存储晶片价格上行 产业进入新一轮周期 投资者应关注哪些机会？

存儲晶片價格上行，產業進入新一輪週期，投資者應關注哪些機會？ 存儲晶片行業週期性拐點已至，板塊進入量價齊升階段，HBM、車規級存儲、消費級存儲（手機/PC用DDR5、3DNAND）等產品需求密集釋放，疊加大基金三期注資存儲產業鏈形成政策與需求雙重利好，推動產業進入旺季量產高峰，市場對行業盈利預期持續上修；另外AI浪潮帶動高算力存儲需求爆發為存儲晶片技術升級（如HBM3e、3DNAND）提供核心支撐，板塊估值修復窗口有望進一步擴大。 國際頭部陣營方面，三星、SK海力士、美光的產能調整與技術升級是核心看點：三星上半年減產10%後，Q3重啟存儲晶片增產計畫，重點傾斜HBM產能，預計2025年HBM出貨量達120萬片（同比+250%）；SK海力士HBM3e產品良率提升至80%，獨家供應英偉達H100GPU，同時規劃2026年新建HBM產線，產能提升50%；美光通過中國審查後，已恢復向國內頭部伺服器廠商供應DDR5記憶體與企業級SSD，緩解國內供應鏈短缺擔憂。此前國際廠商受行業下行週期影響收縮產能，而當前需求回暖後，產能快速釋放將直接帶動產業鏈上下游業績增長。 國內廠商同樣突破不斷，長江存儲、長鑫存儲、合肥長鑫等陸續實現技術量產與產能擴張：長江存儲232層3DNAND晶片良率突破95%，月產能提升至12萬片晶圓，產品切入華為、小米等消費電子供應鏈，同時車規級eMMC晶片通過AEC-Q100認證，進入比亞迪、蔚來供應鏈；長鑫存儲DDR5記憶體晶片實現4800Mbps速率量產，良率達85%，並與兆易創新（603986.SH）合作推出存儲模組，供應聯想、惠普等PC廠商。值得關注的是，國內存儲企業雖前期受技術追趕與週期波動影響估值承壓，但當前技術差距持續縮小，若需求保持增長，憑藉國產替代紅利與自身產能擴張，仍有望實現高速業績增長。當前終端實際需求（AI伺服器、智能汽車）表現好於市場前期預期，板塊後續仍有估值修復空間。建議投資者聚焦三類企業：技術迭代領先、車規級存儲佈局完善及深度受益AI算力需求的企業，行業龍頭有望在週期上行與國產替代加持下，實現估值與業績雙升。 存儲行業：週期屬性凸顯，AI資本投入打開增量空間？ *AI基建驅動HBM需求爆發，國際廠商加速擴產 AI伺服器對高帶寬、低延遲存儲需求激增，帶動HBM出貨量呈指數級增長。據行業數據，2025年Q2全球HBM出貨量達35萬片（同比+300%），預計全年出貨量突破150萬片，2027年有望達500萬片。國際頭部廠商紛紛加大HBM產能投入：三星將2025年HBM產能提升至120萬片，重點生產HBM3e產品，其HBM3e帶寬達1.2TB/s，容量最高支持64GB，獨家供應特斯拉D1超級電腦；SK海力士HBM3e良率從Q1的65%提升至Q3的80%，月產能達30萬片，與AMD合作開發HBM4產品，預計2026年量產；美光HBM3產品良率突破75%，恢復向國內浪潮、曙光供應，同時規劃2026年新建HBM產線，產能提升60%。 整體來看，HBM行業呈現“需求先行、產能緊俏”的格局：AI大模型訓練需海量數據即時交互，HBM憑藉堆疊封裝技術實現帶寬躍升（較傳統DDR5提升5倍），成為AI伺服器核心配置；但HBM生產工藝複雜（需通過TSV矽通孔、微凸點bonding等技術），良率提升難度大，當前全球產能集中於三星、SK海力士、美光（市占率超95%），短期供需缺口仍將持續。對行業而言，HBM不僅帶動存儲晶片價值量提升（單顆HBM3e價格達1500美元，是傳統DDR5的10倍），也推動封裝技術升級（CoWoS、SiP封裝需求增長），但同時也面臨技術迭代快（HBM4預計2026年量產）、研發投入高（單條產線投資超10億美元）的挑戰，凸顯技術壁壘與產能規模的重要性。 *國內存儲廠商技術突破，國產替代加速 國內存儲廠商在3DNAND與DDR領域持續突破，國產替代率從2023年的8%提升至2025年的15%。 