看好电动汽车800V高压系统受益产业链

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本报告主要关注电动汽车800V高压系统的发展和相关产业链的受益情况。随着电池容量的增加，续航焦虑已经降低不少，充电焦虑开始浮出水面，快充能有效的解决充电及续航焦虑，新能源汽车800V高压平台方案应运而生。SiC具有高耐压特性，在1200V的耐压下阻抗远低于Si，对应的导通损耗会相应降低，同时由于S iC可以在1200V耐压下选择MOSFET封装，可以大幅降低开关损耗。随着800V电压的提高，系统需要更高的原副边绝缘耐压需求。此外，车载OBC、DC-DC、PDU开始大规模应用碳化硅，车载OBC采用碳化硅器件，系统效率可提升1.5% - 2.0%；配套的高压快充、超充电桩也增加了碳化硅的用量。Yole预测，2026年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到50亿美元，其中60%以上用于新能源汽车领域。隔离芯片量价齐升。800V电驱动系统具有更高的瞬态共模干扰，对于逆变器的隔离驱动芯片来说，需要能够承受超过100kV/us的共模瞬态干扰。随着800V电压的提高，系统需要更高的原副边绝缘耐压需求。整体来看，800V系统隔离芯片的使用量及价值量均有大幅的提升。薄膜电容及高压直流继电器价值量提升。800V系统SiC器件的应用，噪音对策变得越来越重要，有时会发生较大的浪涌电压。整体来看，800V系统对薄膜电容的使用温度、使用电压会提升，可靠性、稳定性要求也进一步提升，预测价值量也有一定程度的提升。800V系统对高压继电器的要求进一步提高，原来树脂封装需改用陶瓷封装，800V平台电压电流更高、电弧更严重，对耐压等级、载流能力、灭弧、使用寿命等性能要求提高，产品需要在触点材料、灭弧技术等多方面改进，价值量也有一定的提升。推荐组合：三安光电、法拉电子、纳芯微、斯达半导体、时代电气。风险提示：800V系统渗透率不达预期，SiC器件制造技术不