半导体设备行业跟踪：荷兰正式宣布半导体出口管制新规，涉及光刻机、ALD、EPi等

敬请参阅最后一页特别声明 -1- 证券研究报告 2023年7月2日 行业研究 荷兰正式宣布半导体出口管制新规，涉及光刻机、ALD、EPi等 ——半导体设备行业跟踪 机械行业 事件：2023年6月30日，荷兰外交部在政府公报（2023年,编号18212）中披露先进半导体设备出口管制新条例。出于国家外交与安全政策考虑，该法规规定未经对外贸易和发展合作部长许可，禁止从荷兰出口部分先进薄膜沉积设备与浸润式光刻机。该法规将于2023年9月1日生效。 点评：根据该出口管制新条例及ASML官网声明，除了早在2019年就受到出口限制的EUV外，2000i及更先进的光刻机将受限制，单次曝光可覆盖38nm以上制程的1980Di因其DCO≤1.6nm或将不受影响。我们认为本次光刻机方面的管制内容暂未超出2023年3月份ASML的官网声明，但出台了关于ALD薄膜设备与外延设备出口管制细则，而在2023年3月8日荷兰对外贸易和发展合作部长致众议院的函件中仅提到先进薄膜沉积设备。 荷兰拥有全球领先的ALD薄膜沉积设备供应商ASM国际，该出口管制新规将影响其ALD设备与外延设备的出口。ASMI 2022财年收入24.11亿欧元，同比增长39%。ASMI在1999年收购位于芬兰赫尔辛基的Microchemistry公司（赫尔辛基大学教师的初创公司，赫尔辛基大学是世界上最大的ALD学术研究中心），目前ALD设备为第一大收入来源，Epi则为第二大收入增长引擎。其在财报中预计：单片ALD市场规模在2025年将增长至31-37亿美元，公司目标是获得55%以上的市场份额，当前市场份额约为50%；外延硅设备市场规模将从2020年的8亿美元增长至2025年的15-18亿美元，届时公司目标是获得30%以上的市场份额。营收的区域来源上看，2022年ASMI在亚洲/美国/欧洲的收入占比分别为65.7%/23.3%/11%，其中亚洲的收入占比较2021年提升1.9pct。 金属类原子层沉积设备的出口限制涉及工艺范围广，国内已有设备商布局。根据该出口管制新条例，用于沉积一种以上金属源（其中一种已开发用于铝前驱体），原料容器设计温度高于45°C，沉积碳化钛铝以及高于4.0eV的特定功函数金属的ALD设备出口均需获得许可。ALD最为适用于先进制程与三维复杂化的先进存储领域，ALD尤其是Termal ALD在金属、金属氮化物等薄膜沉积中的应用广泛，所涉及的工艺节点较多，我们认为该出口限制会调动全产业链协同攻坚，加大、加快晶圆厂对国产替代性设备的验证力度与验证进度，实现国产替代。 相关上市公司： 拓荆科技：据公司2022年年报，可沉积SiO2、SiN等多种介质薄膜材料的PE-ALD设备已实现产业化应用，2022年该产品销售收入3,258.67万元，同比增长13.85%；可沉积Al2O3等多种金属化合物薄膜材料Thermal-ALD设备已完成开发，已发货至客户端验证。 微导纳米：国内首家推出28nm制程逻辑芯片栅极介质层HfO2薄膜沉积量产型ALD设备的公司，并取得重复订单，覆盖逻辑、存储、第三代化合物半导体、硅基微型显示芯片等领域，包括HfO2、ZrO2、La2O3、TiO2、TiN、AI2O3、AIN等镀膜工艺，工艺类型较为齐全，验证较多。 中微公司：据公司2022年年报，ALD钨设备已开始实验室测试，同时和关键客户开始对接验证；应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备已进入实验室测试阶段。 北方华创：先后研制了Thermal ALD、PEALD设备两个系列产品，可沉积Oxide、PE-SiN、PE-SiO2、TiN、AIN多种薄膜。 盛美上海：2022年公司将立式炉管ALD设备推向国内两家关键客户，目前各项技术指标均达到设计要求。 买入（维持） 作者 分析师：杨绍辉 执业证书编号：S0930522060001 021-52523860 yangshaohui1@ebscn.com 联系人：林映吟 021-52523418 linyingyin@ebscn.com 行业与沪深300指数对比图 -30%-10%10%30%22/0622/0922/1223/03机械行业沪深300 资料来源：Wind 相关研报 微导纳米发布第一代iTronix系列CVD设备，半导体薄膜沉积领域再获突破——半导体设备行业跟踪（2023-06-30） 半导体制造技术进步，原子层沉积 (ALD) 技术是关键一一半导体设备行业跟踪报告(2023-02-06) 微导纳米 PE-Poly 设备成功规模导入头部光伏电池企业一一光伏设备行业动态跟踪报告(2023-01-19) 要点 敬请参阅最后一页特别声明 -2- 证券研究报告 机械行业 投资建议：ALD设备作为先进IC的核心工艺设备，海外的封锁将推进国产替代，建议关注拓荆科技、微导纳米、中微公司、北方华创、盛美上海。 风险分析：先进制程扩产不及预期；设备验证不及预期；贸易摩擦加剧。 表1：行业重点上市公司盈利预测、估值 证券 代码 公司 名称 收盘价 （元） 总市值 （亿元） EPS(元) 市盈率（x） 22A 23E 24E 22A 23E 24E 688072.SH 拓荆科技 425.97 539 2.91 4.27 6.36 146 100 67 688147.SH 微导纳米 52.78 240 0.12 0.28 0.59 443 189 90 688012.SH 中微公司 156.45 967 1.89 2.31 2.94 83 68 53 002371.SZ 北方华创 317.65 1,683 4.44 6.20 8.41 72 51 38 688082.SH 盛美上海 110.40 479 1.54 1.79 2.26 72 62 49 资料来源：wind及 Wind一致预期，股价时间为2023-6-30 敬请参阅最后一页特别声明 -3- 证券研究报告 机械行业 1、 附录 图1：ASMI产品布局 资料来源：ASMI2022年财报，光大证券研究所 表2：荷兰最新半导体设备出口管制条例以及对应的海内外供应商 编号 具体项目 海外主要供应商 国内主要供应商 3B001.l EUV pellicle（EUV光罩保护膜） 荷兰ASML、日本三井化学和韩国S&S Tech，三星研发EUV pellicle 3B001.m EUV pellicle生产设备 3B001.f.4 光刻设备如下： a. 