一、AI存储周期深度分析：缺货涨价持续，2027或有转折点
- 三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘（HDD）容量大、价格低但体积大、速度慢；DRAM读写速度快但数据易丢失、价格高；闪存（NAND Flash）读写速度快、数据不易丢失、价格较高。
- 硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NAND Flash规模均超$600亿。历史数据显示，机械硬盘市场规模和竞争格局稳定，但自身瓶颈难以突破，AI浪潮唤醒“冷数据”转“温热数据”，SSD大敌崛起。
- 数字存储的演进符合摩尔定律，每18个月存储单位价格下降1/2。存储芯片供需格局紧张，预计25Q4 DRAM/NAND价格均环比提升，有望创历史新高。
- 存储供需周期分析：据测算，2025年DRAM位元供给/需求增速将分别达+23%/+26%，供需充足率为-5%，价格有望上涨；2026年供需充足率将进一步加剧，价格有望上涨；2027年供需充足率有所放松，价格上涨趋势将存在挑战。NAND Flash方面，2025年供需紧平衡，价格有望上涨；2026年供需紧平衡状态进一步收紧，价格有望上涨；2027年供需紧平衡状态有所放松，价格上涨趋势将存在挑战。
- 存储供给未来周期图：各原厂积极扩产HBM，25年资本开支预计高于原计划。需求侧，AI服务器存储量价齐升，AI算力催化HBM需求激增；AI手机/AI PC对存储需求升级，单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长。
二、投资建议及风险提示
- 端侧AI一触即发，拥抱第四次工业革命，关注AI产业链相关公司。端侧AI产品加速发布，处理器和内存是两大核心变化点，存储芯片领域有望持续受益。相关公司包括江波龙（大容量存储）、澜起科技（存储接口芯片）、长电科技（先进封装）等。
- 手机和PC需求温和复苏，看好“困境反转&龙头低估”企业。手机和PC等消费电子弱复苏，半导体龙头公司在行情来临时，有望获得较好的Beta收益。相关公司包括纳芯微（汽车模拟芯片）、卓胜微（射频前端芯片）、韦尔股份（CMOS传感器）等。
- 风险提示：下游需求不足风险；地缘政治风险；核心竞争力风险；估值风险等。
