688720 艾森股份 投资者关系活动记录表20260716

编号：2026-010 持续深耕细分赛道，加速拓展市场份额，核心产品的市场渗透率与行业认可度提升。具体经营业绩情况请关注公司相关公告。 问题二：先进封装光刻胶和晶圆制造光刻胶有什么差异，以及公司相关产品布局情况？ 答：光刻胶是芯片制造必不可少的图形转移过程材料。其中晶圆制造光刻胶主要针对芯片前道制程，其核心作用是在硅片上刻出微米、亚微米级到纳米级的互联电路和晶体管电路，追求高分辨率与低缺陷，以薄膜体系为主，同时要求金属离子杂质控制在ppb级，具备高灵敏度、高刻蚀抗性。先进封装光刻胶针对芯片后道制程，其核心作用是做出1微米至几百微米厚膜图形，然后通过电镀，去胶，刻蚀，制作RDL重布线、铜柱凸点、TSV硅通孔等物理结构，所有技术设计都围绕“厚膜成型、工艺兼容”展开，是HBM、Chiplet等先进封装技术落地的核心材料基础。 目前国产化中的难点也有所不同，晶圆制造光刻胶主要需要完成全链条原材料自主可控，包括I-line、KrF、ArF、EUV级光刻胶的功能单体、树脂、感光剂等，对金属杂质的控制要求均需达到ppb级别。先进封装光刻胶的难点主要体现于两方面，其一是要在高厚膜、高粘度体系下平衡感光度、附着力、抗电镀性、去胶特性、无气泡等多个互相矛盾的性能参数，对性能稳定性要求极高；其二是应对国内封装工艺的快速发展，正向开发出符合客户需求的产品。 公司聚焦光刻胶产品的竞争力构建。在先进封装领域的核心任务是推动产品在2.5D/3D先进封装中的规模化应用，着力提升国产光刻胶在该领域的市场份额。在晶圆制造方面，公司面向存储、逻辑、功率器件等不同应用场景的光刻胶产品，逐步进入研发或验证阶段。 问题三：公司的电镀铜在封装、晶圆以及IC载板领域各有什么不同和相通之处？ 答：相通之处：封装、晶圆以及IC载板虽属于不同的制造环节，但电镀铜的核心原理是一致的。三者均采用电化学沉积技术，以硫酸铜体系为基础电解液，配合抑制剂、加速剂、整平剂三类核心有机添加剂，通过调控界面吸附与局部沉积速率，实现铜的可控沉积；三者都追求无