前道设备隐形冠军，平台化布局去胶、RTP、刻蚀设备

前道设备隐形冠军，平台化布局去胶、RTP、刻蚀设备 2025年11月26日 证券分析师周尔双执业证书：S0600515110002021-60199784zhouersh@dwzq.com.cn证券分析师陈海进 执业证书：S0600525020001chenhj@dwzq.com.cn证券分析师李文意执业证书：S0600524080005liwenyi@dwzq.com.cn 增持（首次） ◼平台化布局三大设备平台，国产替代与国际化双轮驱动：屹唐股份成立于2015年，是一家专注于集成电路前道核心装备的高端制造企业。公司致力于干法去胶（Dry Strip）、干法刻蚀和等离子体表面处理（Dry Etchand Plasma Surface Treatment）及快速热处理（RTP）等关键设备的研发与制造，产品广泛应用于先进晶圆制造工艺，客户涵盖中芯国际、台积电、三星、英特尔等全球领先的集成电路制造企业。在“半导体设备国产替代”趋势下，公司凭借技术积累与平台化布局，已成长为全球前道设备领域具有代表性的中国企业。 市场数据 ◼公司在干法去胶设备技术积累深厚，全球市占率第二：公司干法去胶产品历经三十余年研发与应用沉淀，核心产品涵盖Suprema®、Hydrilis®HMR及Optima®系列，具备工艺窗口宽、颗粒污染小、成本结构优等显著特点，广泛应用于晶圆制造前道去胶工艺环节，适配DRAM、3DNAND、逻辑芯片等多类晶圆平台，并已形成从常规去胶、选择性去胶到先进刻蚀后清洗的完整产品谱系。2023年公司干法去胶设备以34.60%的全球市场份额位居全球第二，仅次于韩国厂商PSK。 收盘价(元)24.14一年最低/最高价19.11/32.98市净率(倍)8.12流通A股市值(百万元)4,822.87总市值(百万元)71,347.22 ◼快速热处理设备（RTP）技术先进，市场份额位居全球第二：公司核心产品包括Helios®系列（常规RTP）与Millios®系列（毫秒级退火），针对先进逻辑芯片、DRAM和存储器件量产而设计。设备采用晶圆双面加热、氩气水壁电弧灯与闪光灯退火等核心技术，能够有效控制先进制程中的热应力和图形保形性问题。设备性能参数处于国际主流水平，在10nm及以下节点具有良好兼容性，已在DRAM、3D NAND等存储产线及高性能逻辑芯片产线完成验证并实现规模化应用。2023年公司RTP设备以13.05%的市场份额位居全球第二。 基础数据 每股净资产(元,LF)2.97资产负债率(%,LF)24.48总股本(百万股)2,955.56流通A股(百万股)199.79 ◼平台化技术布局刻蚀设备，挤入全球前十：公司干法刻蚀和等离子体表面处理产品布局以paradigmE®、Novyka®、RENA-E®、Hydrilis®XT系列及Escala®表面处理和材料改性设备为主，覆盖通用刻蚀、选择性刻蚀及原子层级表面处理等多类场景。产品具备优异的等离子均匀性、刻蚀一致性与器件兼容性。设备已在晶圆制造前道工艺中实现规模化应用，成功进入多家国内外头部客户供应链，具备强适配能力与国产替代潜力。2023年，公司以0.21%的市占率位列全球干法刻蚀设备市场第九，在泛林半导体、东京电子、应用材料三大国际巨头合计83.95%的高度垄断市场中跻身少数具备量产能力的厂商之列。 相关研究 ◼盈 利 预 测 ：我 们 预 计 屹 唐 股 份2025-2027年 归 母 净 利 润 分 别 为6.5/8.5/12.2亿元，2025-2027年当前股价对应动态PE分别为109/84/58倍；公司去胶设备&快速热处理设备业务全行业领先，因此给予一定估值溢价，首次覆盖给予“增持”评级。 ◼风险提示：产品进展不及预期风险，下游需求不及预期风险，市场竞争加剧风险。 内容目录 1.1.公司平台化布局去胶、RTP、干法刻蚀和等离子体表面处理设备，国产替代与国际化双轮驱动.................................................................................................................................................51.2.去胶与快速热处理设备全球领先，平台化ICP技术布局刻蚀设备....................................61.3.国资控股+产业资本协同，核心团队国际化背景深厚..........................................................81.4.业绩稳步增长，核心研发体系持续强化.................................................................................9 2.1.去胶设备需求稳定，公司全球市占率第二...........................................................................132.2.激光退火工艺适配先进制程，公司RTP设备全球市占率第二.........................................172.2.1. RTP与传统炉管退火工艺相比有效解决了离子过度扩散问题.................................172.2.2. RTP可分为浸入式退火、尖峰退火和激光退火三大类.............................................192.2.3. RTP设备核心壁垒在于温度均匀性控制与动态响应能力.........................................202.2.4.公司RTP产品技术先进，市场份额位居全球第二...................................................212.3.延伸布局刻蚀&表面处理设备，有望受益于先进制程刻蚀需求提升...............................23 3.盈利预测与估值评级........................................................................................................................29 3.1.核心假设...................................................................................................................................293.2.估值评级...................................................................................................................................29 4.风险提示............................................................................................................................................30 图表目录 图1：公司发展路径与核心产品演进示意图.......................................................................................5图2：公司设备覆盖的集成电路前道关键工艺环节...........................................................................6图3：屹唐股份核心产品系列展示及2024年经营表现.....................................................................7图4：屹唐股份股权结构（截至2025年6月30日）.......................................................................8图5：屹唐股份核心技术人员背景.......................................................................................................9图6：营收规模持续扩张，2018-2024年CAGR达20%.................................................................10图7：归母净利润持续增长，2018-2024CAGR达69%...................................................................10图8：公司RTP&刻蚀设备占比稳步提升.........................................................................................10图9：公司核心产品毛利率稳步提升.................................................................................................10图10：2018–2025H1公司盈利能力持续提升.................................................................................11图11：期间费用率持续优化，研发投入保持高位...........................................................................11图12：公司持续保持较高的研发投入，研发费用率长期维持在15%左右..................................12图13：截至2025H1末，公司拥有358名研发人员，占公司总人数28.7%................................12图14：全球半导体设备市场规模稳步增长，2026年有望逼近1400亿美元................................13图15：中国大陆市场规模占比大幅攀升，2024年突破40%（十亿美元）.................................13图16：去胶设备主要用于去除光刻胶...............................................................................................13图17：干法去胶工艺原理示意图：等离子体氧化分解光刻胶，利用氧自由基与光刻胶反应生成CO₂和H₂O并被真空抽离.................................................................................................................14图18：干法去胶设备市场规模长期趋势向上，2025年市场规模有望突破8.5亿美元...............14图19：公司量产ICP等离子体源、双晶圆反应腔国际领先，可分别用于去胶&刻蚀设备.......15图20：公司干