中国最大DRAM制造商长鑫存储(CXMT)正秘密测试新一代Bonded DRAM试产线,计划通过DUV多重曝光与晶圆键合技术生产高密度、高效能DRAM,且不依赖EUV微影设备。韩媒指出,长鑫在技术开发速度上可能领先三星电子与SK海力士,并预计近期将推动IPO扩大募资。目前CXMT全球DRAM市占率约8%,传闻有望成为苹果新的DRAM供应商,同时积极投入HBM3、HBM3E及下一代CXL记忆体开发。此外,中国NAND龙头长江存储(YMTC)凭借自主Xtacking混合键合技术,也被认为已在关键技术上取得突破。