三星电子启动HBM5秘密武器B1b芯片开发凭借

凭借D1c在HBM4开发竞争中实现逆转的三星，这次瞄准HBM5推出“B1b”历经“草图”阶段进入开发阶段……迈入“混合键合”新境界三星电子启动针对第八代高带宽内存HBM5的“B1b”存储芯片开发。 继凭借面向HBM4（第六代）开发的“D1c（1c DRAM）”抢占先机后，三星计划以这一全新 三星电子启动HBM5秘密武器“B1b”芯片开发 凭借D1c在HBM4开发竞争中实现逆转的三星，这次瞄准HBM5推出“B1b”历经“草图”阶段进入开发阶段……迈入“混合键合”新境界三星电子启动针对第八代高带宽内存HBM5的“B1b”存储芯片开发。 继凭借面向HBM4（第六代）开发的“D1c（1c DRAM）”抢占先机后，三星计划以这一全新秘密武器延续在下一代HBM领域的主导权。 据业界8日消息，三星电子即将正式投入HBM5用核心芯片B1b的开发。 该芯片是将10纳米级第5代DRAM “D1b”通过**混合键合（Hybrid Bonding）**技术重新打造的。 三星电子已完成内部规划，于本月初至中旬正式启动开发。 量产阶段研发（P&D）据悉将于明年启动。 正为HBM5开发的B1b基于D1b芯片并应用混合键合技术。 现行DRAM为提升集成度，采用在底部晶体管（开关）之上堆叠电容存储的“堆叠（Stack）”结构。 B1b采用的是不堆叠，而是分别制作位于底部的“单元（Cell）”与周边“电路（Peri）”，再进行贴合（键合）的方式。 判断认为，在调整部分原有底部区域设计后，将经过高温处理的顶部、底部区域贴合，可进一步提升性能。 三星电子已掌握制造400层以上堆叠的第十代（V10）NAND闪存技术，此次是将其应用于DRAM。 之所以不以最新芯片D1c为基础，而是基于D1b芯片进行键合，是因为成本竞争力更高。 用相对廉价的D1b制作B1b，可得到性能优于D1c的芯片。 DRAM技术根据微细化工序分为1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代），据悉三星电子计划将D1c应用于HBM4与HBM4E，在开发及应用B1b后用于HBM5。 DRAM微细化工序直接关系到HBM竞争力。 三星电子在去年确保全新D1c工艺后，加快了此前进展缓慢的HBM4项目，最终在目标时间内完成了量产准备。 上月确定实现全球首个每秒最高1.328Gb数据传输速度的HBM4产品出货，也是出于这一原因。 未来若B1b芯片完成开发，促使三星在HBM5领域确保全球最高的技术与产品，将巩固其HBM市场的垄断地位。 三星电子启动B1b微细化工序的开发，被视为继HBM4之后继续巩固HBM4E、HBM5乃至下一代HBM市场领先份额的重大举动，业界关注度预计会很高。