证券研究报告本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明AI催化算力产业，把握半导体周期底部华金电子团队：孙远峰/王海维SAC NO：S0910522120001SAC NO：S09105230200052023年9月6日华金证券2023年高端科技峰会——分论坛行业策略报告 2请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明把握半导体周期底部数据来源：WSTS，华金证券研究所 - 20 40 60 80 100 120 140 160 1802009Q12009Q22009Q32009Q42010Q12010Q22010Q32010Q42011Q12011Q22011Q32011Q42012Q12012Q22012Q32012Q42013Q12013Q22013Q32013Q42014Q12014Q22014Q32014Q42015Q12015Q22015Q32015Q42016Q12016Q22016Q32016Q42017Q12017Q22017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q27775自22Q2开始，半导体板块景气下行周期，根据WSTS数据统计，一般下行周期为7个季度，预计半导体周期底部临近。十亿美元 pNoNsQnQoNsOsPsRsOmRtQmQ8OcMaQtRqQmOtQfQpPuNlOpPtN8OpOoPwMrRnRxNtRsP3请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明把握半导体周期底部10.0015.0020.0025.0030.0035.0040.0045.0050.0055.00年度Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q22020年2021年2022年2023年功率半导体存储图像传感器CIS半导体设备半导体材料模拟SoC射频ICMCU半导体封测面板显示驱动IC半导体封测显示驱动IC封测存储半导体材料数据来源：wind，华金证券研究所半导体设备图：2020年及2021年Q1~2023年Q2半导体各板块单季度销售毛利率（%）% 4请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明存储IC强周期属性，23Q2原厂部门均亏损5565.71116.2-40%-20%0%20%40%60%80%0100020003000400050006000700020062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022E2023E全球半导体市场规模全球存储市场规模全球市场规模yoy 存储市场规模yoy 图：2006~2023E全球半导体及存储市场规模（亿美元）图：2006~2023E存储占全球半导体市场规模比例（%）0%5%10%15%20%25%30%35%40%20062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022E2023E18%20%数据来源：Statista，各公司官网，华金证券研究所公司代码公司简称单位存储收入23Q2存储占比（%）23Q2收入同比（%）23Q2收入环比（%）综合毛利率（%）峰值毛利率（%）23Q2净利率（%）营业利润22Q223Q123Q222Q223Q123Q2005930.KS三星万亿韩元21.088.928.9714.90%-57%1%40.07%27.80%30.60%47.30%DS部门（存储和半导体业务）亏损，营业利润为DS部门数据(4.36)000660.KSSK海力士万亿韩元13.294.636.7292%-49%45%46%-32%-16%61.70%-41%(2.88)MU.O美光亿美元85.5936.0736.8598%-57%2%47%-31%-16%61.03%-42%(14.69)2344.TW华邦电亿新台币15381.4894.5550.26%-38%16%52%10%20%48.57%毛利率和营业利润为存储事业部，存储事业部亏损(9.02)2337.TW旺宏亿新台币102.866.7469.5694%-32%4%48.20%25.10%28.30%48.32%-2.2%该数据为营业净利率（1.66）该数据为营业净利润 5请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明存储IC，价格连续下跌逐渐企稳2.812.893.33.132.8533.84.143.713.413.352.852.211.811.4500.511.522.533.544.519Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2DDR4 8Gb，1Gx8美元2.473.043.12.642.412.452.632.742.672.522.311.541.231.131.0700.511.522.533.519Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2256Gb TLC Wafer22Q1~23Q2NAND Flash合约价跌幅超过55%美元图：2022年DRAM价格走势22Q1~23Q2DRAM合约价跌幅超过50%图：2022年NAND Flash价格走势➢价格端：DRAM或先于NAND Flash见底:✓DRAM现货价格接近底部区域，5月模组厂（威刚等）开始补提库存，预判DRAM现货价格Q3开始反弹；✓NAND Flash，没有DRAM乐观，但跌幅已经降低，预计Q4开始反弹，但预计幅度不会很大。