通富微电拟募集资金55亿元,用于存储封装产线建设、高性能计算产品封装产业化、5G等通讯产品封装项目、圆片级封装扩产、功率器件封装扩产以及补充流动资金。其中,存储封装产线建设将配合国内DRAM客户产线,预计达产后产能为wBGA(DDR)1.08亿颗、BGA(LPDDR)0.36亿颗,增加营收5亿元,税后利润0.46亿元。高性能计算产品封装产业化将实现产能FCCSP系列30,000万块(主要用于手机、平板等SoC主芯片封装),FCBGA系列2,160万块(主要用于CPU、GPU、云计算等),增加营收11.5亿元,税后利润1.1亿元。5G等通讯产品封装项目将实现产能FCLGA系列129,000万块,QFN系列64,200万块,QFP系列48,000万块,增加营收8.22亿元,税后利润0.96亿元。圆片级封装和SiP封装为目前的两种先进封装形势,圆片级封装体积小,广泛应用于消费电子、IoT等高端电子产品。功率器件项目将增加产能PDFN系列12.42亿块,TO系列2.08亿块,在此前已积累的优质客户资源基础上(NXP、英飞凌等),业务规模有望进一步扩大,预计增加营收5亿元,税后利润0.55亿元。
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