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12 - PMSummit19 - 索尼 - 持久性 - 内存 - 介质
信息技术
2022-06-24
PM Summit 2019 持久化内存峰会
朝***
AI智能总结
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Cross Point ReRAM 技术特点
基于 ReRAM 材料的两种状态电动操作:金属桥(低电阻)/无桥(高电阻);非晶(低电阻)/结晶(高电阻)
热操作同样实现两种状态转换
关键性能参数:
重置电流 > 100uA
LRS 设置/重置电流 ~ 50uA
设置/重置时间 < 100ns(HRSSetOver 600I (A))
设置时间 > 500ns(性能障碍 V (V))
小时保留时间:100年(10年)
Cross Point ReRAM 架构与操作
采用交叉点阵列(XP)结构,支持双极操作(正偏置设置/读取,负偏置重置)
单元尺寸 4F2,支持多层 CMOS 阵列下集成
1S1R 器件可在 10ns 内完成设置/重置
选择器 TEM 横截面技术已为 100Gb 级持久内存开发
性能与吞吐量目标
单芯片目标:
R/W 扇区大小 512B
读取吞吐量 3.2GB/s,延迟 0.4us
写入吞吐量 1.2GB/s,延迟 2us
8 芯片目标:
R/W 尺寸 4kB,读取吞吐量 25.6GB/s
写入吞吐量 9.6GB/s
16 芯片目标:
R/W 尺寸 8kB,读取吞吐量 51.2GB/s
写入吞吐量 19.2GB/s
功耗与封装考量
ReRAM 功耗低于 PCM,高于 DRAM,需优化控制器功耗及小型封装热预算
功耗阈值:若 CTL > 5W 且 ReRAM > 1.2W,8 芯片总功耗 > 14.6W;
若 CTL > 8W 且 ReRAM > 1.2W,16 芯片总功耗 > 27.2W
结论
XP ReRAM 适用于高性能持久内存应用,但需专用控制器降低总功耗
小型应用需关注热预算与功耗平衡
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