产业观察1期：【数字经济周报】国际消费电子展（CES 2024）于美国拉斯维加斯举办

产业观察 产业研究中心 2024.01.16，1期 作者：朱峰 电话：021-38676284 邮箱：zhufeng026011@gtjas.com资格证书编号：S0880522030002 作者：鲍雁辛 电话：0755-23976830 邮箱：baoyanxin@gtjas.com 资格证书编号：S0880513070005 【数字经济周报】国际消费电子展（CES2024）于美国拉斯维加斯举办 摘要：数字经济动态事件速览（2024.1.06-2024.1.12） 半导体板块动态 （1）2023年全球销售额排名前25位的半导体公司名单出炉 （2）思特威推出首颗全新5000万像素图像传感器SC580XS （3）STT-MRAM重要突破，微缩至10nm以下 往期回顾 【机器人产业周报】23年中国机器人融资规模约200亿 2024.01.15 【氢周一见】泰氢晨完成Pre-A轮融资，金额1.5亿元人民币 2024.01.13 【CES跟踪】芯片巨头新品聚焦AI应用，重点发展PC和汽车等平台 2024.01.12 【CES跟踪】AI赋能消费电子各类新品 2024.01.12 【CES跟踪】显示技术达到新高度，家电新品聚焦AI创新 2024.01.10 汽车电子板块动态 （1）英特尔推出AI增强型车型SoC系列，将AIPC带入汽车 （2）AMD布局汽车行业，推出两款车规级新品 （3）汽车制造商Stellantis将车载软件开发周期缩短至一天 AI板块动态 （1）国际消费电子展（CES2024）于美国拉斯维加斯举办 （2）MagicOS8.0荣耀手机运用平台级AI实现意图识别 元宇宙板块动态 （1）歌尔光学在CES2024上展示多款VR/AR光学模组 （2）莫界科技亮相CES2024，展示核心器件、整机方案和定制化服务 （3）Rokid再获近5亿元融资，新建工业元宇宙总部、生态中心及研发中心三大项目 风险提示 （1）市场竞争风险 （2）技术进步不及预期的风险 （3）市场需求增长不及预期的风险 目录 1.半导体板块动态3 1.1.2023年全球销售额排名前25位的半导体公司名单出炉3 1.2.思特威推出首颗全新5000万像素图像传感器SC580XS3 1.3.STT-MRAM重要突破，微缩至10nm以下4 2.汽车电子板块动态5 2.1.英特尔推出AI增强型车型SoC系列，将AIPC带入汽车5 2.2.AMD布局汽车行业，推出两款车规级新品6 2.3.汽车制造商Stellantis将车载软件开发周期缩短至一天6 3.AI板块动态7 3.1.国际消费电子展（CES2024）于美国拉斯维加斯举办7 3.2.MagicOS8.0荣耀手机运用平台级AI实现意图识别8 4.元宇宙板块动态9 4.1.歌尔光学在CES2024上展示多款VR/AR光学模组9 4.2.莫界科技亮相CES2024，展示核心器件、整机方案和定制化服务10 4.3.Rokid再获近5亿元融资，新建工业元宇宙总部、生态中心及研 发中心三大项目10 5.风险提示11 5.1.市场竞争风险11 5.2.技术进步不及预期的风险12 5.3.市场需求增长不及预期的风险12 1.半导体板块动态 1.1.2023年全球销售额排名前25位的半导体公司名单出炉 2024年1月12日，半导体逆向工程和信息提供商加拿大TechInsights负责半导体市场趋势研究的McCleanReport部门（原ICInsights）公布了2023年销售额排名前25位的半导体公司。 2023年销售额排名前25名的公司概况与上一年保持不变。2023年前25 名企业的总销售额为5168亿美元，比上年下降11%，前10名企业的总销售额为3578亿美元，比上年下降9%。 2022年排名第一的三星，由于内存衰退和低迷，同比大跌37%，这让台 积电在2023年排名第一。