先进封装(Chiplet)——HBM核心技术路线
2023.11.19 近期ÏþV÷ ⚫11o7日 ⚫O星电[明^把其高端带ÿ内存(HBM)芯片的产量扩r今的n][2⚫SK海力û明也^增à设_投资，扩HBM产2该公司^其Āp的oßý厂增à一g产HBM芯片所ß需的ð]装线2 ⚫11o14日英伟达H200è明未g的Ó展方向HBM⚫NVDAH200öÓa揭示了ÿÛQ一mð升路ß,得益于HBM3eö搭ÿ,H200çp141GBö内存14.8TB/úö带宽,GPU架ç 无调u的情õQ推v度达r了H100的n],存力后ÿ升级ß性ù~2⚫HBM3Eo一ý基Î3D堆叠ý艺öDRAM存储芯片,AI服á器üw需n强烈,在摩\定ß放缓1GPU心利用率O足ö背景Qü 高带宽存储Þ成~瓶,HBMo破\s键2当前H200搭ÿöHBM3e~Ûûõ一ïï品,明O星1美Zp望\mßï,õ一轮行业势已经g临2 ⚫H200Ë明HBMÿĀÿ电öÞ;英伟达H200充V证明了,就ÿOÿà更[CUDA或频,只增à更[的HBM和更快的IO,即便保持ĀpHopper架çOØ,英伟达ß然ÿñ实Āþ当于架çï×升级的性ý提升2 ⚫11o17日Þ}材料(AMAT.US)遭刑Ï调查，[导体设_1材料ûvÿý趋o⚫美ÿ[导体设_ßÞ商Þ用材料(AMAT.US)美股þ前跌近7%，ç144美元2Þ用材料第߯季wu~67.23ÿ美 元，Pû\ö67.49ÿ美元þç，高Î`场ö65.2ÿ美元ĀÑ利润~20.04ÿ美元，\ÿ增长26%，î}Î`场ö16.16ÿ美元2í息þûĀ，Þ}材料因涉嫌ßß美ÿ出ó禁ð，遭r美ÿ司法部刑Ï调查2Þ用材料|ßë露，û10o度çrÿþþ哈顿检察官Þ公室ö`°ð状，n公øðßç~客w资料，Øöy÷配\þs调查2⚫美ÿ扩[导体Y进材料1设_出óûv，s注[导体材料1设_ÿ产化会！ 材料ÿLMCÿ液态Ā、GMCÿ粒状Ā华海诚科ÿLMC、GMC龙头Ā、飞凯材料ÿGMCĀ材料ÿGMC原材料球硅、球铝:日本雅都玛垄断、国内联瑞新材、壹石通 HBM行业 ⚫TSV~HBM心ý艺，电镀1测试1键合需nð升2TSV~HBMßý艺，成本s比接近30%，oHBM 3D]装o成psÿg高öøV2TSV通孔{充ü性ýósÞ，铜~流{充材料2TSV成本结ç中通_填充s比25%，û动电镀`场规k增长2TECHCET«2022Yß]装和高端àÔÞ用o，电镀材料全w^规k近10亿美元，ßOÞnßÿ齐升，^ÿ高增长2HBM需ß行KGSDÿKnown Good Stacked DieĀ测试，拉动测试需n2HBM高带宽特ß拉动键\需n，Ðμbump rTCB/ÿ合键合，è动þ晶步骤和þ晶单ÿð升2 HBM行业——Ó展趋势 ⚫ÿ力需nß喷óà产ý×限，HBMÿ格高增，^规k高增ÿ⚫Ð成p端g，HBMö均ÿó]oDRAMöO倍，l前ØChatGPTö拉动\时ØÖïýO足，HBMöÿ格一路P涨， P性ýg高öDRAMþÿHBM3öÿ格P涨了五倍2⚫2022ywHBM`场规kþ~36.3ÿ美元，«ó2026`场规k^¿127.4ÿ美元，üÞCAGRþ37%2 ⚫TSV通_填充电镀液ÿ强力ð材Ā，临时键合öÿ鼎龙股份1飞ÿ材料Ā，减薄ÿZ力科Ā，通_绝缘ÿpspi强力ð材Ā HBM行业 ⚫ÿ合键合ÿ⚫ÿ合键合设_ÿ拓荆科ÿ已经研v了两款ÿ\键\设_ÿ圆üv圆键\ï品ÿDione300Ā和芯片üv圆键\è÷]v ï品ÿPolluxĀ，ß两款设_ý已经出¯ó客w端ß行验Ë2ð益昌ÿ公ø已a\[导体Yß]装域ö高精度设_,øV设_已在验ËoĀyë动÷贴片þvÿHAD812系WĀĀ⚫SK海力ûÿo领Y，ß于MR-MUFoÿ`统öHBM芯片堆叠[数通过TCNCFÿ非导电膜ö热压键çĀý艺， OØÖÎ材料流动性ñÛbump数ßÖv存在导热ñÛwÞý艺陷等问题2MR-MUFÿ批ßÞ流kvßø{充ĀoÛûö高端]装ý艺，通过^芯片贴Ö在电路P，在堆叠时，在芯片和芯片O间用一ýĀ~液态ÿ氧树脂塑]ÿLiquidepoxyMolding