近日国产存储双雄齐冲IPO：5月17日长鑫更新招股书，5月19日长江启动辅导，合计募资近600亿、估值冲刺6000亿...国产存储双雄的资本进程成为市场焦点。

长鑫科技招股书显示，其2026年一季度营收达508亿元，同比暴增719%，归母净利润247.62亿元，同比激增1688%，一举扭转了此前亏损的局面。在AI浪潮下，一场存储超级周期正全面爆发。

此轮周期有何不同？长鑫和长江为代表的国产存储现状如何？产业链有哪些掘金机会？一起来了解一下。

为何说此轮是 “超级周期”？

传统存储周期由消费电子（PC、手机）的供需关系主导，呈现3-4年一轮的“涨价-扩产-过剩-降价”循环。而本轮周期的核心驱动力已彻底切换，AI算力需求成为主导，叠加供给端刚性约束，行业逻辑正从“周期波动” 转向“长期成长”。

1. 需求端：AI引爆结构性、持续性刚需

此轮存储景气周期，AI推理需求爆发是核心引擎。随着AI训练向推理阶段演进，需求呈现指数级爆发。存储配置直接关系到AI系统的认知能力、功能实现及运行效率。提升存储带宽和容量可以显著增强推理性能、降低推理成本，“以存代算”是必然趋势。根据TrendForce预测，2026年全球九大云服务商合计资本支出将达约8300亿美元，同比增速上修至79%，其中大部分投向AI基础设施。

AI需求的独特之处在于其“全栈式”覆盖。从高带宽内存HBM、大容量服务器DRAM，到企业级SSD，需求全面爆发。更重要的是，AI推理已成为需求主力，2025年起推理工作负载占比将超85%，其需求持续性更强、周期更长。这意味着，存储需求已从“可选消费”变为AI时代的“必需基建”。

2. 供给端：刚性短缺，紧缺延续至2027年

与爆发式需求形成鲜明对比的是，全球存储供给端极度刚性，新增产能远不及预期。2026年，海外三大原厂（三星、SK 海力士、美光）资本开支虽大幅增长，但几乎全部投向高附加值的HBM和先进制程，传统DRAM与NAND的实际有效供给增量非常有限。

据行业测算，2026年DRAM供需缺口约7%-8%，NAND缺口约5%，这种紧缺格局预计将持续至2027年。更关键的是，新建晶圆厂从规划到投产需2-3年，短期供给几乎无弹性。原厂库存也降至历史低位，美光DRAM库存周转天数已低于120天，行业进入“缺货常态化”阶段。

3. 周期属性弱化

传统存储周期由消费电子（PC、手机）主导，供需波动大、周期短；而本轮周期由AI驱动，服务器需求占比超50%，云服务商客户签订3-5年长期协议，订单能见度大幅提升。

与此同时，行业正从标准化产品向定制化解决方案转型。HBM4、CXL、3D DRAM、HBF等新技术不断涌现，存储产品的差异化和壁垒持续提升。行业商品化属性减弱，周期波动幅度降低，成长属性增强。机构普遍认为，本轮存储景气周期有望延续至2027年以后，成为史上持续时间最长的上行周期。

国产存储：IPO开启新征程

在全球存储格局中，DRAM和NAND市场90%以上份额被三星、SK海力士、美光、铠侠四家垄断。国内存储原厂正处于技术追赶和市场份额提升的关键阶段，扩产动力强劲。根据Counterpoint数据，长鑫存储和长江存储在2025Q3（本轮存储高景气周期早期）的全球市场份额分别达到8%和13%，在全球性的存储短缺和国产化替代机遇下，国内存储原厂的扩产持续加速。

1. 长鑫科技：盈利爆发式增长

长鑫科技2016年成立，专攻DRAM，在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia数据统计，按照产能和出货量统计，已成为全球第四，中国第一的DRAM厂商。终端客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、VIVO等服务器以及PC/智能手机品牌方。

长鑫科技已完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，2025年11月，长鑫发布DDR5产品系列，速率达8000MT/s，颗粒容量和速率处于国际领先水平。长鑫17nm DDR5芯片实现规模化出货，良率突破90%，核心性能与国际一线产品差距不足5%。

2026年一季度，公司实现营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润 247.62 亿元，同比暴增1688.30%。此次IPO拟募资295亿元，将用于技术升级与前瞻研发，有望开启新一轮扩产周期。

2、长江存储：技术比肩国际

长江存储也成立于2016年，专注3D NAND，全球市场份额约13%，排名第五。根据TrendForce数据，2025年长江存储已实现了Xtacking 4.0 260L的产品迭代，处于行业领先水平。产品覆盖消费级、企业级 SSD，打入阿里云、字节跳动等头部云服务商供应链。产能方面，2025年底NAND产能达21万片/月，占全球约15%。

长江存储独创Xtacking架构，通过两片晶圆分别加工再键合，实现速度提升400%、成本降低15%-20%、良率达92.5%。该架构是全球唯一商用3D NAND创新技术，已迭代至4.0版本，量产260层产品。技术突破让国产存储摆脱低端定位，直接参与高端市场竞争。

产能方面，公开信息显示，长江存储在武汉已有两座晶圆厂，合计月产能约20万片；武汉三期项目已进入设备安装阶段，预计年内投产，计划在2027年实现约5万片/月阶段性产能目标。

产业链共振

国产存储崛起，带动上游设备、材料、封测等全产业链协同发展。

1、设备及材料：国产替代核心

存储资本开支高峰，2026年中国大陆半导体设备市场占全球约30%。北方华创、中微公司、拓荆科技等国产设备商，在刻蚀、沉积、清洗等环节实现突破，长鑫、长江扩产带动订单高增。材料方面，江丰电子、鼎龙股份等在靶材、光刻胶等领域实现国产替代，绑定头部IDM，业绩确定性强。

2、代工和封测：需求爆发

需求激增传导至上游导致对应代工和封测产能紧张，上游缓解涨价带来对应业务对业绩产生正向贡献。中芯国际、华虹公司承接长鑫、长江代工订单，先进制程份额持续提升。通富微、华天科技、盛合晶微等先进封测企业，绑定国产存储IDM，订单饱满，产能持续扩张。

3、模组+利基存储：弹性大

模组环节：全年售价有望逐季上行，本轮周期业绩上行时间延长，利润望再创新高。江波龙、佰维存储、德明利等国内模组厂，2026 年一季度营收同比增长100%-500%。受益于国产存储供应稳定、AI服务器需求爆发，企业级SSD、内存模组出货量高增。

利基存储：海外大厂加速退出DDR3/4 及SLC NAND 等利基市场以转攻HBM/DDR5，导致供给端出现紧缺。随着供需错配加剧推动利基产品价格补涨，叠加国产化替代加速，兆易创新、普冉股份、北京君正等国产厂商迎来替代机遇。NOR Flash、车规DRAM价格持续上涨，相关企业量价齐升。

存储行业的超级周期，本质是AI技术革命与全球供应链重构的共振。长鑫科技、长江存储的崛起，是国产存储产业的高光时刻。在全球存储格局重构中，国产存储有望从追随者变为参与者、主导者，而产业链优质企业，将充分受益于超级周期与国产替代的双重红利。