事件 长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布 预计年

长鑫存储通过推出融合4F2架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品，以架构创新替代单纯制程微缩，4F2单元面积较主流6F2理论缩小约30%，为国产DRAM打开不依赖最先进光刻机的追赶路径。

国产DRAM行业通过架构创新如4F2与阵列/外围分工键合（CBA）搭配，可降低对最先进光刻节点的依赖，实现技术追赶。高深宽比刻蚀、薄膜沉积、CMP、键合与量检测等技术环节价值量全面提升，推动国产设备材料技术迭代与产线改造。

长鑫存储通过4F2架构与混合键合技术，在DDR5 RDIMM产品上实现单元面积理论缩小约30%，若良率与服务器认证顺利，有望在DDR5及服务器市场加速上量，形成份额追赶。

当前DRAM市场面临的主要挑战包括技术迭代压力、良率提升难度、服务器市场认证不确定性以及国际出口管制影响。长鑫存储通过架构创新降低对最先进光刻机的依赖，是应对这些挑战的战略举措。

长鑫存储的技术路线通过4F2架构与CBA搭配，对高深宽比刻蚀、薄膜沉积、CMP、键合与量检测等技术环节提出更高要求，推动国产设备材料价值量全面提升，迎来技术迭代与产线改造的双轮驱动发展机遇。