东微半导：2025年半年度报告

公司简称：东微半导 苏州东微半导体股份有限公司2025年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义..........................................................................................................................................4第二节公司简介和主要财务指标......................................................................................................7第三节管理层讨论与分析................................................................................................................10第四节公司治理、环境和社会........................................................................................................48第五节重要事项................................................................................................................................50第六节股份变动及股东情况............................................................................................................83第七节债券相关情况........................................................................................................................89第八节财务报告................................................................................................................................90 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 √适用□不适用 1、2025年上半年，公司营业收入较上年同期增长46.79%，主要系报告期内，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，持续开拓新兴市场，通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能。公司主营产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、工业照明电源、车载充电机、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等为代表的工业级与汽车级领域。报告期内，公司营业收入的增长主要系受前述应用领域需求回暖、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响。 2、2025年上半年，利润总额、归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期分别增长86.38%、62.80%、485.00%，主要系报告期内，公司 营业收入有所上升及毛利率上涨所致，公司毛利率较上年同期相比增加2.14个百分点，主要系公司持续进行技术迭代、产品组合结构调整等综合因素所致。 3、2025年上半年，经营活动产生的现金流量净额较上年同期有所减少，主要系报告期内，公司销售规模有所扩大，购买商品、接受劳务支付的现金有所增加所致。 4、2025年上半年，扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期增长300.00%，主要系报告期内公司销售规模有所扩大，盈利能力不断提升，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润大幅增长所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用 九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 □适用√不适用 十、非企业会计准则业绩指标说明□适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况 （一）所处行业情况 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）行业现状及市场规模 功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后续技术服务，以及为客户提供定制化开发产品能力等方面均有较高的要求，需要长时间的实践和积累。 随着全球贸易格局的演变，半导体自主可控重要性提升，当前国产替代关键领域持续进行技术攻关，产业链各环节的国产化率不断提升。下游应用端对产品性能多元化需求、对质量标准日益提高的需求，以及国家对行业发展规划的需要，国内功率半导体厂商需要通过持续技术创新，实现技术突破，提高技术储备，以高性价比的产品和服务实现核心电子元器件国产化，响应国家产业政策的发展规划。“ChinaforChina”的趋势下，国产替代有望从单点突破迈向全链条渗透。 世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布，2025年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18.9%。其中一季度市场规模约1,670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1,800亿美元，同比增长19.6%。逻辑半导体市场规模提升37%、存储半导体增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长4%。该机构预测，2025年全球半导体市场规模将达到7,009亿美元，同比增长11.2%。 （2）行业发展与演进 功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。 （3）行业的主要特点 1）功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新 功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。 2）产品多世代并存 二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等传统器件与碳化硅、氮化镓等新材料器件共存，适应不同应用场景需求。 3）特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求 “平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。 4）IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起 半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。 近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。 （4）主要技术门槛 功率半导体行业属于技术密集型行业，技术门槛较高。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的