东吴电子先进封装专家线上小范围交流电话会20260118

封测厂商产能梯队与扩产 • 封测厂商产能梯队划分：国内2.5D封测厂商可按批量生产进度、产能状况及商业化进展分为三个梯队。第一梯队为20 25年实现批量生产并形成一定营收的厂商，仅包括和盛、通富：和盛具备120万颗/年的COMS产品产能，通富拥有30万颗/年的2.5D COMS封装产能，二者均以硅中间层（Cross-S）为核心工艺，已实现商业化落地。第二梯队涵盖长电、 华天、永锡、华进半导体、珠海天成先进等厂商，整体处于实验线或量产线建设阶段：长电、华天进度靠前，正推进量 产线扩产，从10万颗/年的规模向更高产能迈进；其余厂商多处于中试线阶段，以Q2S-S工艺为主，主要参与头部客户项目开发，扩产意愿偏保守。 东吴电子|先进封装专家线上小范围交流电话会参会者：东吴研究员+行业专家1、 封测厂商产能梯队与扩产 封测厂商产能梯队划分：国内2.5D封测厂商可按批量生产进度、产能状况及商业化进展分为三个梯队。第一梯队为20 25年实现批量生产并形成一定营收的厂商，仅包括和盛、通富：和盛具备120万颗/年的COMS产品产能，通富拥有30万颗/年的2.5D COMS封装产能，二者均以硅中间层（Cross-S）为核心工艺，已实现商业化落地。第二梯队涵盖长电、 华天、永锡、华进半导体、珠海天成先进等厂商，整体处于实验线或量产线建设阶段：长电、华天进度靠前，正推进量 产线扩产，从10万颗/年的规模向更高产能迈进；其余厂商多处于中试线阶段，以Q2S-S工艺为主，主要参与头部客户项目开发，扩产意愿偏保守。第三梯队为擦边布局的厂商，未布局全流程产线，多聚焦FCBA（OS段工艺），涉及GP U、消费类电子等领域封装，包括太极、日月星等众多大陆企业，仅围绕部分环节布局，未形成全流程能力。 CoWoS工艺与产能测算：CoWoS工艺采用两段式结构，分为COW和OS段：COW段涉及前道设备技术或JSV加工环节，OS段即FCBA封装形式，与消费类产品、CPU、GPU的封装形式一致。产能可通过晶圆加工量换算，当前主流Co WoS产品为1个SOC+4个HBM或1个SOC+6个HBM，单Interpulse晶圆可对应25-30颗成品芯片。以此测算，和盛120万颗/年的产能对应约5万多片晶圆的加工量，换算逻辑清晰。目前国内2.5D CoWoS总产能已达200万颗/年， 若国内客户的封装需求全部落地于国内厂商，当前产能供大于求，可充分满足市场需求。 • 厂商扩产计划与非传统厂商：头部封测厂商扩产计划明确，整体产能将持续提升：和盛现有产能150万颗/年，2025年实际产出120万颗/年，产能利用率较高，预计2026年年底扩至180万颗/年；通富现有产能50万颗/年，规划2026年年底扩至近100万颗/年；长电现有Cross工艺产能30万颗/年，预计2026年年底扩至50万颗/年；华天目前产能在10万颗/年以内，正推进产线建设，规划2026年年底达50万颗/年。第二梯队中除长电、华天外，其余厂商扩产意愿偏保守，无明确扩产动作。非传统封测厂商如百维仅聚焦OS段工艺，未采用封测厂的全流程模式，汇成未涉足2.5D封装全流程布局，整体进展缓慢。当前国内2.5D CoWoS总产能为200万颗/年出头，预计2026年年底一二梯队产能合计将接近300万颗/年。 2、 2.5D封装布局核心难点 布局决策与回报周期难点：布局2.5D封装的核心难点在于战略决策推进与长回报周期的接受度。传统先进封装厂如长电、华天、通富等因产品多元化、客户群体与2.5D封装线匹配度高，且年度资本开支充足，具备提前规划先进技术的 常规基础，相对易做出布局决策；其他厂商则需明确契机，结合资金、客户基础或现成项目等条件，确认足够确定性， 才能说服各方推进布局。此外，2.5D封装投资回报周期显著长于传统封测项目，从研发到形成营收普遍需3-4年，期间还要经历研发、良率提升等关键环节。