美光科技（MU）FY2026Q1 业绩点评及业绩说明会纪要

证 券 研 究 报告 美光科技（MU）FY2026Q1业绩点评及业绩说明会纪要 会议时间：2025年12月18日 各业务单元均创营收记录，毛利率大幅超过指引上限 会议地点：线上 事项： 华创证券研究所 2025年12月18日，美光科技发布FY26Q1报告，并召开业绩说明会。评论： 证券分析师：岳阳邮箱：yueyang@hcyjs.com执业编号：S0360521120002 1.总体业绩情况：25Q4（即FY26Q1）实现营收136.43亿美元（QoQ+20.6%，YoY+56.7%），高于指引中值（指引中值为125亿美元）。FY26Q1，公司总营收、DRAM和NAND营收、HBM和数据中心营收以及各业务部门营收均创纪录。公司DRAM和NAND营收创下新高得益于终端市场强劲需求推动的出货量增长，以及行业DRAM和NAND供应紧张、定价策略有效和产品组合优化推动的产品价格提升。FY2026Q1的Non-gaap毛利率为56.8%（QoQ+11.1pct，YoY+17.3pct），超过指引区间上限（指引为51.5%上下浮动100个基点），主要得益于更高的定价、有效的成本控制以及有利的产品组合。2.数据中心市场预期及进展情况：公司FY2026Q1数据中心业务部门营收创下 证券分析师：吴鑫邮箱：wuxin@hcyjs.com执业编号：S0360523060001 联系人：卢依雯邮箱：luyiwen@hcyjs.com 24亿美元的历史新高，占公司总营收的17%。整体市场方面，得益于AI数据中心建设进入大规模扩张阶段，公司预计2025年服务器市场出货量增长率将接近20%，且2026年强劲增长势头延续。HBM方面，公司HBM4产品具备业界领先的11Gbps以上速度，采用自主设计制造的先进CMOS和可视化工艺技术，结合独特的设计、封装及测试能力，实现性能与低功耗双重领先，预计2026Q2高良率量产，与客户产品量产计划保持同步。LPDRAM方面，公司率先在数据中心部署低功耗DRAM，相关服务器模块功耗仅为DDRDRAM服务器模块的三分之一。公司新推出的192GB LP SOCAMM2产品样品使单个模块容量提升50%，机架级LPDRAM密度超50TB，巩固技术领先地位。NANDSSDs方面，公司数据中心NAND产品组合FY2026Q1收入超10亿美元，SSD产品组合增长势头强劲。公司推出全球首款采用G9 NAND技术的PCIe Gen6SSD，认证订单快速增长，基于G9 NAND的主流存储SSD需求旺盛，122TB和245TB QLC G9 SSD正在多家超大规模数据中心客户处推进认证。3.其他终端市场：（1）PC：公司预计2026年的PC市场出货量将实现高个位 相关研究报告 《英伟达（NVDA）FY26Q3业绩点评及业绩说明会纪要：业绩与指引双双超预期，GB300+Rubin系列5000亿美金在手订单清晰可见》2025-11-21《应用材料（AMAT）FY25Q4点评及业绩说明会 纪要：FY25营收与毛利创新高，公司指引26H2WFE将显著提升》2025-11-16《超威半导体（AMD）FY25Q3业绩点评及说明 会纪要：CPU&GPU共振向上，推动新一轮成长》2025-11-07 数增长，2026年需求驱动将进一步延续，但内存供应限制或制约部分出货。公司完成基于16Gb/s、1γ的DDR5及G9的PCIe Gen4 QLC SLD内存等多项OEM认证，产品匹配高性能、高容量需求，为把握行业机遇筑牢基础。（2）手机：公司预期2026年的智能手机出货量保持在低个位数百分比的增长，AI推动内存容量需求提升，旗舰机型12GB DRAM配置占比达59%，较去年同期翻倍。公司加速移动DRAM产品创新，推出1γ16Gb LPDDR6样品，性能提升超50%，同时推进LP5X系列产品样品供应与批量出货，产品迭代与商业化稳步推进。（3）汽车：L2+及L3级技术普及推动存储需求，全自动驾驶汽车内存容量提升预期明确，公司凭借差异化产品组合与市场份额优势，其ASIL认证的LPDDR5X及UFS 4.1 NAND产品需求强劲，斩获数十亿美元设计订单。（4）工业：自主系统普及带动需求持续增长，工厂自动化等多应用场景长期需求稳健。汽车与工业市场中LPDDR4X和DDR4需求旺盛，公司正加大投资保障弗吉尼亚州马纳萨斯工厂长期供应。4.行业供需情况预判：（1）需求：行业供需格局呈现紧张态势，AI数据中心 建设热潮持续推动内存与存储需求的急剧增长，公司预计，行业总供给在可预见的未来仍难以匹配需求增长节奏。行业需求增长预期持续上调，公司对2025年DRAM和NAND闪存行业位需求增速的预期均较此前提升，其中DRAM位元需求增长率预计将达到20%出头，NAND闪存位元需求增长率将达近20%。（2）供给：行业供应端约束下，公司预计，2026年行业DRAM和NAND位元出货量预计均较2025年增长约20%。公司计划同步提升自身相关产品的位元出货量，预计2026年DRAM和NAND闪存的出货量将增⻓约20%。但即便如此，仍难以全面满足各市场领域的客户需求，供需缺口下行业景气度有望维持高位。5. FY26Q2业绩指引：公司预计FY26Q2营收为187亿美元（QoQ+37.1%， YoY+132.2%），上下浮动4亿美元。收入增长将主要得益于DRAM和NAND行业供需紧张的市场环境，叠加更高的定价、成本下降及有利的产品组合，同时各业务板块需求持续强劲，进一步推动营收增长。公司预计FY26Q2毛利率在68.0%左右（QoQ+11.2pct，YoY+30.1pct），上下浮动100个基点。