688720 艾森股份 投资者关系活动记录表20260716

公司持续深耕光刻胶细分赛道，加速拓展市场份额，核心产品市场渗透率与行业认可度提升。具体经营业绩请关注相关公告。

问题二：先进封装光刻胶与晶圆制造光刻胶的差异及公司产品布局

• 光刻胶作用与特性
  • 晶圆制造光刻胶：用于芯片前道制程，刻制微米/亚微米级电路，要求高分辨率、低缺陷，薄膜体系为主，金属离子杂质控制在ppb级，需高灵敏度与刻蚀抗性。
  • 先进封装光刻胶：用于后道制程，制作厚膜图形（RDL、铜柱等），核心在于厚膜成型与工艺兼容，是HBM、Chiplet等技术的关键材料。
• 国产化难点
  • 晶圆制造光刻胶：需全链条原材料自主可控（I-line至EUV级），金属杂质控制达ppb级。
  • 先进封装光刻胶：难点在于高厚膜体系性能平衡（感光度、附着力等）及适应国内封装工艺发展。
• 公司产品布局
  • 先进封装领域：推动产品在2.5D/3D封装中规模化应用，提升国产化市场份额。
  • 晶圆制造领域：面向存储、逻辑、功率器件等场景，逐步进入研发或验证阶段。

问题三：电镀铜在封装、晶圆及IC载板领域的异同

• 相通之处：均采用硫酸铜体系电解液，配合抑制剂/加速剂/整平剂，通过电化学沉积实现铜可控沉积，均追求无气泡等高质量要求。
• 不同之处：具体应用场景与工艺要求存在差异，但核心原理一致。