗量CAGR达11.7%。 钙钛矿电池发展或推动光伏行业铟需求爆发，2025-2030年间光伏用铟CAGR或达45%。ITO靶材可作为太阳能电池的透明材料电极材料，优化光的吸收和电荷传输，有效提升光电转换效率。当前，在光伏领域，ITO靶材主要应用于HJT（异质结）电池和CIGS（铜铟镓硒）电池中，HJT电池每GW耗铟量约为3.3吨，CIGS电池每GW耗铟量约为3.8吨。2025年全球HJT电池产量约为120GW（光伏市场渗透率达15%），对应铟需求量约为396吨；同年全球CIGS电池产量约为8.3GW，对应铟需求量约为31.5吨。随着太阳能电池产业的迭代升级，钙钛矿电池发展或进一步提升光伏ITO靶材需求量。由于钙钛矿电池的电子传输层、空穴传输层和透明导电层等关键功能层均需使用ITO、IZO等高纯度靶材进行镀膜，每GW钙钛矿电池耗铟量或升至8吨，相较CIGS提升+111%，较HJT提升+142%。从成本观察，靶材在钙钛矿电池成本中的占比约为35%—37.2%，显著高于传统晶硅电池中的成本占比（不到5%）。结合行业内各机构（如中投未来产业研究中心、Market Growth Reports等）和我们对三类太阳能电池规模发展的拟合预测，2025-2030年间，随着HJT（CAGR 9.32%）、CIGS（CAGR 4.97%）和钙钛矿电池（CAGR 94%）的渗透率和产量持续提升，光伏领域铟需求量或由2025年的459.5吨升至2912吨，期间CAGR或达45%。 光模块速率迭代升级或加速提升铟需求。由于1.6T光模块较800G速率翻倍，其商业化发展加速、渗透率提升已成为市场的必然趋势，并将加速铟金属需求的增长。单颗800G光模块需搭载4—8颗磷化铟激光器芯片，1.6T光模块磷化铟芯片用量则达到8—16颗，叠加单颗 芯片为了散热和增益的体积微调，1.6T光模块铟的单耗较800G增加了约3.2倍。每万个800G光模块铟需求量达15千克，而每万个1.6T光模块铟需求量达48千克。此外，每万个3.2T光模块铟需求量达144千克～153.6千克，为800G光模块的8~10倍。光模块速率的迭代升级或持续加速提升铟金属需求。结合Lumentum等市场机构的预测和我们的分析，2025-2030年间磷化铟光芯片市场规模CAGR或达85%，对应精铟需求量或由2025年的182吨升至2030年的3944吨。 综合ITO靶材显示面板（家电、电子设备、汽车）、光伏（HJT、CIGS、钙钛矿）和磷化铟（AI数据中心、6G通信、光模块）三大领域的全球铟需求量预测，我们认为2025-2030年间，全球铟需求量或由2025年的2025吨升至2030年的9087吨，期间CAGR或达35%。其中，由于钙钛矿电池及高速率光模块的铟单位消耗量均较传统光伏电池、光模块实现大幅提升，两者渗透率的上升叠加AI、通信基建对于光伏能源和光电子器件的需求发展，共同促进了全球铟金属需求的爆发式增长。 全球铟供应缺口或持续放大。从供给侧观察，受铅锌冶炼主产节奏及ITO靶材回收数量限制，全球铟供给极具刚性特征；从需求侧观察，钙钛矿电池及高速率光模块或推动全球铟需求爆发式增长。2025-2028年间，全球铟金属供需平衡或分别为605吨/108吨/-227吨/-1082吨。全球铟供需结构或由紧平衡向供应短缺转换，供应缺口或持续放大。至2028年，全球铟金属需求缺口或达26%。供需结构持续的优化或推动铟价中枢上行。 风险提示：铅锌冶炼供应超预期增长，钙钛矿电池发展不及预期，6G通信发展不及预期，AI基建进展不及预期，“去铟化”进展超预期等。 