国内头部代工厂/IDM整体产能利用率维持在较高水平,叠加此前长期的价格下行周期,为此次提价提供背景。具体提价情况如下:
- NCE Power:2025年第三季度上调SGT MOS产品代工价格,并于第四季度向下游客户传导。
- 联合创新(United Nova):2026年1月初通知客户,自2026年1月15日起对8款MOSFET产品提价约(具体幅度视SKU及订单规模而定),MOSFET业务占其总营收30%。
- 另一中国功率/模拟IDM厂商:正就5–10%的产品提价与客户分SKU、分阶段协商。
- 国际IDM厂商:计划自2026年4月起上调功率开关及电源IC价格,主要反映原材料与基础设施成本上升。
行业观点:
- 中国同行有望受益于行业整体定价环境改善,并承接部分未被满足的需求。
- 产品类别:
- MOSFET及AI相关产品:获更多定价红利。
- IGBT及汽车相关产品:价格承压,因汽车应用价格竞争激烈,国内厂商积极抢占市场份额。具体表现为:
- 主流供应商MOSFET价格已呈现上涨;
- IGBT价格虽触底,但尚未迎来实质性提价拐点;
- 碳化硅MOSFET(车用逆变器级)持续快速降价,2026年同比下滑,2027年预计再降。
国际市场对比:
- 日本模拟及分立器件厂商中,部分企业已考虑因原材料成本上涨调价,但尚未因供给紧张驱动涨价。
- 罗姆(ROHM):2025年7–9月产能利用率略高于60%,10–12月略低于60%,显示无明显供给紧张。
- 模拟及分立器件:8英寸BCD/CMOS混合信号工艺平台产能利用率显著提升,主要驱动力来自XX(原文缺失)。
- 分立器件领域:AI服务器功率分立器件需求激增,但供给端仍存余量,未观察到集中式提价行为。
研究结论:
本次结构性提价有望支撑相关公司基本面及估值表现,涉及标的包括联合创新(中性)、华润微电子(中性;由Billy Feng覆盖)及NCE Power(中性),亦给予星宸半导体(StarPower)中性评级。