核心观点与关键数据
- 美国BIS最新出口管制条例对中国先进存储产业的影响：严格限制对华出口HBM和先进DRAM，设定存储带宽密度和存储单元面积阈值，短期内限制中国高端AI算力芯片发展，但刺激国产替代进程。新增40家中国企业进入实体清单，包括半导体制造设备厂商、EDA公司和投资公司，限制其获取美国技术含量超过25%的产品。
- 中国HBM芯片使用现状：目前主要使用HBM2或HBM2E，落后于国际先进水平2-3代（英伟达最新AI芯片H100、B100搭配HBM3），但国内厂商正积极布局HBM产品，力图实现国产化。
- 先进DRAM定义：存储单元面积小于0.019平方微米或存储密度大于0.288GB每平方毫米即受限制，对应1α制程工艺。
- 新增管制清单中的设备种类：商业管制清单CCL新增8类高端设备管制，包括TSV刻蚀设备、沉积设备等。
- 政策意图：遏制中国在高端AI算力芯片及相关领域的发展，保持美国领先地位，通过卡住关键环节实现自主可控。
AI训练芯片的存储需求
- 全球AI训练芯片存储需求：主要依赖于HBM，英伟达L系列推理卡使用GDDR，部分轻量级ASP芯片使用LPDDR。中国大陆此前主要从三星采购HBM，受限制后将影响采购，可能转向GDDR。国内原厂正积极布局HBM产品，有望加速国产化。
- AI市场对HBM的需求增长预期：预计2025年AI市场将为HBM带来超过200亿美元增量，占DRAM整体出货总量超10%，占DRAM市场产值超30%。
国内外HBM技术进展
- 海外厂商：三星与海力士领先，海力士在HBM3市场占据绝对优势，三星计划向英伟达供应HBM3e产品。
- 国内厂商：本土存储原厂逐步实现突破，目前处于从0到1阶段。某DRAM大厂暂未受限制名单影响，有望继续推进核心工艺发展。
存储行业其他领域及国内前景
- 存储行业当前状况及未来预期：今年上半年经历涨价周期，二季度后进入博弈深水区，价格下降。预计明年上半年价格相对平稳或小幅回调，下半年需求提升将拉动价格回升。
- 国内主流存储扩产及技术突破前景：看好国内主流存储扩产及高端技术突破，长期来看工业企业级国产化及消费级扩展至海外市场具潜力。
- 利基型存储发展趋势：多款AI耳机新品发布推动落地，国家补贴政策可能延续至手机与IoT相关补贴，将刺激相关公司受益。例如普冉股份，受益于AI耳机NoFlash容量升级和IoT出货量增加。
高端存储市场及国产化进程
- 高端存储市场看法：未来仍具有较大增长潜力，受益于AI技术发展、5G网络普及及消费市场回暖。近期制裁和利基存储需求增加带来新的增量机会。
- 值得关注的趋势和公司：重点关注北京君正（汽车领域）、通富微电、长电科技（先进封装）、中微公司（设备和材料）。
- 国内芯片国产化进程：加速推进，尤其在汽车和运营商网通等领域。关注北京君正（车载PM）、张国荣公司（企业级存储）。
- HBM技术重要性及国内突破：HBM在AI时代至关重要，国内企业正积极突破瓶颈。推荐关注通富微电、长电科技、中微公司、拓荆科技和金志达等。
- 存储市场短期发展前景及受益公司：短期内处于调整阶段，但长期看好。AI应用落地（如AA眼镜、TWS耳机）和消费市场回暖将拉动需求。推荐普冉股份（利润弹性较大）、北京君正（芯片国产化）。
- AI应用方面值得注意的产品或供应商：TWS耳机和AA眼镜明确受益，例如百威提供给雷朋眼镜中的布幕成本约为11~13美元。北京君正在车载PM领域表现突出，占全球市场份额15%。
