中瓷电子：2025年年度报告

河北中瓷电子科技股份有限公司 2025年年度报告 2026-018 2026年4月 2025年年度报告 第一节重要提示、目录和释义 公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人卜爱民、主管会计工作负责人董惠及会计机构负责人（会计主管人员）马美艳声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 本年度报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述，不代表公司盈利预测，不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。请投资者注意投资风险。 公司请投资者认真阅读本年度报告全文，并特别注意内外部环境政策风险、经营管理风险、市场风险、财务风险、舆情风险等风险因素，具体内容详见“第三节管理层讨论与分析之十一、公司未来发展的展望之（三）风险及应对措施。 公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以451,052,859为基数，向全体股东每10股派发现金红利4.4元（含税），送红股0股（含税），不以公积金转增股本。 目录 第一节重要提示、目录和释义......................................................................................................................................2第二节公司简介和主要财务指标...................................................................................................................................8第三节管理层讨论与分析.............................................................................................................................................12第四节公司治理、环境和社会......................................................................................................................................30第五节重要事项...........................................................................................................................................................46第六节股份变动及股东情况..........................................................................................................................................69第七节债券相关情况....................................................................................................................................................77第八节财务报告...........................................................................................................................................................78 备查文件目录 （一）载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。 （二）载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。 （三）报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 （四）在其他证券市场公布的年度报告。 释义 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点 四、注册变更情况 五、其他有关资料 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构 □适用不适用 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问 六、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据 公司报告期内经审计利润总额、净利润、扣除非经常性损益后的净利润三者孰低为负值 □是否 七、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用不适用公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、分季度主要财务指标 九、非经常性损益项目及金额 适用□不适用 适用□不适用 按照文件规定，本公司土地使用税本期减免42,134.40元，房产税本期减免3,490,453.26元。上述减免影响当期损益的金额计入其他符合非经常性损益定义的损益项目。 公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用不适用 公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目的情形。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 中瓷电子是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。 业务分为两大方面：第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件。 1、第三代半导体器件及模块： 氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。 碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。 2、电子陶瓷材料及元件： 电子陶瓷业务：通信器件用电子陶瓷外壳、工业激光器用电子陶瓷外壳、消费电子陶瓷外壳及基板、汽车电子件、精密陶瓷零部件，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备、低空经济等领域。 氮化镓通信基站射频芯片：分为大、小功率氮化镓通信基站射频芯片两种，覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。 二、报告期内公司所处行业情况 （一）公司所属行业 根据中国证监会公布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于制造业中的计算机、通信和其他电子设备制造业（行业代码：C39）。 （二）公司所属行业基本情况及公司行业地位 1、第三代半导体器件及模块： 第三代半导体产业聚焦技术迭代与产业化深化两大核心方向从高速增长阶段转向高质量发展阶段。氮化镓领域，5G通信行业的发展和应用建设已进入平稳期，5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信等新兴领域发展迅速，为氮化镓行业发展提供了更广阔、更具技术挑战性的增长空间；碳化硅领域，新能源汽车市场快速发展带动碳化硅行业快速崛起，我国已成为了全球碳化硅领域的核心增长市场，同时产能的快速提升也带来了竞争的加剧。当前，国内第三代半导体产业生产企业和国际巨头基本处于同一起跑线，在当前国际环境对我国半导体产业面临技术制约的背景下，第三代半导体产业有望成为突围先锋，带领我国半导体产业实现技术上的追赶。GaN行业技术方面，通过优化外延生长工艺以提升器件性能稳定性，将向高功率、高频段应用场景适配的方向升级；SiC行业技术方面，随着碳化硅衬底和外延产量和质量都有了显著提升、成本急剧降低，产品竞争力显著增强，未来国产碳化硅主驱芯片在应用场景和上游成熟供应链的推动下对标博世、ST、罗姆、英飞凌等国际巨头有望实现超越。国家政策也鼓励第三代半导体产业发展，立足“十五五”时期基本实现社会主义现代化的关键阶段，为加快培育新质生产力、推动电子信息制造业高端化智能化绿色化发展，筑牢制造业高质量发展的物质技术基础，国家在“十五五”规划中明确将集成电路、先进材料等领域作为关键核心技术攻关的重点方向，部署实施一批国家重大科技任务。工业和信息化部等部门紧跟战略部署，印发《电子信息制造业2025—2026年稳增长行动方案》《电子信息制造业数字化转型实施方案》等配套政策，以科技创新与产业融合为核心动力，以筑牢产业链供应链自主安全为目标，明确提出面向5G-A/6G、新能源汽车、数据中心、低空经济、工业互联网等 新兴场景，加大第三代半导体等关键元器件技术攻关力度，推动衬底、芯片、模块全链条突破，同时强化关键材料、设备仪器的自主保障能力，为第三代半导体产业高质量发展提供了坚实的政策支撑与清晰的发展指引。 子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程，在现有业务基础上培育新增长点。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。 子公司国联万众公司是较早开展GaN微波射频芯片、SiC电力电子器件的研究单位之一，现已掌握适用于高温的SiC欧姆接触制作方法、SiC器件非合金欧姆接触的制作方法、SiC肖特基接触的制备方法等多项核心技术，在生产GaN射频芯片、SiC器件产品上已拥有多项专利，其中，发明专利占比81%。公司已将自身核心技术与产品相融合，在提高器件性能的同时，保障了器件的长期可靠性、稳定性和一致性。碳化硅功率产品方面，公司研发生产的SiC电力电子产品已在头部车厂OBC应用实现批量供货，产品性能和可靠性得到用户认可，份额逐年增大。新能源汽车主驱应用也得到多家车企认可，通过性能和可靠性验证。同时，公司布局了风光储应用以及工业应用，产品获得用户认可，形成批量订