国产激光“芯”希望，横纵向一体开新局

国内高功率半导体激光芯片龙头，IDM模式助力公司业绩稳定增长。公司是少数具备研发和量产高功率半导体激光芯片能力的公司之一，位于激光行业上游，专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售。公司已建成覆盖芯片设计、外延、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线，构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台。IDM模式确保了公司既能更好地进行技术及应用积累，也能更好的满足客户需求。目前公司激光单管芯片可实现35W的高功率激光输出，巴条芯片可实现50-250W的连续激光输出及500-1000W的准连续激光输出，性能指标居于国内领先、国际先进水平。公司2018至2021年公司营业收入从0.92亿增长到4.29亿元，3年收入CAGR 67.1%。伴随公司技术和工艺的不断精进，产品良率不断提高，产品国内处于领先地位，公司业绩有望持续快速增长。 把握国产替代战略机遇，激光芯片纵向布局有序推进。中美贸易摩擦叠加疫情冲击，推动半导体激光产业链关键环节国产替代需求以及对关键核心技术的研究突破需求。此外，随着工业激光器向着更高功率、更好光束质量、更短波长及更快频率方向演变，涉及应用场景越来越复杂，对我国激光产业提出了新的挑战。公司依托高功率激光芯片的成功产业化，结合公司在晶圆制造工艺方面的多年优势，在激光器件、模块及直接半导体激光器方面实现纵向布局，未来公司综合实力与市场份额有望提升。 VCSEL与光通信芯片发展空间广阔，横向布局挖掘新增长点。为了进一步增强产品竞争力，提升公司盈利能力，公司从高功率半导体激光芯片扩展至VCSEL芯片及光通信芯片，将产品应用领域拓展至消费电子、激光雷达等。长光华芯是国内较早布局VCSEL芯片的厂商，2018年公司正式成立VCSEL事业部，目前已建立了国内全制程6吋VCSEL产线，并且公司已为相关客户提供VCSEL芯片的技术开发服务，产品工艺已得到相关客户验证。在光通信芯片系列产品方面，公司已具备晶圆制造、芯片加工、封装测试的全流程生产能力。 投资建议：我们预计公司2022-2024年归母净利润为1.46 /2.40 /3.74亿元，对应PE 104.51/63.65/40.77倍。考虑公司是国产IDM激光芯片领军者，并积极拓展激光雷达、VCSEL、光通信等领域，具备高壁垒和赛道稀缺性，首次覆盖给予“买入”评级。 风险提示：行业竞争加剧的风险，技术迭代不及预期，订单交付不及预期，募集项目投产不及预期。 股票数据 1.长光华芯：国产激光芯片领军者 1.1.公司发展历程：半导体激光芯片国内领先 十年深耕半导体激光行业，国内高功率半导体激光芯片领军者。长光华芯是一家由海外归国博士团队依托中国科学院长春光机所创办、战略投资者参与的高科技企业。公司成立于2012年3月，专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品以及光通信芯片系列产品等，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品，横向扩展VCSEL芯片及光通信芯片领域。目前激光单管芯片可实现35W的高功率激光输出，巴条芯片可实现50-250W的连续激光输出及500-1000W的准连续激光输出，性能指标居于国内领先、国际先进水平。另外，公司已建成覆盖IDM全流程平台和3吋、6吋量产线，是少数具备研发和量产高功率半导体激光芯片能力的公司之一。 图1：公司发展历程 1.2.股权结构分散，核心技术成员共同管理 公司无控股股东，核心骨干成员共同管理，已获华为投资。公司股权相对分散，无控股股东及实际控制人。第一大股东华丰投资，持股比例18.38%，其余主要股东分别为苏州英镭、长光集团、国投创投、伊犁苏新、璞玉投资、哈勃投资，各持有公司14.82%、6.54%、5.91%、4.89%、4.82%和3.74%的股份。第二大股东苏州英镭是公司核心管理层持股平台，王俊、廖新胜、闵大勇、潘华东分别出资50.4%、25.8%、13.38%、10.42%;长光集团为中科院长光所全资事业单位资产管理公司。此外，华为哈勃投资于2020年12月定向增发入股，目前持股3.74%。 图2：公司股权结构图（截止至2022年11月16日） 核心管理层具备深厚技术背景。公司核心管理层闵大勇、王俊、廖新胜、潘华东、吴真林，均具有丰富的技术背景，为公司产品研发和技术创新作出重大贡献。其中，董事长闵大勇先生在激光器领域深耕多年，具有多年激光行业管理经验，享受国务院特殊津贴。王俊、廖新胜、潘华东、吴真林四位副总经理具备多年行业经验，主导参与了公司半导体激光芯片产线升级、激光器研发、光纤耦合模块技术研发等项目，引领公司核心技术不断向前发展。 表1：公司核心管理层介绍 1.3.基于IDM模式，实现激光芯片多维布局 IDM模式覆盖芯片制造全流程，掌握关键技术，产品指标达到国际先进水平。 公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，已建成3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。核心技术包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术及高亮度合束及光纤耦合技术等。 图3：IDM模式特点与对比 贯彻公司发展战略，在半导体激光领域持续发力。公司以苏州半导体激光创新研究院为平台，将公司现有高功率半导体激光芯片核心技术及全流程制造工艺做为支点，在纵向与横向寻求突破，提升核心竞争力。纵向延伸：公司聚焦半导体激光行业，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列四大类产品，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。