Compound，LMCĀö物°{充并粘贴2üÿNCF，MR-MUFýpmð高导热率，并}善ý艺度和良率2液态ÿ氧树脂唯一标的0_海诚科1Ā颗þ状ÿ氧树脂ÿ飞ÿ材料Āp望作~ÿÿß材料ÿ Ô瑞ð材1壹石通 ĀĀY进]装塑]设_ÿç一科，科装_Ā 行业V÷——[导体]装 行业V÷——Y进]装|久材料标的uv ⚫[导体]装包括ÿ第一ìß1[导体芯片1引线框和ß]剂2ß]RöQ÷包括在第一÷o延伸ö第一øV1在第Ð÷o延伸ö第ÐøV1在ï第一÷Pï第Ð÷O间ö第一过o区o延伸ö第OøV，ñÛ在ï第Ð÷Pó]一n引ÿO间ö第Ð过o区o延伸ö第ßøV2⚫ïß]Röï第一øV和ï第一ìßöQ÷在þ\ö第一÷o延伸，ï第一÷成ï]装öQ散热è÷2ïß]Röï第ÐøV1ï第OøV和ï第ßøVö尺û被设置~在ïß]Röï第一øVPïó]一n引ÿO间ß持第一定Og_距离2 Y进]装材料ß标的——强力ð材ÿ一级]装材料龙头Ā ⚫强力ð材ÿ杜邦1JSRý度合作，电[化ývý力比肩ÿ×巨头Ā⚫感Z性Ú酰Þ胺(PSPI)ÿRDLß材料 感Z性Ú酰Þ胺(PSPI)öxp优_öÛ学性ý1热学性ý1电学性ý等，在[导体]装o被Þ用~缓ó^材料Û再aÿ^材料，os键öv程材料和|久材料2237o4日ÿ，日本开始限v向韩ÿ出óÚ酰Þ胺ÿpiĀ1Z{ö和高纯度氟化n3ý[导体材料，pspio一ý高端öZo0ßpiĀ ÿ_目前只p杜邦1JSR1东京Þ化1ßûß家ÿñïĀ在chipletý艺o，每堆叠一^芯片ý需ï一次pspiĀ2015ñg和Ā湾昱镭Z电合作，后ÿ经Ï强力ð材8研Ó后，成ß实Āë研Ā PSPI在Yß]装oöÞ用Ð0-1，^ÿ高增长，`场z间]\增50%Ā盛合晶ÿW片验证通Ï，目前真片验证中Ā ⚫一级电镀材料ÿHBM中TSVoß材料ÿ杜邦目前`议Ā TSV电镀液只p杜邦ÿñïyw高度垄断，tsvo一ýYßö[导体]装技o，它用垂öö电导通道硅v圆，Ð实 Ā芯片O间或芯片和]装ßO间ö连ç2 目前贴牌杜邦ö电镀液规避v裁，目前厂1设_×_完Ā^ÿëïĀ强力ð材电镀液已p杜邦知识产权，明_始ï，yw`场z间10ÿ美元，并`ß持高增Ā ⚫热ûv材料ÿ芯片散热材料ÿ杜邦第Ð期`议Ā TIMÿ连ç芯片ÿÏÛCPU或GPUĀ和散热器，ñ增强Ð O间ö热`递m率，目前日p垄断，`场规k高增长Ā BCBÿ常用Îÿ电[和\(RF)Þ用ö高性ýpÚ\物Ï°材料由Îw优_ö电性ý1PöÏ电常数1良}ö热稳定性和化学稳定性，BCB在ÿ电[]装1[^互àñ及\频]装oý得r了广ÿÞ用2美ÿÞ用ß[，ÿ内目前Þ用ÿ]ĀAI服á器ü散热nç高，^ÿ}公ø热ûv材料放ß2 总结ÿ强力ð材距离盛合晶ÿ40V钟车程，p望成~盛合晶ÿ重Ā型材料企业ÿ参考鼎龙股份Pÿ江存储Ā，`û盛合晶ÿëóY进]装材料t脖[问题ĀY进]装一级材料ÿ进度g快1材料g[1ý槛g高，Y进]装材料ß推荐标的2 ]装材料——一级]装材料ÿö接接ïdiegß]装材料Ā ⚫飞ÿ材料ÿ中间ý艺临时键合材料龙头⚫临时键合材料ÿ目前已经ßu长电Yß2临时键\ö暂时þ定v圆ñÿß行àý，ý艺完Ā^解键ûöĀ ⚫BumpingÛöÿ在chipleto,连ç芯片和interposeröC4bumpß障ï÷ö`递，成bump凸点^需ûö2ÿ没p验Ër导uĀ ⚫总结ÿ临时键合材料1Ûö产厂商z[，导电ö厂商均ÿ产Ā芯片中间ý艺}材料，ý艺ß成后需û除，oÙ垒þ对_低2 ⚫ÿ邦科ÿß部填充ö龙头1TIMß⚫CoWoSYß]装ÿß部填充öUnderfillo]装à连心，热界面材料TIMo散热心两 ýoAI芯片]装oOÿ或öP 游材料，Underfill和TIMyø由日ÿ美垄断ÿïÿïz间巨Ā⚫ß部填充öÿ公øï品用在PCB，目前向Ðÿ1一ÿ]装材料研Ó，出¯ß略Î_诚ùĀ ⚫热界面材料ÿTIM-2已批ß߯TIM-1[nß÷，Underfill[款料÷通过验Ë，«明_始出¯Ā ⚫总结ÿß填öß标的，TIM材料积ç推进Ā ⚫_海诚科ÿÿ氧塑]料龙头，ß部填充öß⚫公øÞ用ÎQFNöï品已实Ā_批ßïP销,颗þ状ÿ氧塑]料(GMC)ñÛFCß填ö等Þ用ÎYß]装ö材料已通过客 w验Ë,液态塑]材料(LMC)k在客w验Ë过程o⚫公ø颗粒状塑]料ë研设_，性ýü标日p龙头，解ôÿ内扩ït脖[问题2 ⚫ß部填充öÿPÿ邦ù技ß展，PCB{充ösøV营w，_øV一ÿÐÿ材料Ā⚫总结ÿ芯片_ûß标的，ÿ氧塑]料龙头Ā ]装材料——一级]装材料ÿ芯片]装材料Ā ⚫鼎龙股份ÿ 公ø已成ß研Ó了[款Þ用ÎYß]装ý艺oöCMP抛Z材料，`þsï品已Øÿ通过客wö测试验Ë并×得ßï¬单2临时键合产品在ÿ内某流Ø成电路v客w端ö验ËÛßï导uý作已基p完成，ï品性ý获得客w端}Ï，«2024一季度p望获得张¬单2在ïýþ设ý÷，已完成了临时键\öÿ键\ö+解键\öĀ\«110吨/ößïïÿþ设，x_ßï߯ýÛ2 ⚫×克科ÿ硅ÿý产品_\Y进]装，前驱体产品ßÞ韩ÿ厂ÿsk海力ûĀĀ w购LG化学色Z{öÏ业øöøV经营性资ï，a\iÿ^道]装Z{öĀ ⚫壹石通ÿï200吨高端芯片]装用Low-αw铝项目ÿ出¯100吨，`场1000吨Ā，p望在2023o实ĀøV投ï，目前日韩客w已Øÿ送验证ÿO星Ā，客w初mÞ良}ĀLOW-αw硅Ā在çÿo一吨4- 5O，LOW-αw铝100r200OO间，GMCÿw塑]料Ā心材料~low-αw硅+ low-αw铝ÿ]装{料Ý¿ow硅，然^掺一øVw铝Ā，w铝性ýÿw硅}，ÿ值ßsGMCoö70%-90%2O前给日p×ý玛ßw铝öß材料，目前~竞ÏükĀ ⚫Ô瑞ð材ÿï品ÿ·和序Wy(Tý性ýöw硅和w铝,low-α1Pcut值1亚ÿÿ等等);客w盖÷广`稳定出¯:EMC1GMC1铜ÿ内1ÿ_心企业均~公ø客w2ÿLOW-α就o说og就o第α\ÿö含ßÿPö]装材料Ā2GMCywßïöÏ日pöSumitomo(QÜ电o)1Resonav(o和电ý)1oÿö_诚ù2 ]装材料——Ð级]装材料ÿ]装基P的]装材料Ā ⚫ABF载ÿ英特尔导o高ÿ力芯片P服á器推úÓ展，日本味之}公司研Ó并垄í材料ÿ95%ĀĀ^空间50亿美元Ā ⚫t森科ÿABF:已_始ïwu,_批ßßï«11oß,目前16^良率65%,«Rß¿r70%+2[款ï品客w持ÿ验Ë1导u2BT:Q3稼动率ð升ó8成,客w结ço_存储龙头sÿ¿40%,ÿ内存储\«10%,ywu持略增(7ÿ+);ÿ投资72ÿ元用Î扩张FCBGA载ïýĀ ⚫ý南电路ÿ公ø广ß]装基项目一厂Û配_设ýþ设和电安装ý程已基p完ý,ï设_已Øÿß厂安装,«^ÎÎ第ß季度连ÿ投ï2无锡基Ðý厂已Î20229oQ旬连ÿ投ï并ßuïý爬坡¸段，ïÿýÛ得r持ÿ验ËPð升，目前ïý利用率¿rß成2公ø在FC-BGA]装基ö技o研ÓP客w认Ëý作均kp序èß2 ⚫益科ÿAI服á器ö铜，公øÿç投u]装基CCLö研Ó,目前已在t]装1LED1存储芯片等域批ß用,ABF产品正突破 ⚫劲拓股份:营:í费电[÷贴\设_; 21和_~\作研Ó]装设_，߯n梁电[，ÿ\vÿĀ持p科睿ï30%股权，ù思睿董Ï长思出，o目前Ø°ß}öABF载厂Ā ⚫_正ð材ÿ公øPý圳Yßö\作_ÓABF膜ÿABF