参考报告：《金属行业2026半年度展望（I）：科技金属--结构性溢价攀升或推动产业链估值重塑》，2026-6-18 刘航|东兴证券电子行业首席分析师 S1480522060001，021-25102909，liuhang-yjs@dxzq.net.cn 电子行业：电子行业2026半年度策略：2026年下半场AI硬件的跃迁与突围 年初至2026年6月18日，电子行业指数（中信）跑赢沪深300指数。我们分析认为2026年全球AI大模型与智能体应用爆发，科技巨头AI Capex持续高增，直接拉动了上游算力硬件设施的需求与资本开支强度，相关环节业绩进入高增兑现期。2026年一季度起，全球半导体及硬件供应链迎来“结构性涨价潮”：AI算力相关的晶圆代工、先进封测、高端芯片、高端PCB及被动元件等核心环节供需趋紧，价格上行；同时上游原材料（电子布/铜箔等）的刚性供给进一步强化了成本传导逻辑。除此以外，华为提出“韬(τ)定律”，主张以“时间缩微”替代“几何缩微”，指导产业发展的新原则。2026年初至2026年6月18日，电子行业指数（中信）上涨61.02%，沪深300指数上涨4.74%，创业板指数上涨29.07%。2026年Q1基金持 有电子行业总市值为7201.06亿元，占流通A股市值比重为3.82%；2026年Q1电子板块基金持仓市值前十的公司凸显在AI基础设施Capex维持高强度的背景下，机构对AI算力产业链国产化的集中押注。2026Q1基金持仓电子行业总市值在申万一级行业中排名第二。 2026年一季度起，全球半导体迎来全产业链结构性涨价潮，展望未来，AI浪潮推动电子行业进入新发展阶段，三大核心领域增长动能明确看好方向如下：（1）MLCC（2）液冷（3） 玻璃基板： （一）MLCC：AI算力引爆高端需求，结构性缺口推动超级周期。本轮MLCC上行核心由AI服务器驱动：单机柜MLCC用量达百万颗级，价值量随GB200至Rubin平台迭代飙升，从H100约3000美元跃升至VR200约22000美元，涨幅显著。供给端，日韩大厂产能优先向AI级高容倾斜，扩产周期长达18-24个月，叠加车规需求共振，高端BB比率持续高于1，交期延长至20周以上。海外原厂方面村田制作所率先出手，4月1日起对AI服务器用MLCC涨价15%到35%。与此前库存周期不同，本轮由AI算力基建刚性需求主导，高端与通用品K型分化明确。国产厂商加速突破材料配方与车规/AI认证，承接紧缺产能外溢。推荐：火炬电子；受益标的：三环集团、风华高科、宏明电子等。 （二）液冷：AI算力密度跃升，热管理向机柜级架构升级。本轮液冷放量核心由AI高功耗机柜驱动，GB200/NVL72等平台将单机柜功率推至120kW级以上，传统风冷触及物理瓶颈，液冷从机房空调升级为机柜级基础设施刚需。需求端，IEA预计全球数据中心用电2030年将翻倍，AI加速服务器能耗增速显著领跑，且渗透率仍处早期（多数机构液冷机架占比<10%），后续提升空间广阔。供给端，冷板、快接（UQD）、Manifold及CDU等长交期部件产能受限，海外龙头通过并购整合端到端方案，国内厂商则加速全链条交付能力建设。受益标的：英维克、申菱环境、科创新源、金富科技。 （三）玻璃基板：AI算力突破封装极限，TGV良率决定量产节奏。AI高带宽互连与HBM堆叠推动封装向10μm以下线宽演进，传统有机基板触达物理天花板，玻璃基板凭借绝缘低损、高平整度及面板级扩展性成为下一代关键载体。产业核心瓶颈已由材料转向TGV（玻璃通