長江存儲232層3DNAND晶片實現量產，良率突破95%，產品密度達每平方英寸1.2Tb，與三星236層產品技術差距縮小至6個月，同時推出車規級3DNANDSSD，容量覆蓋128GB-2TB，通過AEC-Q100Grade2認證，進入比亞迪“仰望”系列、蔚來ET9供應鏈，2025年Q2車規存儲營收同比增長120%；長鑫存儲DDR5記憶體晶片實現4800Mbps速率量產，良率達85%，並推出LPDDR5X產品（速率7500Mbps），供應華為Mate70系列手機，同時與兆易創新（603986.SH）合作開發存儲模組，PC端市占率提升至5%；合肥長鑫HBM2e產品進入測試階段，預計2026年量產，良率目標70%，將填補國內HBM產能空白。 政策端支持持續加碼，大基金三期擬注資200億元支持存儲產業鏈，重點傾斜設備、材料環節：北方華創193nm光刻機通過長江存儲驗證，實現國產替代；安集科技拋光液在3DNAND領域市占率達30%，進入SK海力士供應鏈；滬矽產業12英寸矽片供應長鑫存儲，良率達98%。國內存儲企業已形成“設計-製造-封測-材料設備”完整產業鏈，2025年上半年國內存儲晶片市場規模達1200億元，同比增長25%，國產替代加速為行業帶來長期增長動力。 *消費電子與汽車電子需求復蘇，帶動存儲晶片量價齊升 消費電子需求復蘇推動消費級存儲需求增長：2025年Q2全球智能手機出貨量同比增長10%，其中5G手機占比達80%，帶動LPDDR5記憶體與UFS4.0閃存需求，iPhone17系列搭載LPDDR5X記憶體（容量8GB）與UFS4.0閃存（容量256GB起步），單機存儲價值量同比提升15%；全球PC出貨量同比增長8%，DDR5記憶體滲透率從2024年的40%提升至2025年的60%，帶動DDR5需求同比增長50%。 汽車電子成為存儲晶片第二增長曲線：智能座艙（多屏交互）與ADAS（高級輔助駕駛）推動車規存儲需求爆發，單車存儲容量從傳統燃油車的10GB提升至電動車的100GB（L2級）、500GB（L3級），2025年全球車規存儲市場規模達200億美元，同比增長35%。車規級存儲晶片要求高可靠性（工作溫度-40℃-125℃）、長壽命（10年以上），國內廠商加速佈局：北京君正車規級eMMC晶片市占率達15%，供應特斯拉Model3/Y；兆易創新（603986.SH）車規級NORFlash市占率達20%，進入大眾、寶馬供應鏈。 *投資者應該關注行業內哪些公司的投資機會？ 當前存儲晶片賽道多利好共振：AI伺服器帶動HBM需求爆發，消費電子與汽車電子需求復蘇，國內廠商技術突破加速國產替代，頭部玩家的佈局已形成行業熱度；與此同時，國際廠商產能擴張與國內政策支持為產業鏈注入短期增長動力。更值得關注的是長期紅利——2026-2027年HBM4、3DNAND300層+、DDR6等新技術將陸續量產，這一規劃不僅將為供應鏈帶來技術迭代與產能擴張的強勁新動能，更將直接帶動上游材料設備、中游製造封測、下游應用等相關企業從“週期波動”轉向“成長驅動”，打開長期成長空間，因此投資者可關注具備技術迭代領先、存儲佈局完善並深度受益AI算力需求的公司： 兆易創新（603986.SH） 兆易創新（603986.SH）作為A股存儲晶片與MCU領域雙龍頭，憑藉全場景產品矩陣構建核心競爭力。其是全球唯一在NORFlash、SLCNAND、利基型DRAM、MCU四大領域均躋身全球前十的積體電路設計企業，NORFlash全球市占率23.2%（位列第三），車規級產品已通過AEC-Q100認證並在奇瑞、吉利 等車型量產，利基型DRAM受益行業供給收縮，2025年上半年營收同比增長120%；MCU業務方面，國內32位通用MCU市占率第一，累計出貨超20億顆，車規級產品獲比亞迪、理想定點，基於RISC-V內核的Wi-Fi6MCU已量產切入高端市場，2025年上半MCU營收同比近增20%。 技術自主化突破與產能協同佈局築牢公司護城河。