前25名公司中，实现正增长的公司只有7家 公司，分别是第3位的NVIDIA、第6位的博通、第9位的英飞凌、第 10位的意法半导体、第15位的恩智浦半导体、第17位的索尼、第19位的微芯科技。 2022年位居榜首的三星由于销量大幅下降37%，2023年跌至第四位。 2023年排在第二位的是英特尔，排在第三位的是NVIDIA，同比取得了 102%的增长率，从2022年的第8位跃升至第3位。 此外，前25名企业中，有3家日本企业。排名第一的日本公司是索尼半 导体解决方案公司，从2022年的第19位上升到第17位。另一方面， 2022年排名第17位的日本企业瑞萨电子则同比出现7%的负增长，跌至第18位。2022年排名第18位的铠侠，由于NAND内存衰退的影响，较上年下降36%，2023年跌至第23位。 前25名企业中，仅有1家中国大陆企业中芯国际，排在第24位。 （来源：半导体行业观察https://mp.weixin.qq.com/s/mb8fXZz-4C0eGGPLJuefCw） 1.2.思特威推出首颗全新5000万像素图像传感器SC580XS 2024年1月11日，技术先进的国产CMOS图像传感器供应商思特威，重磅推出其首颗5000万像素1/1.28英寸图像传感器新品——SC580XS。此款新品是思特威继成功量产第一颗22nmHKMGStack工艺的5000万像素1/1.56英寸产品SC550XS之后，在同一工艺平台打造的升级产品。作为1.22µm像素尺寸图像传感器，SC580XS搭载思特威新一代像素技术SFCPixel®-2以及PixGainHDR®、AllPixADAF®等多项技术和工艺，以高动态范围、低噪声、100%全像素对焦、超低功耗等性能优势，为旗舰级智能手机主摄带来出色的质感影像。 SC580XS采用思特威PixGainHDR®技术，通过同一帧曝光下的高低转换增益图像合成，有效抑制运动伪影的形成。此外，SC580XS还支持三重曝光HDR、PixGainHDR®+VS等多种高动态范围模式，动态范围可高达120dB，即使在暗光场景下也能输出细节丰富、色彩真实的画面。 基于SFCPixel®-2和PixGain技术，SC580XS的读取噪声(RN)低至0.7e -，并在相关多采样技术(CMS)的加持下，其CMS4x噪声降幅可达40%。较行业同规格产品，SC580XS的读取噪声(RN)和固定噪声(FPN)分别显著降低约33%和32%，PRNU小幅降低4%，使其画质更细腻。 为帮助智能手机实现精彩的抓拍性能，SC580XS搭载了思特威独特的AllPixADAF®技术以及SparsePDAF技术，以达到各类光线场景下更好的快速对焦效果。在暗光场景下，SC580XS开启AllPixADAF®模式，通过像素的横纵方位组合，实现100%全像素对焦，为手机摄像头带来更快速精准的对焦效果；在日常光线场景下，SC580XS切换至SparsePDAF模式，通过部分像素相位检测进行准确对焦，可大幅节省图像传感器的功耗。 得益于全新升级的读取电路架构设计和先进的22nmHKMG工艺，SC580XS具备优异的低功耗性能。SC580XS支持硬件Remosaic功能，在5 0MPFullSize模式下功耗低至500mW（25fps帧率）。同时，SC580XS拍摄12.5MP图像和4K影像的功耗分别低至190mW和150mW。 SC580XS是思特威继发布SC550XS之后打造的又一款面向旗舰级智能手机主摄的5000万像素高性能图像传感器。这款新品基于22nmHKMGStack工艺制程打造，拥有1/1.28英寸的光学尺寸，采用SFCPixel®-2、PixGainHDR®、AllPixADAF®等多项思特威创新技术和工艺，支持四合一(Summing)模式，兼顾高动态范围、低噪声、100%全像素对焦、超低功耗等性能优势，可输出高质量的50MP/12.5MP/4K等格式视频。