中国功率半导体代工厂及IDM厂商对部分产品实施了提价

国内头部代工厂/IDM整体产能利用率维持在较高水平，叠加此前长期的价格下行周期，为此次提价提供背景。具体提价情况如下：

• NCE Power：2025年第三季度上调SGT MOS产品代工价格，并于第四季度向下游客户传导。
• 联合创新（United Nova）：2026年1月初通知客户，自2026年1月15日起对8款MOSFET产品提价约（具体幅度视SKU及订单规模而定），MOSFET业务占其总营收30%。
• 另一中国功率/模拟IDM厂商：正就5–10%的产品提价与客户分SKU、分阶段协商。
• 国际IDM厂商：计划自2026年4月起上调功率开关及电源IC价格，主要反映原材料与基础设施成本上升。

行业观点：

• 中国同行有望受益于行业整体定价环境改善，并承接部分未被满足的需求。
• 产品类别：
  • MOSFET及AI相关产品：获更多定价红利。
  • IGBT及汽车相关产品：价格承压，因汽车应用价格竞争激烈，国内厂商积极抢占市场份额。具体表现为：
    • 主流供应商MOSFET价格已呈现上涨；
    • IGBT价格虽触底，但尚未迎来实质性提价拐点；
    • 碳化硅MOSFET（车用逆变器级）持续快速降价，2026年同比下滑，2027年预计再降。

国际市场对比：

• 日本模拟及分立器件厂商中，部分企业已考虑因原材料成本上涨调价，但尚未因供给紧张驱动涨价。
• 罗姆（ROHM）：2025年7–9月产能利用率略高于60%，10–12月略低于60%，显示无明显供给紧张。
• 模拟及分立器件：8英寸BCD/CMOS混合信号工艺平台产能利用率显著提升，主要驱动力来自XX（原文缺失）。
• 分立器件领域：AI服务器功率分立器件需求激增，但供给端仍存余量，未观察到集中式提价行为。

研究结论：
本次结构性提价有望支撑相关公司基本面及估值表现，涉及标的包括联合创新（中性）、华润微电子（中性；由Billy Feng覆盖）及NCE Power（中性），亦给予星宸半导体（StarPower）中性评级。