紧跟下游市场发展趋势，产品广泛应用于多种光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、科学研究、医学美容、激光雷达、3D传感与摄像等领域。横向拓展：依托公司高功率半导体激光芯片（EEL）的技术优势，搭建了高功率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台。 图4：公司主要产品分类 高功率系列产品收入占比95%以上，VCSEL系列产品带来成长新动能。2018年以来，公司各项业务收入增长逐年递增，分产品来看，高功率单管系列和高功率巴条系列贡献最大，历年合计收入占比超过95%。2021年公司高功率单管和高功率巴条系列产品分别实现营收3.61、0.56亿元，占业务收入比例为84.1%、13.0%。VCSEL系列产品2021年实现小批量量产，获得营业收入820万元。目前公司基本实现了对主流市场VCSEL芯片产品的覆盖，同时开发了下一代基于D-TOF技术的VCSEL芯片，产品应用可扩展到消费电子、3D传感、激光雷达等领域，计划于2022年内通过车规认证，未来有望实现营收新突破。 图5：公司各产品营业收入增长情况（亿元） 图6：各产品营收占比情况 1.4.激光芯片乘国产化之风，公司业绩高速增长 国产替代加速结合技术创新突破，公司2018至2021年公司营业收入从0.92亿增长到4.29亿元，实现收入CAGR 67.1%。海外贸易摩擦推动芯片国产化进程，长华芯始终走在前列。自2019年成为国内第一家量产15W高功率半导体的激光芯片公司以来，公司相继推出了18W、25W、30W高功率半导体单管芯片，并于2022年实现商业化单管芯片输出功率达到35W。伴随公司技术和工艺的不断精进，产品良率不断提高，公司业绩也在稳步增长。2020年归母净利润成功扭亏为盈，2021年归母净利润达到1.15亿元，同比增长340.49%。2022年前三季度营业收入为3.17亿元，同比下降0.35%，主要原因是2022年Q3工业激光行业不景气，公司Q3业绩受到一些影响，归母净利润为0.95亿元，同比增长22.67%。 整体而言，公司产品国内处于领先地位，同时紧跟下游发展趋势，业绩有望持续快速增长。 图7：公司年营业收入及增速（亿元） 图8：公司归母净利润及增速（亿元） 产线升级结合产品优化，公司毛利率稳中有升。公司2018-2021年综合毛利率分别为30.97%、36.03%、31.35%和52.82%，2021年毛利率大幅上涨，分产品看，主要原因是业务占比较高的功率单管和巴条系列产品毛利率上升，带动公司整体毛利率增加。 图9：公司综合毛利率情况（%） 图10：公司各业务毛利率情况（%） 规模效应逐渐显现，公司费用率持续降低。2018-2021年公司剔除股份支付的影响后，公司期间费用占营业收入的比例分别为59.88%、52.80%、36.54%和31.11%，随着期内公司收入规模快速增长，规模效应显现，期间费用占比有所下降。整体而言研发费用占比最高，未来有望保持绝对值增加，为公司的技术创新、人才培养等创新机制奠定物质基础。其次是销售费用率与管理费用率，规模效应下未来两者都有望降低至5%-6%的水平。 图11：公司研发支出情况 图12：公司费率情况 1.5.募投项目脉络清晰，公司产品综合实力有望提升 秉承“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略，公司募投项目与主业密切相关。本次IPO募投项目涉及“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”。高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目主要目的是为了扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产，产能扩充能够提高公司经营规模，是对公司现有业务的合理延伸和拓展。垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目主要通过对生产基地的建设及配套设备的购置，研发并生产垂直腔面发射半导体激光芯片及光通信激光芯片系列产品，扩大公司在消费电子、激光雷达及光通信领域的激光芯片输出。研发中心建设项目主要为了进一步加强技术研发能力、完善技术研发体系、提高高功率半导体激光芯片相关技术的储备量，从而持续强化公司的创新研发能力和核心竞争力。根据2022年6月30日的信息披露，目前公司新厂搬迁已经完成85%，部分设备已经调试完成预计7月末新厂全部搬迁完成。新厂搬迁完成后，将全面进入新厂工艺线导入，未来产能有望释放2-3倍。 表2：公司募集资金投资项目情况（截止至2022年半年报） 2.纵向延伸业务布局，激光芯片国产替代如火如荼 2.1.半导体激光芯片“一支点”，纵向布局提升综合实力 激光产业核心部件，激光芯片重要性凸显。高功率半导体激光芯片是整个激光加工产业链的基石与源头，是激光泵浦、工业加工及先进制造等的关键核心部件，是实现激光系统体积小型化、重量轻质化和功率稳定输出的前提和保证。高功率半导体激光芯片采用半导体芯片制造工艺，以电激励源方式，以半导体材料为增益介质，实现电光转换。其增益介质与衬底主要为掺杂III-V族化合物的半导体材料，如GaAs (砷化镓)，InP(磷化铟)等。此外，高功率半导体激光芯片又分为单管芯片及巴条芯片，单管芯片只有一个发光单元，巴条芯片是由多个发光单元并成直线排列的激光二极管芯片，巴条芯片经过钝化、镀膜后，可解理为单个发光单元的单管芯片。目前公司已具备高功率半导体激光芯片的核心技术及全流程制造工艺。 图13：高功率半导体激光器单管及巴条示意图 结合高功率半导体激光芯片优势，公司业务实现纵向沿伸。采取“纵向延伸”的目的是为更好贴近客户、满足客户需求及适应众多激光应用。公司紧跟下游市场发展趋势，不断创新生产工艺，布局产品线，纵向延伸实现包括半导体激光芯片、器件、模块在内的半导体激光业务覆盖，实现协同发展，推动公司在半导体激光行业竞争力不断增强。 图14：激光产业链一览 2.2.激光市场规模稳定增长，光纤激光器国产化加速 激光器市场前景广阔。根据LaserFocusWorld与S