第一部分摘要
截至2024年，国内多晶硅生产厂家共19家，供应统计较为简便。需求方面，硅片产量可作为高频需求测算数据，但下游需求涉及多个环节且存在损耗，精细化计算难度较高。多晶硅需求测算主要有两种方式：根据硅片生产片数和单片重量测算，或根据硅片、组件环节的g/w单位测算。本文通过调研和数据推导了多晶硅需求测算模型，测算出2024年拉晶、切方损耗为6.67%，综合硅片/组件单瓦耗硅量分别为1.9g/w和1.98g/w。模型结果显示，2024年硅片单瓦耗硅量与SMM统计的单瓦硅片对多晶硅实际消费量存在差异，主要原因是数据统计误差和多晶硅、硅片、电池等损耗。修正系数方面，2022年和2023年修正系数接近1.08，而2024年修正系数为1.13，主要因2024年N/P型电池市场占有率切换较快，Q1、Q2贡献的主要电池产量效率偏低。预计2025年硅片尺寸、N/P型电池市场占有率变化不大，模型修正系数或与2024年相近，N型硅片厚度或再度降低5μm，P型电池转换效率接近极限，N型电池效率仍有微弱提升空间。据此测算，2025年硅片单瓦硅片产量对多晶硅消费量为2.03g/w，假设2025年硅片产量为650-700GW，则多晶硅需求量为132-142万吨。
第二部分多晶硅需求测算模型
一、硅片单瓦耗硅量的测算
- 拉晶过程中的损耗：根据昆明东川宇泽半导体有限公司项目数据，单次拉晶过程多晶硅损耗比例为6.667%。
- 切片过程出片量：通过硅密度、硅片表面积、金刚线参数等计算单位方棒可切割的硅片数量，考虑方形（M10-182182mm、G12-210210mm）和矩形（183.75182.2mm、182210mm、182*191.6mm）硅片类型，以及P型（150μm）、N型TOPCon（125μm）、N型HJT（120μm）硅片厚度。
- 硅片单瓦耗硅量：结合不同类型电池（PERC、Topcon、HJT）的光电转换效率（25%-26.5%），加权平均得出硅片综合单瓦耗硅量，并考虑电池、组件良率。
- 硅片、组件综合单瓦耗硅量：参考SMM数据，测算PERC（70%）、Topcon（30%）电池市场占有率，加权平均得出硅片综合单瓦耗硅量（1.9g/w）和组件综合单瓦耗硅量（1.98g/w）。
二、硅片单片耗硅量的测算
通过硅片单片重量和各环节损耗计算得出。
三、新增装机与多晶硅消费量的关系
光伏装机量与组件需求量由容配比（1.2-1.25）决定，需考虑组件衰减、系统损耗等因素。
第三部分数据的修正及2025年多晶硅需求展望
模型测算的2024年硅片单瓦耗硅量与SMM统计存在差异（修正系数2024年为1.13，2022-2023年为1.08），主要因2024年N/P型电池切换导致早期低效率电池产量占比高。预计2025年修正系数与2024年相近，N型硅片厚度再降5μm，N型电池效率提升0.005%，硅片单瓦耗硅量达2.03g/w。假设2025年硅片产量650-700GW，多晶硅需求量为132-142万吨。
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作者陈寒松为银河期货研究员，承诺独立客观研究，报告内容仅供参考，不构成投资建议。银河期货不对报告内容准确性或使用后果负责。
