
1 能效比:传统光模块依赖功耗巨大的DSP进行信号 【华源电子葛星甫团队#熊宇翔】“五力模型”系列之传力—MicroLED光互连:重构近场算力通信的“宽而慢”范式 传力面临瓶颈,在传统通信架构中,随着数据速率的增加,铜互连速度提升情况下传输距离缩短,而光互连的功耗上升,MicroLED光互联的优势在于:能耗低,适应10m以下的距离传输,且对温度不敏感,相较于激光器更加可靠。 1 能效比:传统光模块依赖功耗巨大的DSP进行信号纠错。 MicroLED方案单通道速率控制在2-4Gbps(理论极限20Gbps),可以设置100/400/1200个通道,信号质量优异,可采用纯模拟后端设计,裁撤DSP,功耗仅为1-2 pJ/bit,较传统方案降低约68%。 (来自微软MOSAIC文献)2 可靠性:MicroLED为自发光非相干体系,无激光器谐振腔结构,对环境温度不敏感(-55°C至125°C ),可靠性比传统激光器方案高出100倍。 以上两点可以大幅降低Opex,同时相较于SiPh CPO互联,也可以降低Capex投入。 1 发射端(MicroLED + GaN):采用硅基GaN MicroLED阵列,核心工艺是3μm级超微像素制造以及与CMOS的混合键合。 主要关注往广通信领域发展的MicroLED公司,如#三安光电、#华灿光电2 接收端(CIS):接收端从离散PD演变为高灵敏度CMOS探测器阵列,工艺流程与CIS(图像传感器)封装高度重合,供应链以及技术相对成熟,主要关注CIS公司,如#思特威、#豪威集团、#格科微3 传输:采用多芯成像光纤替代单模/多模光纤,需配套微透镜进行光束准直。 主要关注#长飞光纤、#亨通光电(特殊光纤);#舜宇光学(微透镜设计与精密制造)。 4 封装平台:最优的方案来说,发射/接收端需通过TSV(硅通孔)技术与逻辑芯片实现3D堆叠,属于先进封装。 目前产业处于从实验室到下游应用的环节中,预计产业链量产节点在27年末,率先在AI服务器内部实现对铜缆的替代,解决机柜内布线拥挤与散热瓶颈。 在链主NV、微软等公司推动下,随着MicroLED制造良率提升,以及供应链侧的配合,MicroLED有望集成至CPO(共封装光学)架构中片间互联的核心组件。