东微半导：苏州东微半导体股份有限公司2024年半年度报告

公司代码：688261 苏州东微半导体股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 报告期内，受全球经济增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的同比上升，但由于产品销售价格的下降，致使公司报告期内营业收入较2023年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步保持前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等持续投入，亦对公司报告期经营业绩产生影响。未来，如果市场竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作关系等情形，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩下滑的风险。 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他□适用√不适用 目录 第一节释义.........................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标.....................................................................................................8第三节管理层讨论与分析...............................................................................................................11第四节公司治理...............................................................................................................................50第五节环境与社会责任...................................................................................................................51第六节重要事项...............................................................................................................................54第七节股份变动及股东情况...........................................................................................................84第八节优先股相关情况...................................................................................................................92第九节债券相关情况.......................................................................................................................92第十节财务报告...............................................................................................................................93 备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 √适用□不适用 1、2024年上半年，归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别较上年同期减少83.08%、98.20%，主要系报告期内，受全球经济增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，报告期内继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的 同比上升，但由于产品销售价格的下降，公司报告期内营业收入较2023年同期出现下滑致使公司盈利能力有所减弱。 公司2024年第二季度，实现营业收入为24,642.59万元，环比第一季度增长42.35%；实现归属于上市公司股东的净利润1,264.74万元，环比第一季度增长194.53%。 2、2024年上半年，经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少420.22%，主要系报告期内,受全球经济增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响,公司营收规模有所下降，收到客户的销售回款减少所致。 3、2024年上半年，基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益分别较上年同期减少83.02%、83.02%、97.96%，主要系报告期内公司营收规模出现下降，盈利能力有所减弱，利润减少所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 八、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用 九、非企业会计准则业绩指标说明 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所处行业情况 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）所处行业 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。 （2）行业发展阶段 ①全球功率半导体市场分析 11/208在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。功 率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。根据Omida、国信证券研究所数据及预测，全球功率半导体市场规模预计将由2022年的481亿美元增长至2023年的503亿美元，到2027年市场规模将达到596亿美元。应用场景上看，根据WSTS预测，中金公司研究部数据，到2027年分立器件的细分市场规模为402亿美元，其中，WSTS预计集成电路市场有望在2024和2025年看到较强劲的复苏，同比增速分别为+20.8%/+13.7%；光学器件、传感器、分立器件的复苏则比前次预期更慢，2024年营收或同比下滑，但有望在2025-2027年看到持续的温和增长。 ②中国市场分析 目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia数据及预测，中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到206亿美元，占全球市场规模约为38%。 （3）行业的主要特点 ①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代 功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。 ②IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展 目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。 ③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力 “平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台