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本报告主要探讨了碳化硅（SiC）在半导体行业中的应用和前景。SiC具有优异的性能，包括高禁带宽度、高击穿电压、高导热率和高电子饱和漂移速率，使其成为制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。此外，随着大直径衬底占比提升、衬底和外延晶片质量提高、单晶平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC产业链各环节成本有望持续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。报告还分析了SiC产业链的主要参与者，包括海外头部厂商和国内企业，以及SiC在新能源车、光伏和轨道交通等下游领域的应用和前景。报告最后对SiC产业链的风险进行了提示，并给出了投资建议和投资标的。
