海力士ADR预计将以SKHY代码在7月10日在纳斯达克交易所上市 本次计划发行相当于1779万股

我们重申继续看好存储行业发展，我们认为本轮存储周期与历史存储周期不同的关键在于：1）需求端HBM较传统DRAM定制化属性增强，且由于良率损失，HBM较同样位元DRAM需要消耗更多晶圆。Token消耗量持续提升带来大量存储需求，拉动了HBM、DRAM、NAND需求共同增长；2）供给端存储原厂22、23年下行周期亏损严重，CAPEX投入有限，造成当下供需缺口。在AI基础设施建设持续高景气度情况下，晶圆厂、存储厂的扩产都依赖上游半导体设备，设备产能有望成为扩产瓶颈。存储原厂难以更大幅度扩产。 未来我们认为存储有望逐渐从涨价品种向成长品种演进。目前下游客户与存储原厂推进LTA签署，根据美光6月业绩会，已经与客户签署16个长期协议，覆盖20%DRAM采购量、1/3NAND采购量，部分协议为固定价或设置价格下限/上限。我们预计未来随着LTA占比提升，存储产品价格波动有望收窄，存储未来业绩增长将逐渐转向产能释放趋动。存储有望逐步向成长品种演进。 海力士作为HBM市占率第一的公司（counterpoint数据26Q1市占率超50%），本次美股上市有望扩大投资者群体，带动估值折价修复，成为全球存储行业积极催化。