不同的碳化硅衬底的吸附方案，对测量碳化硅衬底 BOW_WARP 的影响

在当今蓬勃发展的半导体产业中，碳化硅（SiC）衬底作为关键基础材料，正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言，其BOW（弯曲度）和WARP（翘曲度）参数犹如精密天平上的砝码，细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡，而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手，深刻影响着测量结果的精准度。 一、传统大面积真空吸附方案 大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。它依托布满吸盘表面的微小气孔，在抽真空后，如同施展了强大的“吸力魔法”，让衬底整个底面与吸盘紧密相拥，为测量仪器搭建起一个看似坚不可摧的稳定平台。从稳定性角度审视，它确实表现卓越，能有效抵御外界轻微震动、气流扰动等干扰因素，确保衬底在测量期间稳如泰山。 然而，当我们将目光聚焦于BOW/WARP测量时，问题接踵而至。碳化硅衬底在其复杂的制备旅程中，历经高温淬炼、掺杂融合等工序，内部积聚了错综复杂的热应力，不同材料层之间还时常因热膨胀系数的差异而“闹别扭”，导致应力分布不均。此时，大面积真空吸附施加的均匀压力，就像是给衬底披上了一层“紧身衣”，强行将其原本凹凸有致的“身形”往平整方向拉扯。测量探头试图捕捉衬底真实的BOW/WARP变化时，仿佛雾里看花，那些细微却关键的形变被掩盖，得到的测量结果往往与衬底实际的弯曲、翘曲状态大相径庭，给芯片制造工艺的精准调控蒙上了一层阴影。 二、多点机械夹持吸附方案 多点机械夹持吸附方案宛如一位小心翼翼的“拾贝者”，在碳化硅衬底边缘精心挑选若干关键点位，通过机械夹具温柔而坚定地施加压力，将衬底固定。这一方案的精妙之处在于，它对衬底中心区域的应力释放干扰极小，理论上为衬底预留了足够的“自由空间”，使其能自然舒展，呈现出最本真的弯曲或翘曲模样。 可现实的测量舞台并非一帆风顺。机械夹具与衬底接触的瞬间，就像两个性格迥异的舞者初次搭档，容易出现“摩擦”。由于接触点局部压力过大，衬底边缘时常遭受微小“创伤”，这不仅影响衬底自身质量，更可能在后续测量中引入额外误差。并且，测量过程中只要外界稍有风吹草动，如轻微震动来袭，夹持点就可能慌乱“走位”，引发衬底晃动不安，使得测量准确性与重复性如风中残烛，飘忽不定，让工程师们在工艺优化的道路上举步维艰。 三、新兴环吸方案 环吸方案恰似一位精准施策的“领航员”，为碳化硅衬底测量开辟了新航道。它独具匠心地在衬底边缘靠近圆周处勾勒出一道特定宽度的环形真空吸附区域。从固定原理来看，环形吸附区域产生的吸力恰到好处，既能稳稳托住衬底，对抗自重与外界小干扰，又像是一位善解人意的守护者，巧妙避开衬底中心的“敏感地带”。 当涉及BOW测量时，环吸方案优势尽显。以一款用于新能源汽车充电桩功率模块的碳化硅衬底为例，在经历严苛的功率循环测试后，衬底中心出现约30微米的凹陷弯曲。环吸方案下，测量探头如同拥有“火眼金睛”，精准探测到这一细微变化，测量所得BOW值与模拟计算值偏差控制在3%以内，为后续芯片制造工艺提供了高可信度的数据基石。反观大面积真空吸附，偏差可能飙升至25%以上，高下立判。 聚焦WARP测量，环吸方案更是展现出强大的“还原真相”能力。在化学机械抛光（CMP）工艺后，衬底因研磨不均陷入应力失衡的“困境”，整体平面扭曲变形。环吸如同揭开神秘面纱的手，让这种三维扭曲状态毫无保留地呈现在测量视野中，助力工程师们透过精准数据，直击工艺痛点，优化后续薄膜沉积、光刻等关键工序，确保芯片性能稳定输出。 四、复合型吸附方案探索 随着半导体技术的星辰大海愈发深邃，单一吸附方案逐渐显露出局限性。如今，科研人员大胆探索复合型吸附方案，试图融合多种方案的优势。例如，将环吸的稳定性与多点机械夹持的应力释放灵活性相结合，在初始测量阶段，利用多点夹持让衬底自然松弛，初步感知整体形变趋势；随后切换至环吸精准固定，进行高精度测量。又或是引入智能调控系统，依据衬底实时状态动态调整吸附力分布，无论是应对复杂应力分布的衬底，还是在不同测量环境下，都力求实现BOW/WARP测量的极致精准。 综上所述，不同的碳化硅衬底吸附方案在测量BOW/WARP时各有千秋，也各存短板。从传统方案的经验积累，到新兴环吸方案的突破创新，再到复合型方案的前沿探索，每一步都是半导体产业追求卓越、精益求精的见证。只有深入理解每种方案的影响机制，持续优化创新，才能让碳化硅衬底测量精准无误，为高端芯片制造的宏伟蓝图添上浓墨重彩的一笔。 五、高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（TotalThicknessVariation， 总 厚 度 偏 差 ） 、BOW（ 弯 曲 度 ） 、WARP（ 翘 曲 度 ） ，TIR（TotalIndicatedReading总指示读数，STIR（SiteTotalIndicatedReading局部总指示读数），LTV（LocalThicknessVariation局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 3，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。