电子行业周度点评报告：3D NAND或成为存储新增长曲线

—3D NAND或成为存储新增长曲线 电子行业2025年12月14日 评级：增持（维持） 全行业：本周上证指数下跌0.34%，深证成指上涨0.84%，沪深300指数下跌0.08%，申万电子版块上涨2.63%，电子行业在全行业中的涨跌幅排名为3/31。板块个股涨幅前五名分别为：富信科技、东田微、赛微电子、鸿日达、立昂微；跌幅前五名分别为：惠伦晶体、华映科技、*ST宇顺、睿能科技、泓禧科技。 电子行业：电子行业呈现涨跌分化格局，从申万二级行业数据看，子板块涨跌互现，部分板块内部结构差异显著。电子化学品板块本周上涨6.99%，为本周表现最强的方向；其下申万三级行业电子化学品Ⅲ同幅上涨6.99%，走势完全一致。元件板块上涨6.08%，表现同样亮眼；其下申万三级行业印制电路板上涨7.03%、被动元件上涨1.52%，细分领域涨幅分化。其他电子板块上涨5.60%；其下申万三级行业其他电子Ⅲ同幅上涨5.60%，走势同步。半导体板块本周上涨2.68%，内部结构差异较大；其下申万三级行业半导体材料上涨6.48%、半导体设备上涨4.60%、分立器件上涨4.17%，是板块核心拉动力量；数字芯片设计上涨1.42%、模拟芯片设计上涨1.28%、集成电路封测上涨0.96%，内部涨幅分化突出。消费电子板块整体上涨0.37%，延续温和态势；其下申万三级行业消费电子零部件及组装上涨0.44%，对板块形成支撑，品牌消费电子下跌0.41%。光学光电子板块本周下跌0.22%，表现相对弱势；其下申万三级行业光学元件上涨5.60%，而面板下跌3.02%、LED下跌0.48%，细分领域涨跌分化明显。总体来看，本周电子行业子板块涨跌分化显著，电子化学品、元件等领涨，半导体板块内部分化突出，光学光电子表现偏弱，行业呈现局部活跃但整体涨跌不一的态势。 行业要闻 相关报告 ◆SK海力士正与英伟达合作加快下一代Nand开发，目标到2027年实现存储性能的大幅提升。◆记忆体超级周期挡不住，华邦电11月营收创41个月最佳表现线◆台积电CoWoS先进封装全线满载，外包订单加速英伟达、苹果芯片交付◆高通宣布收购Ventana Micro Systems◆英伟达被曝开发“芯片定位”技术，H200芯片装上“安全枷锁” 【金元电子】周报20251109寒武纪优化基础软件平台，或加速国产算力落地 【金元电子】周报20251117中芯国际三季度产品结构、产能利用率改善，毛利率超预期 【金元电子】周报20251123谷歌推出Gemini 3 Pro，推理、多模态、长上下文能力提升 公司动态： ◆经纬辉开：关于部分董事、高级管理人员股份减持计划的预披露公告◆科森科技：关于出售全资子公司股权的公告◆兴福电子：关于购买资产暨关联交易的公告◆冠捷科技：关于使用公积金弥补亏损通知债权人的公告◆新相微：关于向2025年限制性股票激励计划激励对象授予限制性股票的公告 【金元电子】周报20251130太空数据中心建设，开启“天地协同新方案” 【金元电子】周报20251207DeepSeekV3.2提升推理及Agent潜在能力 分析师：唐仁杰执业证书编号：S0370524080002电话：0755-83025184邮箱：tangrj@jyzq.cn 投资建议：我们认为，在易失性存储（如DRAM）在HBM、HMC等领域突破后，随着AI推理及应用市场的持续扩张，尽管高带宽内存（HBM）解决了核心计算单元的数据吞吐问题，但在海量数据集的检索、向量数据库的索引遍历以及大模型的检查点恢复过程中，底层非易失性存储（NAND Flash）的读写性能，尤其是随机读取（IOPS）和能效比已成为制约系统整体效率的关键短板。下一步在非易失性存储（NAND、HDD）领域或将引起行业重视。从制造工艺上而言，3D结构的NAND存储工艺难点在于高深宽比的刻蚀工艺、薄膜沉积及未来可能成为主流的混合键合工艺，如长江存储在Xtacking 2.0阶段采用键合工艺将层数由64层扩展至128层，也验证了键合工艺的重要性。对于半导体产业链而言，AI-NAND的发展意味着低温刻蚀、混合键合、薄膜沉积、CMP技术的设备商或将迎来NAND推动下的景气周期。由于工艺复杂度提升，设备在晶圆成本中的占比将持续上升。 相关公司：1、设备商：中微公司（刻蚀）、拓荆科技（薄膜沉积+混合键合）、盛美上海（湿法刻蚀+清洗+电镀）、精智达（测试）等；2、材料：鼎龙股份、安集科技、华特气体、南大光电等 风险提示：1、AI推理不及预期：推理侧是AI应用及AI商业化的核心要素，也是存储周期的核心需求因素，若AI推理市场不及预期，或导致周期下行；2、生产端不及预期：国内设备及材料厂商仍处于追赶阶段，渗透率仍有待提升；3、工艺良率不及预期：3D NAND及HBM封装技术仍不成熟，量产良率仍有待印证。 曙光在前金元在先 目录 一、核心观点...............................................................................................................................................3二、行业跟踪...............................................................................................................................................9三、行业新闻.............................................................................................................................................12四、公司公告.............................................................................................................................................18五、下周重要事件提示.............................................................................................................................23 图表目录 图1：针对AI推理阶段，对于存储的需求不同......................................................................................4图2：HBF架构.............................................................................................................................................4图3：未来存储架构的变化........................................................................................................................5图4：3D NAND技术发展路线.....................................................................................................................5图5：3D NAND面临的多层不均匀问题及刻蚀弯曲、底部未打通问题.................................................6图6：长江存储3D NAND层数领先............................................................................................................7图7：本周各行业版块涨跌幅....................................................................................................................9图8：本周电子版块：子版块涨跌幅......................................................................................................10图9：电子板块历史走势..........................................................................................................................11图10：电子板块历史市盈率....................................................................................................................11表1：本周电子板块个股涨幅前五名........................................................................................................9表2：本周电子版块个股跌幅前五名........................................................................................................9表3：下周重要会议..................................................................................................................................23表4：电子行业限售股解禁情况汇总（单位：万股）..........................................................................25 一、核心观点 根据TrendForce报道，SK海力士正与英伟达合作加快下一代Nand开发，目标到2027年实现存储性能的大幅提升。 随着生成式人工智能从单纯的模型训练迈向大规模推理与应用部署阶段，计算系统的瓶颈正经历一场从算力（Compute-bound）向存储（Memory-bound）的剧烈转移。尽管高带宽内存（HBM）解决了核心计算单元的数据吞吐问题，但在海量数据集的检索、向量数据库的索引遍历以及大模型的检查点恢复过程中，底层非易失性存储（NAND Flash）的读写性能，尤其是随机读取（IOPS）和能效比已成为制约系统整体效率的关键短板。 在传统的数据中心架构中，存储系统的设计主要围绕着容量密度与成本（Costper bit）展开。然而，大语言模型（LLM）与混合专家模型（MoE）的兴起根本性地改变了这一逻辑。AI工作负载呈现出高度的双模态特征： ⚫训 练 阶段 （Training） ：需 要极 高的 顺 序写入 带 宽以 支 持断 点续 训（Checkpointing）。随着模型参数量突破万亿级，单次Checkpoints的数据量可达数T