铟行业专题报告：AI需求爆发，铟资源亟待重估

行业投资评级：强大于市|维持 李帅华/魏欣中邮证券研究所有色&新材料团队 中邮证券 发布时间：2026-05-25 投资要点 ➢供给端整体增量有限，铟资源稀缺性持续提升。铟主要作为锌冶炼副产物产出，2024年国内原生铟产量同比明显下滑。受锌精矿供应紧张、冶炼企业亏损减产、主产区能耗环保管控、伴生矿铟品位下降等因素影响，原生铟供给持续收缩，叠加再生铟回收增量有限，整体呈现紧平衡格局。 ➢传统需求基本盘稳固，新兴应用打开需求增量空间。2025年国内精铟消费需求为2316吨，其中ITO靶材占比79%，是绝对核心需求，根据安泰科预测，未来全球精铟消费量预计将持续增长，2026年和2027年预计分别达到2510吨和2813吨，同比增长8.38%/12.07%。AI算力建设带动800G/1.6T高速光模块爆发，磷化铟衬底需求指数级增长，考虑从高纯铟到磷化铟各环节良率，我们测算2030年光模块领域对高纯铟需求量有望达440.69吨，对应精铟需求占总需求比例由2026年的7.58%提升至15.41%。 ➢磷化铟、高纯铟产能极度紧缺。全球磷化铟市场被日本住友、北京通美等垄断，海外巨头占比达95%，磷化铟行业整体供需缺口近70%，高景气延续至2028年；国内磷化铟企业加速突围，云南锗业等实现4–6英寸产品量产与客户验证，供应链自主可控提速。高纯铟是磷化铟制造关键材料，6英寸以上磷化铟衬底，往往需要7N纯度以上高纯铟作为原材料，海外高纯铟技术处于领先地位，主要参与者包括Dowa、Rasa等行业领先企业，供应住友、AXT等行业龙头。国内高纯铟技术相对落后，主要参与者包括铅锌冶炼厂、精铟深加工企业。 ➢投资建议：建议关注云南锗业、锡业股份、株冶集团、中金岭南。 2➢风险提示：价格波动风险；下游需求不及预期风险；国内外项目投产进度不及预期风险；模型假设与实际不符；政策超预期风险等。请参阅附注免责声明 AI需求爆发，成为新增长极二一铟的供给来自原生铟和再生铟行业公司对比四磷化铟市场高端垄断，国内企业加速突围三 目录 铟的供给来自原生铟和再生铟 1.1铟具备极强的可塑性和延展性 ◼铟，元素符号为In，原子序数为49，位于元素周期表第五周期IIIA族（硼族元素）。其为银白色略带淡蓝色调的软质金属，质地较软可以用指甲轻易划出痕迹，具有极强的可塑性和延展性，能被压制成极薄的片状。 ◼铟产业链主要分为矿产开采、铟矿冶炼及处理、含铟产品加工及下游应用等环节。 ➢上游主要涉及铟矿的开采、选矿及高纯铟的提炼。铟通常以伴生矿形式存在于闪锌矿等锌矿中，原矿石经过破碎、浮选等工艺处理后，可得到铟精矿，通过冶炼制取粗铟，再生铟回收厂通过将回收的尾料还原制取粗铟。粗铟经进一步精炼提纯后形成精铟（纯度在4N-4N5）。 ➢中游加工环节是整个产业链的枢纽。精铟经高纯化处理后形成高纯铟（5N以上）或经过氧化处理形成高纯氧化铟（4N以上），高纯铟通过不同的加工工艺，可制成ITO靶材、特种焊料与合金、铟系化工品、精密电气元件以及半导体材料等核心产品。 ➢下游应用领域呈现多元化发展态势。铟锡氧化物制成的ITO薄膜可将电数据转换为光数据，在3C领域广泛应用。此外，铟基合金在航空航天、军工等特殊领域发挥重要作用；半导体行业则使用锑化铟、砷化铟等化合物半导体材料制造红外探测器、LED等器件。 1.2铟主要来源于原生铟提炼和再生铟回收 ◼铟主要来源于原生铟提炼和再生铟回收。 ➢再生铟是精铟供给主要来源。2022-2025年，全球精铟产量分别为2280吨、2342吨、2530吨和2682吨，其中原生铟产量分别为1041吨、1069吨、1116吨和1150吨。 ➢国内是最大的原生铟生产国。中国作为最大的原生铟生产国，2023-2025年原生铟产量分别为646吨、426吨、441吨，再生铟产量受环保监管、政策驱动、金属进步等影响，回收率和产量持续增长。 ➢根据安泰科预测，全球精铟产量2026-2027年将分别达到2785吨和2880吨，其中中国精铟产量将分别达到1960吨和2050吨，占全球精铟总产量的比重超过70%。 资料来源：安泰科，锡业股份年报，中邮证券研究所 1.3原生铟：锌冶炼亏损，行业缺乏扩产动力 ◼目前生产的大多数原生铟都是从铅、锌、铜、锡等矿石冶炼过程中回收的副产品，随着铟生产技术的不断改进，原料来源也呈现多元化的趋势，钢厂烟灰、铜冶炼渣、铅冶炼渣都开始成为提炼铟的原料。其中闪锌矿中铟的富集程度较高，具备提炼的经济性，是原生铟的主要来源。 ◼整体看，原生铟产量与锌冶炼密切相关，而中长期锌冶炼产能缺乏扩张动力。 ➢锌冶炼行业属于高耗能行业，国内产能扩张受限。 ➢吨锌冶炼长期处于亏损状态，主要靠副产品硫酸、铟等盈利，通常吨锌产出1.2吨外销硫酸和0.15kg精铟，以当前1700元/吨和4650元/kg价格计算，对应不含税收益约2400元/吨，近期锌冶炼成本持续上行，即使考虑副产品收益也接近盈亏平衡。 资料来源：百川盈孚，中邮证券研究所 1.4再生铟：海外再生铟回收技术领先 ◼再生铟是铟供给主要来源，但提纯难度大。 ◼再生铟来源包括废ITO靶材、液晶面板拆解废料、含铟废液等二次资源，常见的提纯方法包括溶剂萃取法、离子交换法、电解法等，但存在回收率低、能耗高、污泥废水等处理难度大等问题。对于技术落后的回收企业，回收的再生铟存在成本高、纯度低、污染多等缺点。 ◼海外企业再生铟回收技术领先。铟的下游用户多集中于欧美、日韩地区，海外企业经过多年的发展和技术积累，具备较强的铟及其化合物的回收、深加工能力，日本对铟的回收率达到了70%。 1.5需求爆发，铟价持续走高 微软/谷歌/亚马逊800G/1.6T光模块订单爆发，磷化铟衬底供不应求，高纯铟溢价明显。出口管制落地，小金属炒作情绪升温。 AI需求爆发，成为新增长极 2.1 ITO靶材是铟的主要应用 ◼精铟整体需求预计稳步增长。根据安泰科《2025年铟市场发展报告》数据，2025年全球精铟消费量为2316吨，2022-2025年复合增长率约为7.31%；根据安泰科预测，未来全球精铟消费量预计将持续增长，2026年和2027年预计分别达到2510吨和2813吨，同比增长8.38%/12.07%。 ◼ITO靶材是铟的主要消费应用，新兴需求逐步发展。从需求结构看，ITO靶材作为全球铟消费的核心支柱，占全球总消费量的近80%，主要用于液晶显示（LCD）、OLED、触控面板等产业链，消费区域高度集中于东亚，其中中国大陆是全球最大的实际消费市场，其次为韩国、日本及中国台湾地区。随着ITO靶材国产化率逐年提升，以及铟在光伏异质结电池及化合物半导体等新兴领域的扩大应用，全球铟的消费结构正在发生深刻变化。 资料来源：安泰科，中邮证券研究所 2.2光模块需求成新增长点 ◼AI资本支出持续增长。2026年以来，全球AI算力建设进入新一轮加速期，根据Gartner预测，2026年全球AI支出将达到2.5万亿美元，其中AI基础设施建设资本支出达1.37万亿，占比54%，较2025年增长41.60%，2027年预计仍将增长27.95%。 ◼光模块需求受益算力规模扩张。算力集群的规模化部署下，GPU之间需要每秒TB级数据交换，普通铜线（电互连）带宽不够、发热大、距离短，光传输带宽大、延迟低、距离远、功耗低，因此只有光模块能满足GPU集群的海量数据互联，下游光模块厂商直接受益AI资本支出扩张。 ◼磷化铟是光模块核心材料。磷化铟作为半导体材料具有优良的电学、光学和热学性能。使用磷化铟衬底制造的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，因此广泛应用于800G、1.6T及3.2T高速光模块激光器、射频器件及光传感器等领域。 2.3 800G、1.6T光模块带动磷化铟需求指数级增长 ◼光模块核心是光电信号的双向高速转换，由电芯片和光芯片构成，其中光芯片根据功能分为：光发射芯片、接收芯片、收发集成芯片、探测器阵列芯片、调制器阵列芯片等等。 ◼磷化铟成为高端光模块的核心底材。800G/1.6T光模块下带宽翻倍、单通道速率翻倍，普通砷化镓/硅材料难以满足调制速率要求，磷化铟具备独特的直接带隙结构，让光电转换效率接近100%，完美适配1310nm、1550nm光纤通信黄金波段，因此800G、1.6T光模块中发射端全面采用磷化铟基EML激光器，硅光方案新增磷化铟CW泵浦芯片；接收端由PIN探测器升级为磷化铟基APD探测器，磷化铟成为高端光模块的核心底材。 资料来源：电子发烧友，中邮证券研究所 资料来源：电子发烧友，中邮证券研究所 2.3 800G、1.6T光模块带动磷化铟需求指数级增长 ◼基于单通道速率，800G光模块大致可分为单通道100G和200G两类，对应8通道和4通道，每条通道涉及发射端EML和接收端APD均需使用磷化铟芯片，硅光方案还需增加磷化铟CW泵浦芯片。单颗800G光模块需要8-17颗磷化铟芯片衬底。 ◼1.6T光模块对应主流为8×200G硅光架构，单位数量与800G硅光方案一致，但芯片面积更大、良率更低，单位带宽磷化铟衬底消耗为800G的2.7–2.8倍，3.2T光模块消耗磷化铟衬底同理进一步增加。 ◼考虑从高纯铟到磷化铟各环节良率，我们测算2030年光模块领域对高纯铟需求量有望达440.69吨，对应精铟需求占总需求比例为15.41%。 磷化铟市场高端垄断，国内企业加速突围 3.1磷化铟产业链 ◼磷化铟作为衬底平台，承载InGaAsP、InAlGaAs等外延材料，进一步做出连续波激光器、DFB激光器、EML、探测器和光子集成芯片，涉及高纯材料制备-多晶合成-单晶生长-晶圆加工多个环节。 ➢高纯材料制备：磷化铟原材料包括高纯铟、高纯红磷，纯度要求至少6N-7N，纯度越高、良率越低。 ➢多晶合成：磷化铟多晶料合成需要将高纯铟和磷在坩埚高温、高压环境中进行合成，高温下磷蒸气压较高，易挥发进而导致材料偏铟富集，In:P比例失衡，后续晶体缺陷、电学不均匀和夹杂都会增加。 ➢单晶生长：在坩埚中融化多晶料，并通过籽晶从上方接触熔体，再向上拉出单晶，晶棒长成后再用X射线定向，之后切片、研磨、抛光，变成InP衬底片，常见的InP尺寸以3英寸、4英寸为主，6英寸仍在高端方向推进。 ➢晶圆加工：在InP衬底上通过MOCVD或MBE等技术生长出具备特定结构与光电特性的单晶薄膜片，即得到光芯片原料InP外延片。 3.2磷化铟行业：需求多点开花 ◼磷化铟需求多点开花，光通信与数据中心领域依旧为核心需求载体，需求占比约68.3%。根据科智咨询研究报告显示，2027年全球数据中心市场将达到1632.5亿美元，2025-2027年CAGR保持在10%以上，据Yole预测数据，2026年全球光模块用磷化铟衬底需求量将达到84.29万片（折合2英寸当量）。除此之外，车载激光雷达、5G/6G通信领域，航空航天及国防领域对磷化铟基光电元件的需求亦保持稳步增长态势。 ◼根据Yole报告数据，2027年全球磷化铟衬底出货量预计将达到128.45万片，市场规模预计将达到2.67亿美元，2025-2027年复合年增长率分别为18.72%和16.7%。光模块器件、传感器件和射频器件的磷化铟衬底市场规模将分别达到2.02亿美元、0.72亿美元和0.17亿美元，占比分别为69%、25%和6%。 资料来源：Yole，中邮证券研究所 资料来源：Yole，中邮证券研究所 3.3磷化铟行业：高度垄断，国内企业加速突围 ◼磷化铟市场呈现高度垄断，日本住友、北京通美（AXT）占据主要市场份额。日本住友电工以60%的市占率领跑，其采用VB法生产4英寸掺Fe半绝缘衬底，技术成熟且良率稳定；美国AXT通过北京通美占据约35%的份额，凭借VGF法实现6英寸InP衬底量产，成本优势显著；加上法国II-VI（聚焦高端外延片，在光通信领域占据