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有色钼
- 题材:SK海力士新一代3D NAND闪存采用钼替代字线材料,叠加出口管制重塑靶材供应链,钼在半导体领域的增量逻辑首次清晰兑现;传统油气、军工需求受地缘冲突催化持续景气。
- 供给端:全球钼矿探矿权和采矿权数量持续收缩,国内产量较2015年高点明显下滑;海外铜钼伴生矿品位衰减,2024年海外矿山钼产量降至16.4万吨,短期难以逆转。供需测算显示,钼供需缺口自2026年起逐步扩大,2028年达到极致,全球钼供给刚性约束难以短期缓解,钼价中枢有望持续上移。
- 需求端:军工需求(坦克、装甲板等)受地缘冲突催化持续景气,钼铁库存低位,产业链上下游去库加速;钨、镍互为替代关系,对钼价形成额外支撑。半导体靶材领域国产化率仅约5%。
- 龙头公司:金钼股份(矿山自给率100%,持有金堆城钼矿和东沟钼矿两大世界级单体钼矿,钼靶材已实现6代OLED整靶国产化,通过三星、京东方等11条产线认证,持续加大钼金属研发投入)。
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半导体耗材
- 题材:全球半导体进入高景气周期,晶圆厂大规模扩产叠加先进制程工艺迭代,CMP、靶材、光刻胶、刻蚀液等关键材料呈现用量与价格双重"通胀"效应;SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍,多家设备一级供应商提出涨价要求。
- 结构性增量:"工艺通胀"显著:3D NAND堆叠层数从128层升至232层以上,单片晶圆靶材消耗量增加超40%;逻辑芯片从250nm缩至7nm,CMP抛光步骤从8次增至30次。即使晶圆厂产能不扩张,材料消耗量也会随工艺迭代持续增长。
- 市场数据:2025年全球半导体材料市场销售额达732亿美元,同比增长6.8%,创历史新高;国内半导体材料整体国产化率仅约15%,高端领域严重依赖日本供应商,中日经贸+安全博弈升级推动国产化从"成本和性能"升级为"供应链安全优先"。
- 国产化机会:光刻胶(JSR、TOK等垄断约95%市场,我国KrF光刻胶国产化率仅约3%,ArF不足1%,EUV几乎为零)、湿电子化学品(高纯刻蚀液市场集中于海外,含氟电子特气出口管控趋严)等领域替代需求迫切。
- 竞争格局:行业逻辑从"产能扩张"转向"技术验证+长期绑定",头部企业产线验证基础和客户认证积累强化竞争壁垒。
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光互联
- 题材:公司卡位CPO和OCS上游精密光学器件核心环节,光通信业务收入2025年同比增长134%,2026年一季度进一步加速至增长218%;全年经营现金流历史性转正,毛利率持续修复。
- 技术壁垒:多工艺微纳光学平台(晶圆级同步结构化、光刻-反应离子蚀刻、晶圆级微纳光学压印等)构建技术壁垒,在AI算力驱动的光互连升级中具备较强的差异化竞争优势。
- 政策支持:工信部印发《"人工智能+信息通信"创新发展实施意见(2026—2028年)》,加强高端光电芯片和器件研发,推动OCS和CPO技术落地。
- 业务布局:公司产品应用于传统光模块、OCS、CPO等场景,以及OLED激光退火、Mini-LED修复系统等泛半导体制程;2025年研发投入达1.71亿元,同比大幅增长80.09%,聚焦高通道数V槽、蚀刻微棱镜、CPO光学组件等方向。
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