风险提示： 技术研发不及预期，扩产不及预期，下游需求不及预期 目录 （一）业绩总览.................................................................................................................3（二）供给能力提升举措.................................................................................................3（三）全年需求展望.........................................................................................................4 （一）按产品营收拆分.....................................................................................................4（二）按业务部门营收拆分.............................................................................................4（三）按终端市场营收拆分.............................................................................................5 四、Q&A环节...................................................................................................................7 五、风险提示...................................................................................................................10 一、FY2026Q1业绩情况 （一）业绩总览 营收：FY2026Q1实现营收136.43亿美元（QoQ+20.6%，YoY+56.7%），高于指引中值（指引中值为125亿美元），营收环比增长主要受益于供应紧张环境下公司在终端市场和产品方面的强劲执行力。FY26Q1，公司总营收、DRAM和NAND营收、HBM和数据中心营收以及各业务部门营收均创纪录。公司DRAM营收创下新高，得益于终端市场强劲需求推动的出货量增长，以及行业DRAM供应紧张、定价策略有效和产品组合优化推动的产品价格提升。在NAND领域，同样受行业NAND供应紧张、定价策略有效及产品组合优化等因素影响，NAND闪存出货量增长、价格上涨，推动公司季度营收创历史新高。 毛利率：FY2026Q1的Non-gaap毛利率为56.8%（QoQ+11.1pct，YoY+17.3pct），超过指引区间上限（指引为51.5%上下浮动100个基点），主要得益于更高的定价、有效的成本控制以及有利的产品组合。 （二）供给能力提升举措 公司加码资本支出以强化核心产品供应能力，FY26资本支出计划提升至200亿美元，较此前预估增加20亿美元，增量资金将重点投向HBM与1γ产品的供应能力建设。同时，公司通过加快设备订单下达与安装进度，最大化现有产能产出效率，叠加全球制造基地的布局优化，为长期需求增长提供支撑。公司的美国供应计划获得客户积极反馈，爱达荷州首座晶圆厂建设进度提前，预计2027年中期即可实现首片晶圆产出，进一步保障产能释放节奏。 全球产能布局多点推进，构建长期供应支撑体系。美国市场方面，爱达荷州第二座晶圆厂计划2026年开工、2028年底运营，纽约州首座晶圆厂预计2026年初开始动工，将为2030年后的供应提供保障；海外市场方面，公司在日本广岛工厂新增洁净室空间以支持先进工艺节点，新加坡HBM先进封装工厂预计2027年贡献重要供应并有望实现NAND与DRAM生产协同，印度组装测试工厂已启动试生产且2026年将量产。 整体来看，公司产能扩张战略清晰，且保持对市场环境的灵活响应与资本支出的审慎执行，为业务持续增长奠定坚实基础。 （三）全年需求展望 行业供需格局呈现紧张态势，AI数据中心建设热潮持续推动内存与存储需求的急剧增长，公司预计，行业总供给在可预见的未来仍难以匹配需求增长节奏。HBM需求的爆发式增长进一步加剧供应压力，其与DDR5高达3:1的交换比例以及在未来产品迭代中该比例的上升趋势持续放大供需缺口；同时，全球洁净室建设交付周期延长，新增产能释放受限，共同导致DRAM和NAND市场供应紧张局面，且这一态势预计将延续至2026年及以后。 行业需求增长预期持续上调，公司对2025年DRAM和NAND闪存行业位需求增速的预期均较此前提升，其中DRAM位元需求增长率预计将达到20%出头，NAND闪存位元需求增长率将达近20%。行业供应端约束下，公司预计，2026年行业DRAM和NAND位元出货量预计均较2025年增长约20%。公司计划同步提升自身相关产品的位元出货量，预计2026年DRAM和NAND闪存的出货量将增长约20%。但即便如此，仍难以全面满足各市场领域的客户需求，供需缺口下行业景气度有望维持高位。 二、营收拆分 （一）按产品营收拆分 DRAM：实现营收108亿美元，占总营收的79%，营收环比增长20%，同比增长69%；位元出货量环比略有增长，价格环比上涨约20%。NAND：实现营收27亿美元，占总营收的20%，营收环比增长22%，同比增长22%；位元出货量环比增长中高个位数%，价格环比上涨十几个百分点。 图表2美光FY26Q1按产品收入拆分 资料来源：公司官网 （二）按业务部门营收拆分 云内存业务部（CMBU）：FY2026Q1营业收入为53亿美元，环比增长16%，占公司总营收的39%，增长得益于出货量的增加和价格的上涨。 核心数据中心业务部（CDBU）：FY2026Q1营业收