数据来源：威刚法说会，DRAMeXchange，华金证券研究所存储IC，预计价格Q4开始反弹 6请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明存储IC，毛利率底部向上-60.00%-40.00%-20.00%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%2007年2008年2009年2010年2011年2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年三星海力士美光华邦旺宏存储原厂毛利率（%）—利基存储与大宗类同步，但弹性相对大宗较低，毛利率底部上升数据来源：各公司官网，华金证券研究所 7请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明存储IC，存储模组供应链直接交付终端设备厂商SSD主控芯片NAND颗粒模组交付移动设备计算机（服务器）系统其他系统集成苹果、三星、小米、OPPO、荣耀HP、DELL EMC、 lenovo、IBM、浪潮研华科技、海康威视、研祥中兴、华为国外：慧荣科技、美满电子、联芸科技中国大陆：得一微、英韧科技中国台湾：群联、瑞昱、点序科技国外：三星电子、SK海力士、美光、铠侠、西部数据国内：长鑫存储、长江存储独立SSD主控厂商存储模组及品牌厂商NAND厂商下游应用国外：金士顿、Smart Global、海盗船中国大陆：佰维存储、江波龙、德明利，金泰克，时创意等中国台湾：群联、威刚科技、影驰、创见、宇瞻科技✓国内存储模组厂的增长：•双供应链体系建设；•依托国内领先的存储芯片厂商共同切入终端品牌客户；•多领域发力。数据来源：华金证券研究所整理 8请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明半导体未来十年看先进封测✓摩尔定律：通过尺寸微缩推动晶体管集成量的提高，主要集中在处理器芯片与DRAM领域；✓相关数据统计，晶圆厂随着制程不断演进资本支出规模显著增加，12寸5nm制程资本开支约160亿美元；✓随着制程不断演进，仅有少数头部公司具备投资实力。142435456085100125160020406080100120140160180130nm90nm65nm45nm28nm20nm14nm7nm5nm300mm数据来源：Digitimes，华金证券研究所数据来源：国际电子商情，华金证券研究所4.012.821.941.31.421.431.451.5200.511.522.533.544.590nm65nm45/50nm28nm20nm16/14nm10nm7nm28nm之后制程不能带来更高的经济效益图：不同制程晶圆厂资本开支（亿美元）图：不同制程成本对比（美元） 9请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明半导体未来十年看先进封测164.27178.11206.22207.99186.53209.77218.93210.72163.29172.0667.12 71.06 80.99 85.85 81.38 74.55 91.84 89.84 58.60 63.13 32.68 38.21 41.14 46.09 45.02 50.65 57.52 61.09 46.42 52.66 0501001502002502021-03-312021-06-302021-09-302021-12-312022-03-312022-06-302022-09-302022-12-312023-03-312023-06-303711.TW 日月光投资控股AMKR 安靠600584.SH 长电科技6239.TW 力成科技002156.SZ 通富微电002185.SZ 华天科技603005.SH 晶方科技688362.SH 甬矽电子1、全球竞争格局稳定；后进者进入门槛相对较高；2、国内长电科技、通富微电等已进入委外封测环节ToP5。数据来源：各公司官网，华金证券研究所图：2021年Q1~2023年Q2各封测厂商季度营收（亿元） 10请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明半导体未来十年看先进封测0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.00603005.SH 晶方科技3711.TW 日月光投资控股002185.SZ 华天科技6239.TW 力成科技AMKR 安靠002156.SZ 通富微电600584.SH 长电科技688362.SH 甬矽电子1、封测板块，短期稼动率逐季提升，23Q1为毛利率低点；2、中长期，先进封装2.5D/3D贡献增量。数据来源：各公司官网，华金证券研究所图：2021年Q1~2023年Q2各封测厂商季度毛利率（%） 11请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明水平互联聚焦先进封装：AI算力催化CoWoS✓Cowos：主要针对需要堆叠高效能HPC与高频宽记忆体HBM2011Cu C4 bumps4 HBM2:16GB中介层面积1.5x20166 HBM2:48GB中介层面积2.0x2019新热界面材料嵌入式深沟电容Gen-1厚铜互连技术新硅通孔技术8 HBM2e:128GB中介层面积3.0x20212023TDB标准化晶体管数量：8X标准化晶体管数量：1X标准化晶体管数量：20X✓所有CoWoS解决方案的中介板尺寸都在增加，因此他们可以堆叠更先进的处理器与存储，以满足更高的性能要求数据来源：台积电官网，华金证券研究所 12请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明水平互联聚焦先进封装：AI算力催化CoWoS✓CoWoS实质为2.5D封装，依据中介层采用不同技术划分为CoWoS-S、CoWoS-L及CoWoS-R三大技术。•CoWoS-S采用硅中介层，为高性能计算应用提供最佳性能及最高晶体管密度；•CoWoS-R类似InFO技术，利用RDL中介层进行互连，更强调小芯片间互连；•CoWoS-L结合CoWoS-S及InFO技术优点，使用夹层与LSI（局部硅互连）芯片进行互连，使用RDL层进行电源与信号传输，提供最灵活集成。RDL1.RDL内插器最多由6L铜层组成，用于最小布线。间距为4微米(2微米线宽/间距)。2、RDL互连提供良好信号及电源完整性性能，以实现高传输数据速率。3、RDL层和C4/UF层提供良好缓冲效果，减少SoC与衬底间热膨胀系数失配问题使用局部硅中介连接HBM及SoC可在SoC正下方集