第三代半导体行业报告（二）：产业链解析：碳化硅东风在即，产业链爆发拐点将至

本报告主要关注第三代半导体行业中的碳化硅产业链。碳化硅材料在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面性能优于其他半导体材料，因此在5G通信、新能源汽车、光伏等领域具有广泛的应用前景。报告分析了碳化硅产业链的三个重点环节：衬底、外延和器件。其中，衬底在产业链中价值量占比最高，外延和器件价值量占比分别为23%和22%。报告指出，目前制约碳化硅规模化发展的主要问题是衬底制备成本高，但随着大尺寸化的发展，行业有望迎来爆发拐点。外延技术对于最终器件性能至关重要，高压领域技术亟待突破。SiC器件在性能上具有明显优势，国内外企业都在加速布局SiC产品，市场将迎来群雄并起的格局。建议关注各环节技术领先的龙头企业，包括衬底环节的天岳先进、露笑科技、天科合达；外延环节的东莞天域、瀚天天成；器件环节的斯达半导、时代电气、新洁能、华润微、士兰微、扬杰科技、闻泰科技、捷捷微电。