核心观点
- 下半年重视HBM产业链:算力需求爆发及外部对HBM的管制将推动国产HBM突破和供应,国产存储大客户已通过HBM3验证,底层颗粒具备量产条件,设备公司已获相关订单,国产HBM突破预计在下半年。
- 扩产预期:今年HBM扩产量级有望达5000片8层晶圆,对应4万片底层DDR5扩产,带来TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机环节的订单增量分别为1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿。
- 设备环节利好:HBM扩产对应约350亿设备资本开支增量,刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP环节分别受益85亿、70亿、16亿、11亿。
关键数据
- HBM扩产量级:5000片8层晶圆。
- 底层DDR5扩产:4万片。
- 设备资本开支增量:约350亿。
- TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机订单增量:分别为1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿。
研究结论
- 国产HBM突破在即:国产存储大客户已具备DDR5颗粒制造能力,核心指标达成,散热和能耗方面尚有提升空间。
- 设备环节弹性最大:TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机环节均实现国产,订单弹性大。
- 投资建议:推荐受益较多的精智达,订单弹性最大。
风险提示