AI行业：看好2026年AI产业端云并进大趋势

p人工智能算力需求快速增长带动下，全球晶圆代工行业持续景气。Ø据智库P&S intelligence估计，全球晶圆代工市场2024年的市场规模为1556亿美元，预计2032年将增长至2683亿 美元。台积电预测，其2024至2029年来自AI大芯片领域的营收年复合增长率(CAGR)有望接近50%。ØGPU芯片生产需消耗大量的晶圆代工产能。GPU芯片的面积相比手机SOC和CPU更大，以面积约为810平方毫米的H100为例，单晶圆上的最大芯片数量仅约为65个，而且受制于晶圆生产工艺的单位面积良率制约，实际良品GPU芯片的数量更少。为满足不断增长的需求，台积电已将用于产能扩张的预计资本支出金额，上调至2026年的520-560亿美元。 p在模型训练过程中，HBM、DRAM与NAND分别承担计算态、调度态与存储态的不同角色。 pHBM作为GPU的高带宽工作内存，直接参与模型前向与反向计算，是算力发挥的必要条件；pDRAM位于CPU侧，主要用于数据加载、预处理与缓存，起到解耦I/O与计算、提升GPU利用率的作用；p而NAND则承担训练数据集与模型Checkpoint的长期存储任务，其核心价值在于提供大容量、低成本的存储基础。p三者构成分层协同关系，缺一不可，且在功能上难以相互替代。 pHBM作为GPU的高带宽工作内存，主要承载对延迟极度敏感的热计算态数据；pDRAM用于缓冲与调度非最热状态，显著提升系统并发能力；p长上下文与高并发推理导致KV Cache规模快速膨胀，推理系统通过分层存储架构将容量压力从HBM/DRAM下沉至NVMe SSD层。 l消费级：智能手机端DDR4率先开涨，DDR5x价格后续涨幅有望跟进。 l数据中心：涨幅大，持续性更强。 ØSEMI估计，2025年全球半导体制造设备原始设备制造商（OEM）销售额预计将达到1330亿美元，同比增长13.7%，创下历史新高。其中，Foundry与逻辑芯片相关设备，2025年销售额约同比增长9.8%，达666亿美元；NAND闪存产线相关设备，2025年销售额有望大幅增长45.4%，达140亿美元。DRAM设备2025年销售额预计增长15.4%，至225亿美元。 Ø展望未来，全球半导体设备销售额有望在2026年和2027年继续攀升，分别达到1450亿美元和1560亿美元。中国大陆有望继续保持第一大半导体设备市场的地位，为国产半导体设备、零部件、材料企业带来旺盛的需求。着眼于防范海外供应链风险，国内主要晶圆厂的半导体设备国产化率有望实现稳步提升。 01.AI驱动先进逻辑和存储需求增长 02.国内模型迭代持续，国产算力趋势明确 04.国产算力核心配套，看好先进封装 p大量模型侧更新将加速驱动模型整体商用进度。2026年，国产大模型迭代加速，春节前后国产模型进入发布窗口期，DeepSeek开源OCR2，Kimi发布并开源K2.5，阿里Qwen3-Max-Thinking，百度文心5.0等重量级模型接连发布。此外字节在2月推出三款全新的AI模型，分别为豆包2.0（新一代旗舰大语言模型）、Seedream5.0（图像生成模型）以及SeedDance2.0（视频生成模型），另外阿里同样在春节假期间发布新一代旗舰AI模型Qwen 3.5。 p国产模型快速迭代抢占用户AI交互入口，交互方式也正在被塑造，对应推理侧算力需求有望迎来加速提升。 p根据金融时报2025年12月23日报道，字节已初步规划2026年资本开支1600亿元，高于2025年约1500亿元。此外阿里在2025年云栖大会表示，正在积极推进3年3800亿元的AI基础设施建设计划。云厂商capex持续投入奠定国产算力需求基础。同时，2026年也是推理侧国产超节点上量元年，目前已有大量国产厂商发布新一代超节点方案。华为Atlas 950/960，搭载8192/15488张算力卡，曙光scale x 640、沐曦、昆仑芯、阿里磐久等均有超节点布局。