本报告对中国第三代半导体行业进行了深度研究，主要关注电力电子器件领域的碳化硅材料。碳化硅具有热导率高、开关频率快、电子迁移率和击穿场强高等优势，是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。然而，目前产业链受限于衬底产能、缺陷控制、大尺寸衬底转移等因素，外延生产也存在壁垒，导致国内SiC市场短期仍表现为供不应求局面。尽管海外厂商为主导，但国内企业正在加速追赶，有望实现对海外厂商的弯道超车。建议关注国内SiC产业链处于领先地位的优质厂商，如三安光电、天岳先进、天科合达等。
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