典型案例中，和盛从2019年底启动布局到2022年形成营收，周期约3年；通富从2021年上半年到2023年形成营收，周期约2年，行业整体周期维持在3-4年，长回报周期是核心挑战之一。 技术实现与人才获取分析：2.5D封装的技术实现与人才获取可行性较高，难度相对较低。技术层面，2.5D封装是集成式先进封装技术，需掌握邦定工艺、RDL工艺、FCBJ工艺以及TSV相关能力，但大陆封装厂无需自主完成TSV环节，仅CMP环节是传统封装未涉及的技术，其余工艺均有接触基础，因此头部封装厂如长电、华天、通富、永熙等，以及 模组端企业如汇成、百维等，均具备技术实现基础。人才获取方面，无需依赖从台积电挖人，大陆地区有大量日月光的 台湾团队可挖掘，同时长电、通富等头部封测厂也有不少人才流出参与先进封装建设，人才渠道较为充足。整体来看， 只要具备一定先进封测经验，技术实现难度较低，核心仍在于决策与回报周期的考量。 3、 2.5D封装设备需求与国产化 设备资本开支测算：a. 2.5D封装产能与资本开支存在明确对应关系，当前通富、盛合等企业核心建设目标为年规模百万颗的2.5D封装生产线；b.该规模全流程生产线整体资本开支约10亿元人民币，其中核心工艺设备投入约8亿元人民币，厂房及水汽处理等配套设施投入约2亿元人民币；c.产能与晶圆加工量换算清晰：年100万颗2.5D封装产能对应年约4万片晶圆加工量，月加工量约3-4千片；此前也有月产1000件对应年1万多片的测算方式，测算方式可灵活 调整。 各环节设备国产化现状：2.5D封装对设备的需求主要体现在两方面：一是设备升级，传统先进封装多采用解析力2微米的GI线光刻设备，2.5D封装需升级为解析力0.8微米的TLF光刻设备，同时新增填道设备；二是设备需求量增加，Chi plet为多芯片组合产品，1+4、1+6等规格会增加固晶机等设备使用次数，双面工艺会提升PVD、光刻等设备使用频次，且RDL或bump密度提升延长电镀机使用时间，共同推动设备需求增长。目前2.5D封装设备整体国产化率已达50%以上，各环节具体情况如下：a. PVD物理沉积：国产化率70%，核心国内供应商为北方华创，研发线曾采用Eva Tech、爱发科、AMAT等进口品牌，当前量产线已大量切换国产设备；b.涂胶显影机：国产化率100%，供应商为芯源微、上海盛美，当前扩产线均采用国产设备，此前研发线多使用日系Tel；c.光刻设备：国产化率100%，供应商为上海微电子（新上微装），研发线曾选用尼康、佳能，当前2.5D量产线已全面国产化；d.电镀设备：国产化率50%，国内供应商为上海盛美，北方华创处于验证阶段，进口品牌主要为美国LAMPresearch；e. 3D AOI检测设备：国产化率30%，国内供应商为中科飞测、瑞丽等，进口主流品牌为以色列Camtek；f.研磨切割设备：国产化率30%，国内供应商为宁波新丰、沈阳和颜、晶创先进等，另有腾盛、麦维股份等企业在做Demo，进口主流品牌为Disco、东京精密；g. CMP化学机械抛光：国产化率100%，核心供应商为华海清科，此前研发线多采用美国应用材料；h.干法刻蚀：国产化率100%，核心供应商为中微公司，此前多采用AMAT、SPTS；i. PECVD化学气相沉积：国产化率100%，供应商为沈阳拓荆、北方华创，此前多采用AMAT；j.COW固晶机：国产化率70%，国内以北京华丰为主，还有微见智能、普莱信等，进口品牌为Base、SMPT、新川等；k.晶圆级塑封设备：国产化率0%，当前主要采用日本TOWA、山田机电，国内安徽维一科技、麦维股份等处于Demo阶段；l. FCBGA固晶机：国产化率70%，国内供应商包括华丰、普莱信、微见智能、快克股份等，进口品牌为BASIC、SNPT、新川等；m. Final Test测试机：国产化率0%，主流进口品牌为日本爱德万（占比70%以上）、美国泰瑞达（占比10-20%），国内华峰测控等处于Demo阶段。 