存算一体不同介质

目前公开资料里提到的存算一体相关介质，以及不同技术路线对应的常用介质、不同介质的适配场景等信息整理如下：

1. 不同存算一体技术路线对应的主流介质
   • 数字存算一体：主要以SRAM和RRAM作为存储介质，采用先进逻辑工艺打造，具备高性能高精度、抗噪声能力强、可靠性好的特点，更适合大算力高能效的商用场景 【2】 。
   • 模拟存算一体：通常使用FLASH、RRAM、PRAM等非易失性介质作为存储介质，存储密度大、并行度高，但对环境噪声和温度非常敏感，更适配小算力、对可靠性要求不高的民用场景 【2】 。
2. 其他存算一体相关介质补充
   光存储器也可作为存算一体的可用介质，既可以在数字域中作为二进制相变存储器，支撑非易失性光存算方案；也可以在模拟域中作为多电平/连续可调响应的模拟存储器，在同一单元内同时完成存储和算术、逻辑操作，进一步压缩数据搬运的开销 【8】 。
3. 国内厂商的介质布局特点
   国内存算一体厂商普遍更侧重在存算和存储器应用方向布局，比如知存科技就已经量产了全球首颗基于Flash的存算一体SoC芯片WTM2101，是国内基于Flash介质开发存算一体产品的典型落地案例 【1】 。