供需两侧双向奔赴，产业链即将迎来放量时点。 p伴随推理侧需求快速提升，大厂自研ASIC性价比凸显，推理阶段的算力需求主要用于对输入数据进行高效预测和分类，对计算精度要求较低，但对计算速度、能效和推理成本等要求较高； p而大厂自研ASIC在有一定量的推理需求支撑下，其定制化的算子和模块设计能针对特定任务进行优化，相较于通用加速芯片能够更加适配各家厂商模型需求，显著降低TCO。 01.AI驱动先进逻辑和存储需求增长 02.国内模型迭代持续，国产算力趋势明确 03.AI服务器架构迭代，驱动AIPCB升级 04.国产算力核心配套，看好先进封装 AI驱动PCB高端化，价值量有望提升 英伟达通过GB200系统将GPU全连接拓扑从8个扩展至72个，实现了显著的性能飞跃。后续推出的Rubin架构进一步升级，计划提供多种机柜规格，如CPX NVL144机柜将在计算托盘（Compute Tray）中增加CPX，并采用高端HDI承载，同时以Midplane PCB中板替代内部线缆；交换托盘（Switch Tray）也应用高多层、高性能材料，推动PCB价值量大幅提升。 此外，英伟达在2025年GTC上展示的Rubin Ultra极端Kyber机架架构可扩展至144个GPU组件（576个芯片），其密度达到GB200 NVL72机架的四倍。这种高度集成化设计在提升性能与空间效率的同时，也将制造的复杂程度推向新的高度。正交背板有望采用超高多层+M9材料等高规格设计，对工艺要求较高，价值量有望实现较大幅度提升。 数据来源：SemiAnalysis官网，财通证券研究所 AI服务器技术升级对覆铜板材料要求提高。GPU用量的提升以及GPU技术升级、多卡互联等要求PCB层数从以往的8~24层提升至28~46层，同时也催生更低损耗等级的覆铜板需求。通用服务器常用的Low Loss级别已经不能满足高速传输速率的要求，需要使用到Very Low Loss，以及Ultra Low Loss材料以降低信号传输损耗。随着Rubin平台渐行渐近，M9材料需求有望增加。 树脂 钻针 铜箔 低介电/Q布 PCB技术升级（如M9等高硬度材料）使钻针磨损急剧加速、寿命大幅缩短，同时因加工要求提升而单价上涨，推动钻针环节量价齐升。目前该领域供不应求，具备技术和产能优势的龙头厂商将核心受益。 新型碳氢树脂已成为M9等顶级覆铜板材料的主流迭代方向，其使用比例和价值量大幅提升；目前该领域由海外企业主导，但国内厂商正加速扩充产能以推动国产化进程。 HVLP4等高阶铜箔的需求激增，推动产品加工价格上涨；目前市场由日企主导，但国内厂商正加速技术研发与产能建设以抢占市场。 低介电常数电子布需求大增，其技术正从LowDK一代布、二代布向性能更极致的石英电子布（Q布）快速演进。后者因其极低的介电损耗等优异特性，有望成为下一代高端材料（如M9）的核心基材。 树脂 铜箔 铜箔作为覆铜板最大的成本构成，其价格走势主要受大宗商品铜价主导。受全球矿端供应扰动及需求回暖影响，铜价震荡上行，2025年，宏观流动性宽松与矿端供应紧缺共振，推动铜价中枢显著上移。铜价运行重心有望进一步抬升。 传统液体环氧树脂的价格在成本线附近呈现区间震荡态势，2025年较前期低位温和回升。其价格走势主要受上游原料（如环氧氯丙烷）成本变动驱动，但因行业本身产能原因，整体价格维持平稳。 覆铜板 玻纤 受消费电子需求复苏和AI算力对高端材料需求的双重驱动，叠加原材料成本持续高企，覆铜板行业正通过顺畅的价格传导机制进行多轮提价，这有望显著提振覆铜板公司营收并驱动未来业绩持续修复。 传统电子纱及电子布各产品均货源紧俏，下游节前提货积极性尚存，需求支撑较强。后续高端产品供不应求状态持续，价格存持续上涨预期，传统电子布供需或继续趋紧，价格仍延续跟涨预期。 01.AI驱动先进逻辑和存储需求增长 02.国内模型迭代持续，国产算力趋势明确 •在算力需求的持续推动下，AI芯片市场规模与占比不断增长。