设备价值量优先级分析：从扩产资金投入规模看，2.5D封装设备价值量优先级中，光刻设备与电镀设备处于第一梯队， 总投入金额相当。光刻设备方面，当前公装领域除上海微电子外，国内暂无其他具备较强竞争力的供应商，设备依赖度 较高；电镀设备方面，国内仅有盛美和北方华创具备供应能力，且产品价格相较于国外品牌优势不明显。两类设备在2. 5D封装生产线设备投资中占比最高，是企业扩产时资金投入的核心方向。 4、 2.5D封装材料国产化情况 • 核心材料国产化现状：2.5D封装流程涉及多种核心材料与耗材，各品类国产化率差异显著，具体情况如下：a.PVD钛铜靶材：作为封装前端关键耗材，目前国产化率达100%，国内核心供应商为江丰和有研，下游厂商可按需选 择，已实现完全进口替代。 b.光刻胶（PR胶）：用于涂胶显影工艺，适配2.5D封装中RDL、micro bump、高bump等工艺需求，整体国产化率仅10%以内。进口品牌占据主导，主要为默克、日本TOK、JSR等；国内仅同诚新材、南大光电可供应适配RDL工艺的薄胶产品，bump、UBM等工艺所需的厚胶基本依赖进口。 c.显影液：与光刻胶配套使用，供应体系与光刻胶高度绑定，国产化率为10%。进口端默克、JSR、富士等品牌均搭配 自有光刻胶提供配套显影液；国内南大光电、同诚新材拥有匹配自身光刻胶的显影液，但受光刻胶低国产化率限制，市 场份额较低。 d.电镀液：按金属成分分为金电镀液、锡银混合电镀液、镍电镀液三类，国产化进程差异明显：金电镀液国产化率0%，全部采用日系品牌；锡银混合电镀液、镍电镀液国产化率达50%以上，国产化替代已见进展。 e. PSPI（光固化胶）：属光刻性质耗材，国产化率10%以内。国内主要供应商为安吉、波米新材料，鼎龙虽有布局， 但尚未在公装领域应用，整体国产化程度较低。 f. CMP抛光液（Slurry）：用于电镀后抛光工艺，国产化率达50%，国内核心供应商包括安吉、新阳、鼎龙。其中氧化硅类抛光液以安吉为主，硅类抛光液以新阳为主，鼎龙作为后来者份额较小；进口品牌为Carbo、Fujimi，占据剩余市 场。 5、 RDL光刻技术应用与趋势 • RDL光刻技术应用现状：先进封装主要包含CoWoS、WLP晶圆级封装、2.5D/3D三种类型，不同封装对技术需求存在差异，其中WLP晶圆级封装解析力最差，通常为15厘米左右。当前CoWoS-L正在推进LDI技术的相关验证，而CoW oS-S尚未应用该技术。CoWoS-L选择LDI进行验证，源于其同步线或中介层由封装厂制作，线宽线距要求相对宽泛；不过目前验证过程中发现，LDI技术的加工效率并不高。从需求匹配来看，国内当前相关项目的同步线RDL线宽约为2微米，与消费电子水平相当，LDI技术可满足该规格需求；但未来若需实现亚微米级（如0.8微米）的线宽要求，目前国内乃至国际品牌（如奥宝收购的QLA）的LDI技术均无法达标，届时会出现解析力失真、带宽失真、锯齿等问题，技术升级需求迫切。当前LDI技术暂在AR、AL领域开展验证，仅适配2微米线宽的RDL规格。 6、 封测服务价格变动情况 封测服务涨价幅度与原因：全球及国内大型封装厂均出现涨价情况，国内几大封装厂同样跟进。其中大陆地区封装厂涨 价幅度与产能关联度较低，核心驱动因素为上游前端或工装耗材等材料成本上涨；台湾地区或其他地区封装价格变动多 由产能问题引发，存在一定波动。 从涨价幅度来看，封装服务普遍涨价10%-20%，不同细分品类存在差异：a.存储类（DRAM、NOR Flash）封测因叠加产能紧张与材料涨价双重因素，普遍涨价30%；b.消费电子类（如手机相关器件、DDIC驱动等）封测受材料成本上 涨影响，部分叠加3 OS生产线产能吃紧问题，涨价幅度约20%，略高于普遍水平；c.风力器件、其他类型工装相关的封测服务，涨价以材料成本上涨为主要驱动，幅度维持在10%-20%区间。 7、 碳化硅中介层应用前景 • 碳化硅中介层优劣势与挑