在数据传输方面，SC580XS兼容C-PHY/D-PHY接口协议，以最高3.5Gsps/trio的传输速率，满足高帧率高分辨率影像传输需求。SC580XS将为旗舰级智能手机影像系统带来出色的成像表现，助力移动影像质感进一步跃升。SC580XS目前已接受送样，预计将于2024年Q1实现量产。 （来源：半导体行业观察https://mp.weixin.qq.com/s/gX4uLNGSdyV1mRWJvhRGWw） 1.3.STT-MRAM重要突破，微缩至10nm以下 2024年1月11日，日本东北大学宣布提出了一种可定制的磁隧道结 （MTJ）元件，以满足纳米直径范围内各种应用的性能要求，并系统化了自旋转移矩磁阻存储器（STT-MRAM）材料和结构的设计指南。 非易失性存储器即使在电源关闭时也能保留信息，有望显著降低汽车、人工智能和物联网等应用中半导体集成电路的功耗。目前，自旋电子学被用作非易失性存储器。基于该技术的自旋转移矩磁阻存储器（STT-MRAM）的商业化正在取得进展。该存储器采用钴铁硼（CoFeB）层夹在氧化镁（MgO）层之间的结构，作为存储数据的磁隧道结（MTJ）元件的存储层。该器件的数据保留特性取决于垂直磁各向异性和元件尺寸，这种结构满足1Xnm一代汽车半导体集成电路所需的数据保留特性。 东北大学研究团队提出的结构是由CoFeB/MgO组成的多层磁层结构，通过改变CoFeB层的厚度和MgO插入层的数量（叠片数），可以改善界面各向异性和形状各向异性。特点是可以独立控制。设计为增加CoFeB 层相对于直径的厚度以使形状磁各向异性占主导地位的结构在高温下具有优异的数据保持特性。以界面磁各向异性占主导地位的方式设计的结构据说具有优异的高温特性。速度写入性能。 根据研究中制造的MTJ元件的数据保持特性和写入特性的评估结果，发现形状磁各向异性占主导地位的结构具有较小的标度指数来表征数据保持特性的温度依赖性。制作了直径为7.6nm的器件，并证实了在150° C下具有足够高的数据保持特性。 另一方面，写入速度以“弛豫时间”为特征，其越短则可以进行越快的写入，但界面磁各向异性占主导的结构的弛豫时间较短，并且已确认：直径为4.5nm的器件可以用1V或更小的电压脉冲和持续时间为10ns来重写数据，同时表现出相对较高的数据保留特性。还假设计算预测，通过改变材料和结构，可以用1V或更小的电压脉冲和1ns的持续时间重写数据。 这项研究建立了获得超细MTJ元件所需特性的材料/结构技术和物理理解，并为STT-MRAM未来扩展到更广泛的应用领域建立了基本的理解。另外，新开发的多层磁性层结构可以使用目前主流的CoFeB/MgO材料来实现，因此可以使用主要半导体器件制造商的现有设备进行制造。因此，本研究获得的结果有望加速STT-MRAM的开发，以用于未来超细代半导体集成电路的广泛应用。 （来源：半导体行业观察https://mp.weixin.qq.com/s/z4irYriqq1EyAI7R5X9ifg） 2.汽车电子板块动态 2.1.英特尔推出AI增强型车型SoC系列，将AIPC带入汽车 2024年1月11日，在CES2024上，英特尔分享了将其AI战略拓展至汽车市场的计划。此举包括收购SiliconMobility公司，这是一家专注于智能电动汽车能源管理SoC的无晶圆厂的芯片和软件公司。此外，英特尔还推出了全新的AI增强型软件定义车载SoC系列，并宣布极氪将成为首家采用这款全新SoC的汽车厂商。 在CES上，英特尔推出专为软件定义汽车设计的第一代SoC。该芯片结合了英特尔在AIPC和数据中心领域丰富的技术经验，不仅提供给汽车制造商所需的动力管理和性能可扩展性，还能实现差异化的人工智能功能，适应不同的工作负载和操作环境，该产品将在2024年年底前大批量出货。 Chiplet的概念被英特尔带入汽车领域，厂商可根据需要对芯片功能进行灵活扩展，可将其他IP接入到英特尔的产品中，从而支持不同芯片接入同一主机。这使得OEM可以自由选择将定制Chipl