英诺赛科交流反馈高压直流HVDC业务公司展示2027年

公司展示2027年用于英伟达800V Rubin Ultra NVL576系统的氮化镓（GaN）方案，单系统搭载10万颗GaN芯片，价值量18万美元；72个计算托盘每个需1244颗GaN芯片（含650V 8颗、100V 116颗、30V 1120颗），另含NVSwitch芯片用量。 技术与竞争：GaN具 英诺赛科交流反馈高压直流（HVDC）业务： 公司展示2027年用于英伟达800V Rubin Ultra NVL576系统的氮化镓（GaN）方案，单系统搭载10万颗GaN芯片，价值量18万美元；72个计算托盘每个需1244颗GaN芯片（含650V 8颗、100V 116颗、30V 1120颗），另含NVSwitch芯片用量。 技术与竞争：GaN具备更低阻抗、更高频率、发热少、功耗低、无源器件体积小等优势，公司认为英伟达大概率采用该架构；凭借规模与技术优势，源头信息加微目标拿下最大市场份额，不惧英飞凌、瑞萨、德州仪器等IDM厂商；对无晶圆厂设计公司不担心，因其从台积电转产其他代工厂存在良率、可靠性与一致性风险。 业绩展望：2026年营收增速有望达60%；规模效应叠加数据中心、汽车、人形机器人收入占比提升，毛利率将显著改善。 产能与盈利：2028-2029年产能达7万片/月；满产后目标毛利率45%-50%，目标净利率25%-30%；消费电子需求疲软可被GaN渗透率提升抵消。