Driving the MRAM Revolution-Conley-Everspin

MRAM 作为一种新兴的非易失性存储技术，在数据中心和边缘计算领域展现出革命性潜力。其核心优势在于结合了内存的读写速度和存储的持久性，同时具备高耐久性和可靠性。

市场应用与趋势
MRAM 可广泛应用于数据中心（存储加速器、企业 SSD、网络加速器、RAID）、边缘计算（智能城市、网络视频记录器）以及多种 mission-critical 终端（工业、医疗、游戏等）。根据 Gartner 预测，到 2025 年，75% 的企业数据将在外部数据中心处理。Cisco 数据显示，2021 年联网设备数量将达 427 亿台，MRAM 在其中扮演关键角色。

技术特性与对比

• 持久性：无需电源即可保持数据内容
• 性能：媲美 SRAM 和 DRAM 的低延迟读写速度
• 耐久性：远超 NAND Flash 和 DRAM 的写入周期（百万级 vs 数十万级）
• 可靠性：专为极端环境设计，无电荷残留风险

技术分类与进展

1. Toggle MRAM：

   • 作为持久性 SRAM，采用标准 SPI 和并行接口，替代 nvSRAM、FRAM 等，适用于需要高可靠性的场景（如 RAID 控制器日志内存、游戏数据记录）。
   • 市场价值稳步增长，支持宽温工作范围。

2. STT-MRAM：

   • 兼容 DDR3/DDR4 接口，作为持久性 DRAM，与 DRAM/Flash 互补，可构建非易失性写缓冲区。
   • 2018 年全球首款 1Gb STT-MRAM 通过 28nm 工艺量产，推动企业级存储（如金融日志记录）、网络加速器和服务器存储加速器发展。

关键应用场景

• 企业级存储：通过 STT-MRAM 增加持久性缓存，优化吞吐量和可靠性（如金融交易日志性能提升 9 倍）。
• 网络加速器：利用 Bypass Assist 功能实现数据快速持久化，降低延迟。
• 边缘计算：支持智能城市、工业设备等场景的实时数据持久化。

未来展望
MRAM 将向三个方向演进：

1. 扩大数据中心离散 MRAM 的应用范围
2. 在游戏、工业、交通等 mission-critical 领域增长
3. 通过嵌入式 MRAM 渗透消费级、工业级 SoC

结论：MRAM 作为通用存储技术的关键方案，将满足从数据中心到边缘计算的持久性数据需求，Everspin Technologies 是该领域的先驱企业。