根据TrendForce的预计，从AI芯片在整个先进工艺中的产能占比来看，2022年的占比仅有2%，2024年预计将会达到4%，预计到2027年占比将会达到7%，其对整个晶圆代工产业的产值贡献正在快速增长。据弗若斯特沙利文预测，中国AI芯片市场规模将从2024年的1425.37亿元激增至2029年的1.34万亿元，2025-2029年年均复合增长率53.7%。 •在AI大模型、数据中心、智能驾驶、高端消费电子设备、创新性终端等的强势需求下，全球先进封装产业正迎来前所未有的发展机遇。目前，从凸块、重布线层等基础互连工艺出发，逐步扩展至倒装芯片、晶圆级封装以及2.5D/3D立体堆叠等先进方案，已构建起涵盖异构集成与高密度互连的全方位技术架构。根据Yole数据，全球先进封装市场规模将从2024年的约450亿美元大幅跃升至2030年的约800亿美元，展现出强劲的增长动能。在众多技术路径中，2.5/3D封装技术将以21.71%的复合年增长率（2023-2029）快速发展，成为推动整个行业技术迭代升级的核心引擎。 •CoWoS是AI芯片的核心适配方案。作为台积电主导的2.5D封装技术，CoWoS将HBM存储器与逻辑芯片物理紧邻堆叠在中介层上，距离仅数十微米，显著缩短数据传输距离，带宽可达传统封装的数倍以上，直接提升AI训推速度；同时支持不同制程、功能芯片的异构封装，兼顾性能与成本，还能优化高功率AI芯片的热管理、压缩封装尺寸，搭配低热膨胀系数匹配保障信号完整，精准契合AI芯片的高算力、高效能需求最新的CoWoS-S5技术已将中介层面积拓展至2400mm²，支持8颗HBM3内存与2颗SoC芯片集成，内存带宽高达5.3TB/s。CoWoS作为高端AI芯片的核心先进封装技术，已是AI半导体供应链的关键瓶颈， •AI芯片需求井喷，先进封装供不应求。据《科创板日报》报道，在6月6日的台积电股东常会上，公司表示AI订单需求突然增加，先进封装需求远大于现有产能，公司被迫紧急增加产能。英伟达等HPC客户订单旺盛，客户要求台积电扩充CoWoS产能，导致台积电先进封装CoWoS产能吃紧，缺口高达一至二成。面对产能缺口，台积电正积极扩产以应对新一轮需求浪潮。根据半导体产业纵横数据，目前台积电的CoWoS封装产能大概在每月3.5万片晶圆，约占总收入的7%到9%，到2026年末，月产能将进一步扩大至超过每月9万片晶圆，2022-2026年台积电CoWoS封装产能大概以50%的复合年增长率增长。 •台积电2026年资本开支创纪录，先进封装成战略布局核心。台积电在2025Q4绩后法说会上将2026年资本支出上调至最高560亿美元，较2025年实际支出的409亿美元大幅增长37%，创下历史新高，同时先进封装在其资本开支中的占比达10%-20%，凸显出先进封装在台积电布局中的战略重要性。此外，台积电自身财务状况充裕，具备持续投入的能力，预计未来三年资本支出将明显高于过去三年的1010亿美元，重点支撑AI需求与全球先进制程产能扩张。 •国科微电子、中微半导等接连发布涨价通知，涨价原因明确包含封测费用等成本的持续上涨，封测厂商亦已开启涨价浪潮。据半导体产业纵横，行业龙头日月光的封测报价涨幅将从原预期的5%–10%上调至5%–20%。据半导体产业纵横数据，中国台湾封测厂如力成/华东/南茂等也已启动首轮涨价，涨幅接近30%。行业内厂商称不排除“第二波涨价”评估，封测服务价格中枢持续抬升。本轮封测行业涨价的核心逻辑，在于供需端的结构性错配，叠加黄金、白银、铜等封装核心原材料价格上涨的双重驱动。需求端，数据中心扩容直接提振DDR4、DDR5及NAND芯片的采购需求，而三星、SK海力士等存储巨头为全力扩产HBM大幅倾斜产能，标准型DRAM、NAND芯片的产出因此被持续挤压，旧规格产品供给快速趋紧，进一步推升了国内封测需求；同时工业控制领域完成库存去化后订单稳步恢复，消费电子虽疲软但刚性需求