步进式光刻机或步进扫描光刻机，用于使用光学或 X 射线方法进行晶圆加工的对准和曝光，具有以下一项或两项特征： 1、光源波长<193 nm； 2、光源波长≥193nm： a.图案最小可分辨特征尺寸（MRF）≤45 nm；且； b.DCO值（dedicated chuck overlay）≤1.50nm。 技术说明： 1.图案最小可分辨特征尺寸（MRF）根据以下公式计算（瑞利公式）： 其中 K 因子 = 0.25 (MRF) 与分辨率相同。 2. DCO 是通过同一光刻系统在晶圆上曝光的现有图案上对准新图案的精确度。 ASML 上海微电子 敬请参阅最后一页特别声明 -4- 证券研究报告 机械行业 3B001.d.12 金属原子层沉积设备（ALD） a.具备以下所有特征： 1、一种以上金属源，其中一种已开发用于铝（Al）前驱体； 2、原料容器设计温度高于45°C； b.设计用于沉积具有以下所有特性的金属： 1、沉积碳化钛铝（TiAlC）； 2、高于4.0eV的“特定功函数的金属”。 技术说明： 1.“特定功函数金属”是一种调节晶体管阈值电压的材料。 ASMI 拓荆科技 中微公司 北方华创 微导纳米 青岛思锐智能 3B001.a.4 设计用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 的外延生长设备 a. 具备以下所有特征： 1、多个腔室和在工艺步骤之间保持高真空（≤0.01Pa）或惰性气氛（水和氧分压<0.01Pa）的设备； 2、至少一个设计用于清洁晶圆表面的预处理室； 3、外延沉积工作温度≤685°C。 应用材料 ASM 北方华创 中微公司 3B001.d.19 设计用于在介电常数小于3.3的金属线之间的space小于 25 nm、深宽比（AR）≥1:1的空间中使用无空穴等离子增强方法沉积Low K电介质的设备 3D007 专门为开发、生产或使用本法规标题 3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4 或 3B001.d.19 规定的设备而设计的软件。 华大九天 3E005 开发、生产或使用本法规标题 3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4 或 3B001.d .19 规定的设备所需的技术。 资料来源：荷兰政府官网，https://zoek.officielebekendmakingen.nl/stcrt-2023-18212.html，各公司官网，各公司年报，光大证券研究所整理 表3：常见金属的功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 铂Platinum 5.65 镍Nickel 4.6 铝Al(aluminum) 4.28 钠Sodium 2.28 钯Pd(Palladium) 5.12 钨Tungsten 4.5 银Ag (silver) 4.26 铯Cs(cesium) 2.14 硒Selenium 5.11 铁Iron 4.5 铅Pb(lead) 4.25 金Au (gold) 5.1 汞Mercury 4.5 镉Cadmium 4.07 铍Beryllium 5.0 锡Sn(tin) 4.42 镁Magnesium 3.68 钴Cobalt 5.0 钼Mo(Molybdenum) 4.37 铀Uranium 3.6 碳Carbon 4.81 钛Titanium 4.33 锂Li(lithium) 2.9 铜Cu(copper) 4.65 鲲Niobium 4.3 钙Calcium 2.9 铬Cr(Chromium) 4.6 锌Zinc 4.3 钾Potassium 2.3 资料来源：上海迈拓崴化工新材料科技有限公司官网，光大证券研究所 表4：ALD国内参与者众多，但都处于起步阶段 公司 产品 单片 立式 ALD产品 应用领域 产业化进展 收入 拓荆科技 PE-ALD √ SADP工艺、STI表面薄膜 产业化应用 2021年ALD收入2862万元 2022年ALD收入3258.67万元 应用于128层以上3D NAND FLASH存储芯片、19/17nm DRAM存储芯片晶圆制造，可以沉积SiO2和SiN介质材料薄膜 产业化验证 T-ALD √ 应用于逻辑芯片28nm以下制程，沉积Al2O3、AlN等多种金属化合物薄膜材料 产业化验证 微导纳米 PE-ALD √ 第三代化合物半导体钝化层和过渡层 产业化验证 T-ALD √ 逻辑芯片的High-K栅氧层薄膜沉积 产业化应用 2021年收入2520万元 2022年确认一台收入 存储芯片的高K栅电容介质层（单元和多元掺杂介质层）和覆盖层、半导体量子器件超导材料导电层、第三代化合物半导体钝化层和过渡层 产业化验证 北方华创 PE-ALD √ 用于沉积SiO2、SiNx、TiN、AlN等多种膜层 / T-ALD √ HKMG工艺 产业化应用 盛美上海 T-ALD √ 沉积氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜； 出厂的首台Ultra Fn A设备将用于