2.5D封测厂商产能梯队与扩产
国内2.5D封测厂商按批量生产进度、产能状况及商业化进展分为三个梯队：
- 第一梯队：和盛（120万颗/年COMS产能）、通富（30万颗/年2.5D COMS产能），均以硅中间层（Cross-S）为核心工艺，已实现商业化。
- 第二梯队：长电、华天、永锡、华进半导体、珠海天成先进等，整体处于实验线或量产线建设阶段，长电、华天正推进量产线扩产，其余厂商多处于中试线阶段。
- 第三梯队：擦边布局厂商，如太极、日月星等，未布局全流程产线，聚焦FCBA（OS段工艺）。
CoWoS工艺与产能测算：CoWoS工艺分为COW和OS段，当前主流产品为1个SOC+4个HBM或1个SOC+6个HBM，单Interpulse晶圆可对应25-30颗成品芯片。国内2.5D CoWoS总产能已达200万颗/年，若国内客户需求全部落地，当前产能供大于求。
厂商扩产计划：头部封测厂商扩产计划明确，整体产能将持续提升。和盛预计2026年底扩至180万颗/年；通富预计2026年底扩至近100万颗/年；长电预计2026年底扩至50万颗/年；华天预计2026年底达50万颗/年。第二梯队中除长电、华天外，其余厂商扩产意愿偏保守。
2.5D封装布局核心难点
- 布局决策与回报周期：布局2.5D封装的核心难点在于战略决策推进与长回报周期的接受度。传统先进封装厂相对易做出布局决策，其他厂商需明确契机，且2.5D封装投资回报周期普遍需3-4年。
- 技术实现与人才获取：技术实现与人才获取可行性较高，难度相对较低。大陆封装厂无需自主完成TSV环节，仅CMP环节是新增技术，其余工艺均有接触基础，人才渠道较为充足。
2.5D封装设备需求与国产化
- 设备资本开支测算：年规模百万颗的2.5D封装生产线整体资本开支约10亿元，其中核心工艺设备约8亿元，厂房及配套设施约2亿元。
- 各环节设备国产化现状：
- PVD物理沉积：国产化率70%。
- 涂胶显影机：国产化率100%。
- 光刻设备：国产化率100%。
- 电镀设备：国产化率50%。
- 3D AOI检测设备：国产化率30%。
- 研磨切割设备：国产化率30%。
- CMP化学机械抛光：国产化率100%。
- 干法刻蚀：国产化率100%。
- PECVD化学气相沉积：国产化率100%。
- COW固晶机：国产化率70%。
- 晶圆级塑封设备：国产化率0%。
- FCBGA固晶机：国产化率70%。
- Final Test测试机：国产化率0%。
- 设备价值量优先级：光刻设备与电镀设备处于第一梯队，总投入金额相当，均为设备投资的核心方向。
2.5D封装材料国产化情况
- 核心材料国产化现状：
- PVD钛铜靶材：国产化率达100%。
- 光刻胶（PR胶）：国产化率仅10%以内。
- 显影液：国产化率为10%。
- 电镀液：金电镀液国产化率0%，锡银混合电镀液、镍电镀液国产化率达50%以上。
- PSPI（光固化胶）：国产化率10%以内。
- CMP抛光液（Slurry）：国产化率达50%。
RDL光刻技术应用与趋势
- RDL光刻技术应用现状：CoWoS-L正在推进LDI技术的相关验证，CoWoS-S尚未应用该技术。LDI技术可满足2微米线宽需求，但未来若需实现亚微米级线宽要求，目前技术无法达标，需技术升级。
封测服务价格变动情况
- 封测服务涨价幅度与原因：国内几大封装厂跟进涨价，核心驱动因素为上游前端或工装耗材等材料成本上涨。封装服务普遍涨价10%-20%，不同细分品类存在差异：
- 存储类（DRAM、NOR Flash）：涨价30%。
- 消费电子类：涨价约20%。
- 风力器件、其他类型工装相关的封测服务：涨价10%-20%。
碳化硅中介层应用前景
- 碳化硅中介层优劣势与挑战：认可碳化硅替代硅中介层的整体逻辑，但从技术与供应链层面来看，其大规模应用诸多挑战。技术加工层面，TSV加工工艺复杂，对设备及工艺要求极高；供应链层面，12寸碳化硅晶圆制备难度大，若仅能供应8寸或4倍8寸规格产品，将难以匹配现有设备需求。
