AI浪潮驱动存储量价齐升，国产设备迎黄金替代机遇

半导体 证券研究报告 行业深度分析报告/2026.01.04 存储芯片与设备行业专题报告 投资评级:看好(维持) 核心观点 AI需求带动存储器芯片需求：自2024年起，AI与服务器领域的DRAM消耗量大幅增长。这一趋势预计将持续，到2026年占DRAM总产能的比例将达到66%。AI与服务器对DRAM的消耗不再局限于HBM和DDR5，还正拓展至LPDDR和图形DRAM领域。 需求旺盛，供不应求导致存储器价格飙升：TrendForce数据显示，2025年第三季度，DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8%。涨势在第四季度持续发酵，甚至一度导致三星、SK海力士、美光等原厂暂停DDR5合约报价，市场陷入极度紧张状态。2025年下半年，LPDDR的整体价格涨幅超50%。 分析师王雨然SAC证书编号：S0160524120003wangyr01@ctsec.com 中国存储产业的双引擎奋力破局：全球存储市场集中度较高，竞争格局较为稳定，三星、SK海力士、美光等厂商稳居前列；国产存储芯片企业奋起直追。DRAM芯片龙头长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应，出货量有望逐步攀升。国产NANDFlash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。据Counteropint预测，长鑫存储于2025年7月正式启动上市辅导，积极融资。长鑫存储2025年DRAM出货量将同比增长50%，其全球出货量份额预计从2025年第一季度的6%提升至第四季度的8%。 分析师唐佳SAC证书编号：S0160525110002tangjia@ctsec.com 相关报告 1.《瞄准尖端技术，中国半导体制造迈入新阶段》2025-02-172.《海外半导体设备企业市值回落，国内仍具较大进口替代空间》2024-11-203.《行业复苏分化加深，静待需求回暖》2024-11-07 ❖外部限制措施不断强化：美国自2022年以来，通过多轮规则限制对华出口先进半导体制造设备及相关技术。日本政府亦于2025年将涉及先进半导体制造设备的21个物项纳入出口管制；海外限制措施不断强化，驱动国内存储器晶圆厂转向国产设备。 ❖国内上市公司积极推进国产设备研发：中微公司刻蚀设备、LPCVD等新产品取得持续进展。北方华创2025年上半年完成收购芯源微，完善了在半导体装备领域的产品线布局。拓荆科技的先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，逐步进入规模化量产阶段。中科飞测的核心量检测设备已进入国内多家头部客户产线，并实现小批量出货。这些上市公司及更多其他国内公司有望在长江存储、长鑫存储未来的扩产中取得更多订单。 ❖投资建议：建议关注中微公司、北方华创、拓荆科技、中科飞测、华海清科、芯源微、富创精密等半导体领域企业。 ❖风险提示：存储器需求不及预期；技术研发不及预期；海外供应链风险。 内容目录 1存储芯片需求快速增长，推动全球扩产.......................................................................41.1存储市场需求复苏稳健，存储价格持续上涨.............................................................41.2存储芯片短期缺货加剧，有价无市，企业需求迫切....................................................51.3AI与服务器时代来临，资本支出增加......................................................................52新技术推动存储芯片制造工艺不断升级.......................................................................62.14F2与CBA......................................................................................................62.23D NAND与3D DRAM.....................................................................................82.3HBM...............................................................................................................103国内晶圆厂介绍....................................................................................................114国产上市公司积极推进国产设备研发.........................................................................135投资建议：..........................................................................................................156风险提示.............................................................................................................15 图表目录 图1：DRAM市场周期性规律....................................................................................4图2：2025/2026各内存产品价格预测........................................................................4图3：2025/2026各闪存产品价格预测........................................................................5图4：存储器资本开支...............................................................................................6图5：DRAM存储单元尺寸逐渐缩小...........................................................................7图6：创新的CBA架构实现横向尺寸缩减....................................................................7图7：从2D NAND到3D NAND...............................................................................8图8：3D NAND架构...............................................................................................8图9：DRAM未来技术路线展望图..............................................................................9图10：3D DRAM结构图.......................................................................................9图11：3D DRAM原理图.......................................................................................9图12：HBM结构的CoWoS先进封装.....................................................................10图13：美光HBM3E结构示意图.............................................................................10 图14：长鑫存储工艺水平不断进步...........................................................................11图15：长鑫存储...................................................................................................12图16：长鑫存储产品DDR5系列产品.......................................................................12图17：长江存储...................................................................................................12图18：长江存储SSD产品.....................................................................................12图19：中国大陆存储器产业链公司示意图..................................................................13图20：中微公司Primo UD-RIE刻蚀设备................................................................14图21：北方华创12英寸等离子体深硅刻蚀机.............................................................14 1存储芯片需求快速增长，推动全球扩产 1.1存储市场需求复苏稳健，存储价格持续上涨 存储芯片作为半导体行业的核心分支，其价格波动具有显著的周期性，主要受供需关系、技术迭代及下游应用需求变化驱动。2023、2024年，受全球宏观经济弱复苏、消费电子需求疲软及库存去化压力影响，存储芯片市场经历了一轮价格疲软期；而2025年，随着生成式AI技术的爆发式应用，AI服务器、企业级存储等高端场景对存储芯片的需求激增，叠加供给端扩产谨慎，存储芯片价格迎来全面暴涨。 数据来源：Yole，财通证券研究所 旺盛的需求带动存储产品平均售价持续上扬，存储市场产值上涨。DRAM的增长主要由服务器市场驱动，尤其是北美云服务提供商（CSPs）的订单稳步增加。得益 于AI服务 器的 快 速部 署 ，2026年 的需 求量 增 长预 期已 被上 调 。根 据TrendForce预测，2026年DRAM的平均售价有望同比增长58%。 各类DRAM产品价格走势源于供需的周期性错配与技术迭代的结构性转换。2025年上半年，需求温和复苏而供应增长滞后，价格开始小幅爬升。进入下半年， AI服务器、新设备换机潮带动DDR5/LPDDR5X等高性能内存需求爆发，同时产能加速向新技术迁移，导致DDR4等成熟产品出现结