兆易創新（603986.SH）年均研發投入占比超15%（2024年研發費用11.2億元），NORFlash引腳數優化降低客戶改造成本90%，車規閃存帶寬達200MHz對標國際頭部；產能端與長鑫存儲深度合作，2024年代工採購額度增至9.95億元保障DRAM供應，同時受益長江存儲294層3DNAND超85%的量產良率；專利佈局持續強化，2024年新增授權專利101項，累計達1059項，覆蓋存儲架構、低功耗技術等關鍵領域，形成堅實技術壁壘。 國產替代加速與行業週期共振下，公司業績彈性與長期成長性凸顯。政策層面，大基金三期重點佈局存儲產業鏈，國產存儲自給率2027年目標達50%，公司作為核心標的直接受益，車載存儲訂單增速連續三年超60%；行業週期上，2025年Q2起存儲晶片價格持續上漲（DRAM/NANDQ3環比漲幅分別達10%-15%、3%-8%），推動公司毛利率持續改善，AI伺服器需求爆發下，其176層NAND和HBM配套產品2026年量產可期；財務端2025年上半年營收41.5億元（同比+15%）、淨利潤5.8億元（同比+11.3%），Q2淨利潤環比增45.2%，認為其短期受益存儲漲價與MCU回暖，長期車規放量及AI佈局打開增長空間，兼具稀缺性與成長性。 德明利（001309.SZ） 德明利（001309.SZ）作為A股存儲控制晶片與解決方案領域的核心標的，是國家專精特新重點“小巨人”企業，專注於從晶片底層演算法到終端應用的全鏈路佈局。其產品矩陣覆蓋固態硬碟（SSD）、嵌入式存儲、記憶體條及移動存儲四大系列，2024年營收占比分別達48.2%、17.67%、28.01%，廣泛應用於車載電子、數據中心、新能源汽車等多元場景。在國產替代浪潮中，公司表現突出：嵌入式存儲2024年營收暴增1730% 至8.43億元，企業級SSD占比從0.1%躍升至20%，成功切入阿裏、騰訊等頭部雲廠商供應鏈，同時深度綁定長江存儲（供應鏈占比75%），承接外資退出的DDR4/LPDDR4市場份額。 技術研發與智能製造構建起公司核心壁壘。2025年上半年研發投入1.15億元，同比增長33.2%，截至2025年9月累計新增專利授權84個，較去年同期增幅達663.64%，其中“壓縮固態硬碟模組的散熱結構”等專利進一步優化產品性能。福田智能製造基地自動化率達99.9%，自研設備占比30%，已實現PCIe5.0SSD量產，其順序讀寫速度達14GB/s，同時具備QLCNAND商業應用能力，工規級產品覆蓋全介面與容量段，可適配工控機、伺服器等多樣化平臺。主控晶片自主化持續突破，SATAIII、SD6.0等晶片已量產，自研SATASSD主控模組正加速客戶導入，形成“晶片-固件-模組”的垂直整合能力。 行業週期共振與AI需求爆發驅動成長彈性凸顯。2025年存儲晶片價格進入上漲通道，NANDFlash現貨價漲幅超10%，公司直接受益於產品毛利率修復。AI伺服器需求拉動下，單臺設備存儲價值量較傳統伺服器翻倍，國內2025年AI伺服器預計超40萬臺，公司PCIe5.0SSD已向多家雲服務企業送樣並通過驗證，阿裏30億獨供訂單（2024-2026年執行）2025年預計交付10億元，騰訊、位元組潛在訂單或達200億元。長期來看，車規級存儲佈局逐步落地，LPDDR4X已具備量產能力並送樣客戶，主控晶片自研率提升與企業級SSD占比突破30%的目標若達成，有望實現估值向成長賽道切換，當前市值下兼具週期彈性與長期價值。 江波龍（301308.SZ） 江波龍（301308.SZ）作為A股全場景存儲解決方案龍頭，憑藉“品牌+產品+全球化”構建核心競爭力。 公司深耕存儲領域25年，形成嵌入式存儲（2024年營收占比48.24%）、固態硬碟（23.75%）、移動存儲（18.37%）及記憶體條（8.74%）四大產品線，覆蓋消費電子、數據中心、汽車電子等多元場景。擁有行業級品牌FORESEE與國際高端消費品牌Lexar（雷克沙），2024年