佰维存储机构调研纪要

调研日期: 2026-01-19 深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年,专注于存储芯片研发与封测制造,是一家国家级高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业,并获得了国家大基金的战略投资。公司整合了存储器研发设计、固件算法开发、先进封装、测试设备研发与算法开发、品牌运营等,构建了研发封测一体化的经营模式,产品广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等信息技术领域。公司荣获国家级“专精特新小巨人企业”、“国家高新技术企业”、“十大最佳国产芯片厂商”、“广东省复杂存储芯片研发及封装测试工程技术研究中心”、“省级重点IC项目(佰维惠州科技园区,2018年)”、“深圳知名品牌”、“海关AEO高级认证企业”等称号,并获得了“中国IC设计成就奖年度最佳存储器”、“全球电子成就奖年度存储器”等荣誉。 Q1. 公司的晶圆级先进封测制造项目目前建设进度如何?规划的产能规模多大?预计何时可以贡献收入? A1:公司位于东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目整体进展顺利,目前正按照客户需求推进打样和验证工作。公司预计2026年底晶圆级先进封测制造项目月产能将达到5000片,预计2027年底月产能将达到1万片,并预计将于2026年年底开始贡献收入,能够为客户提供"存储+晶圆级先进封测"一站式综合解决方案,进一步提升公司在存算整合领域的核心竞争力。 Q2. 公司如何看待当前存储行业景气度的持续性?目前存货情况如何? A2:NAND Flash方面,TrendForce集邦咨询预测产品价格在2026年第一季度持续上涨33-38%。DRAM方面,TrendForce集邦咨询预测一般型DRAM价格在2026年第一季度继续上涨55-60%。目前存储价格持续回升,叠加AI眼镜等新兴应用需求旺盛,从当前时点来看,景气度仍会持续。公司积极备货,目前库存较为充足。 Q3. 公司的晶圆级先进封测制造项目构建了哪些技术能力与产品线? A3:公司已构建覆盖Bumping、Fan-in、Fan-out、RDL等晶圆级先进封装技术,目前主要规划两大类产品线,分别是应用于先进存储芯片的 FOMS 系列,以及先进存算合封CMC系列。公司已推出使用FOMS-R工艺的超薄LPDDR产品,可应用于端侧AI手机,满足AI端侧产品对大容量存储的需求。公司CMC产品包含"1+6"、"2+8"方案,其中"2+8"方案可支持3.1-3.2倍光罩尺寸,用于连接计算芯片及大容量存储。公司晶圆级先进封装技术可以满足新时代对大容量存储和存算合封的需求,主要适用于AI端侧(AI PC、具身智能、AR/VR眼镜)、AI边缘(智能驾驶等)领域。 Q4. 公司2025年第四季度业绩大幅增长的主要原因有哪些? A4:SanDisk在2025年11月发布涨价函,其NAND闪存合约价格大幅上调50%,2025年第四季度产品市场价格持续提升。存储涨价属于行业利好,公司亦受益于价格提升。同时,公司面向AI新兴端侧领域的高价值产品持续批量交付,公司出货产品结构持续优化,公司的 营业收入和利润大幅改善。 Q5. 公司做晶圆级先进封装,与传统的封装服务相比有什么差异化竞争优势? A5:公司通过"高性能存储+晶圆级封测"的垂直整合能力,构建差异化竞争优势:1)技术协同:存储芯片研发与封测技术形成双向赋能,公司拥有独立的设计仿真团队,可针对客户需求定制产品方案,缩短产品开发周期,在交期、成本上形成优势,获得客户高度认可;2)客户协同:存储+先进封测服务在AI端侧、自动驾驶等领域客户重合,形成业务闭环;3)价值提升:公司的服务模式,相较于提供单一的存储解决方案或者先进封测服务,具备综合的竞争力;公司提供的综合解决方案的价值量相比单独的先进封测服务,具有显著的放大效应。 Q6. 目前存储价格持续上涨,如何展望公司2026年的发展? A6:从当前来看,存储产品价格在2026年第一季度、第二季度有望持续上涨。在供应方面,公司积极备货,目前库存较为充足。公司与 全球主要存储晶圆原厂继续签订LTA(长期供应协议),公司北美客户亦积极与原厂沟通,帮助公司锁定原厂产能,有效保障关键原材料的稳定供应。在产品方面,公司预计2026年AI眼镜等高价值AI端侧产品将持续放量,有助于公司稳定毛利率水平;预计2026年智能汽车产品收入有望大幅提升。公司产品目前已进入手机、PC领域头部客户,2026年公司将持续提升自研主控的出货占比,为提升存储解决方案的核心竞争力提供坚实保障。 Q7. 公司先进封装的良率和毛利率能够做到多少?目前已经与哪些客户接触? A7:目前公司先进封装良率已达 95%以上,预计先进封装业务综合毛利率约为30%-40%。公司技术路线在国内具有竞争优势,在存储和计算整合封测领域具备较强的竞争力,公司已与多家知名客户展开沟通,并获得认可和反馈。 Q8. 公司自研的存储测试设备具有怎样的核心竞争力? A8:公司在NAND Flash及DRAM存储芯片领域的ATE测试、Burn-in(老化)测试、SLT(系统级)测试等多个环节,拥有从测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动化软件平台开发的全栈测试开发能力,并处于国内领先水平。其中,针对Burn-in测试环节,公司推出的创新老化测试系统,可以满足NAND、DRAM及PCRAM(相变存储器)等多种存储器测试需求;针对DRAM的可修复老化测试系统,可以满足存储原厂对DDR 4、DDR 5、LPDDR4X、LPDDR5X的老化测试需求。通过测试设备的全面自主开发,公司有效保障了在NAND Flash类存储芯片、DRAM类存储芯片等领域的测试能力。同时,通过多年产品的开发、测试、应用循环迭代,公司在上述自主平台上积累了丰富多样的产品与芯片测试算法库,有效保障了存储芯片的交付质量,提升了公司整体解决方案的竞争力。