高盛闭门会存储前三星专家的硬核访谈三星在HBM4的技术突破和战略反击长鑫威胁多大和行业产能增长20260730

DRAM超级周期开启：HBM4定价跳涨与三星技术反攻 摘要 ●DRAM进入超级周期，2026年Q1/Q2价格预计涨幅达90-95%及60%以上，全年ASP或持续走高。●HBM4定价预期大幅上调，2027年涨幅预期由100%升至130%-150%,部分激进预测达200%。●LTA长期协议占比升至30%-40%,包含预付款(30%-40%)及照付不议条款，锁定3-5年供应。·三星HBM4凭借11.7Gbps引脚速度领先，成为唯一满足英伟达Rubin平台高标规格的供应商。●2026年DRAM产能扩张激进(13%-18%),但受HBM良率损耗影响，实际位元增长仅约16%。●混合键合量产挑战巨大，16层堆叠良率瓶颈凸显，厂商倾向推迟采用并探索无焊剂键合等过渡方案。●中国厂商长鑫(份额8%)与长江存储(13%)产能扩张迅速，预计2028-2030年将构成全球供应威胁。 Q&A 对于DRAM和非HBM产品，当前至2027年的平均售价预期是怎样的? 存储产品的价格包含现货价格与合约价格两个指标。回顾市场动态，现货价格在2024年底至2025年初触底，并于2025年第一、二季度逐步回升，第三、四季度加速上涨。合约价格则从2025年第三季度开始上涨，并在第四季度加速，当季DRAM整体价格涨幅约50%。进入2026年，价格上涨趋势更为迅猛，形成了一个前所未有的超级周期。2026年第一季度，DRAM平均价格涨幅高达90%至95%; 第二季度预计涨幅也将超过60%。对于2026年第三季度的价格走势，最初的预期较为保守。由于现货价格在2026年第一季度显现饱和，3月甚至略有回落，行业曾预测第三季度合约价涨幅将放缓至13%至18%之间。然而，自6月下旬起，现货价格重拾升势，7月前三周涨幅已超过15%。基于此，市场普遍上调了预期，当前行业共识认为第三季度DRAM平均售价涨幅将超过20%。受现货价格再次上行的影响，先前对第四季度价格趋于平稳的预测也已调整，预计第四季度将延续上涨趋势，涨幅可能同样在20%左右。展望2027年，尽管为时尚早，但市场普遍认为供应短缺和供应限制将持续全年，价格将保持高位甚至略有上涨。多数市场报告预测，2027年整体ASP可能再增长20%至30%。HBM市场的情况有所不同，其价格主要受英伟达等主导客户(占据约70%-75%需求)的年度合同影响。2025年第三季度时，HBM3E价格约为每GB12美元，HBM4约为每GB16美元。随着DRAM合同价格在2025年第四季度和2026年第一季度快速上涨，HBM价格也相应上调，2026年第一季度签订的合同价格显示，HBM3E约为每GB15美元，HBM4约为每GB20美元，反映了约25%的涨幅。对于2027年的HBM价格，考虑到2026年各季度的DRAM合同价格持续大幅上涨(第一季度有额外涨幅，第二季度超60%, 第三、四季度预计超20%),最初预测2027年HBM4价格将翻倍。但鉴于近期现货价格再度走强，整体价格预测已进一步上调。目前，市场对2027年HBM价格涨幅的预期已从翻倍上调至130%到150%之间，相当于价格上涨2.5倍，部分更激进的预测甚至认为涨幅可达170%至200%。 韩国供应商与客户之间关于长期协议的条款细节是怎样的，例如底价、期限和预付款等?这些协议的普及程度如何，以及它们对当前定价预期的影响有多大? 在AI时代之前，存储市场以季度或月度短期合同为主，仅有少数特殊客户签订年度合同。由于价格波动剧烈且产品同质化程度高，供应商更换相对容易，因此长期合同并不普遍。当前市场环境已发生显著变化。首先，HBM及部分高端服务器DRAM等AI存储产品正变得高度定制化，促使客户寻求与供应商建立长期合作关系以支持其定制化设计。其次，在价格持续上涨和供应短缺的预期下，大型客户希望通过长期协议锁定供应量和价格。目前，长期协议的期限通常为3至5年，部分为2年。在当前卖方市场环境下，这些协议包含多项有利条款：要求客户支付预付款，比例已从初期的20%普遍提升至30%甚至40%;设定了底价和售价；包含照付不议条款、取消违约金以及预留产能补偿等。LTA的签订主要由超大规模数据中心运营商等大型客户推动。在DRAM服务器领域，约三分之二的合同已属于LTA。考虑到服务器领域在整个DRAM市场中约占50%至60%的份额，LTA在DRAM市场所有合同中的整体占比约为30%至40%,且该比例仍在持续上升。关于LTA占比的未来趋势，市场存在两种观点。激进观点认为，至少在2027年之前，LTA的占比将继续上升，可能超过40%甚至达到50%。保守观点则认为，当前占比可能已接近峰值。其理由是，尽管行业共识认为AI相关内存(如服务器DRAM和HBM)的供应紧张将持续到2030年，但传统内存市场的供需平衡可能在2027年下半年或2028年达成。考虑到当前已是2026年，签订3至5年的长期合同风险正在增加，尤其是在中国企业积极扩产的背景下，市场对2030年后 可能出现供应过剩存在担忧。因此，关于供应约束的持续时间以及LTA占比的增长空间，业内存在不同看法。 如何评估中国存储厂商长江存储和长鑫存储的产能扩张及其对全球供需格局的潜在影响? DRAM领域主要由长鑫存储主导，而NAND市场则由长江存储主导。这两家公司在过去几年中持续大幅提升产能与产量，正成为日益重要的供应变量，但短期内尚不构成直接威胁。长鑫存储的产能占比已达到16%,接近美光约20%的水平，其市场份额据最新报告已升至8%,尽管产品售价低于国际厂商，但份额增长迅速。长江存储的扩张更为激进，近期报告显示其市场份额已快速提升至13%,与美光、铠侠或闪迪等厂商基本持平。然而，长鑫存储在良率、产品质量及可靠性方面仍落后于全球供应商。由于这两家公司在很大程度上依赖政府补贴，其运营重点更偏向于追赶技术进步与性能提升，而非良率、质量和可靠性等隐性指标，这也是其产品售价偏低且未被中国本土高端客户广泛采用的原因。预计这些质量与良率问题未来会逐步改善。随着它们持续提升产品质量、可靠性与生产良率，可能在未来两到三年内成为全球市场的主要威胁，并带来供应过剩的风险。届时，全球存储芯片的供需缺口将逐步收窄，这一情况最早可能在2028年出现，最晚不迟于2030年。 考虑到市场对产能的担忧，新建DRAM产线每月实际能增加多少晶圆产能?行业主要参与者在2027至2028年间是否有能力部署足够产能以满足需求? 存储市场的周期性波动一直存在，芯片制造商会交替进行减产和扩产，但历史上产能的年均增速不到5%。通常情况下，产能平均每月增加约2万至3万片晶圆。然而，当前供应端，尤其是DRAM领域，极为紧张，加之HBM在DRAM市场中的占比持续提升，加速了通用型DRAM产能的消耗。因此，三大主要厂商在今年(2026年)都在全力扩产。此前预测三星和SK海力士今年每月将新增约7万片晶圆产能。基于去年(2025年)底三星每月78万片和SK海力士每月54.5万片的总产能，这一增量已相当可观。但近期迹象表明，它们在现有及新建晶圆厂都制定了更激进的扩产计划，目标是将月新增产能提升至10万片。这将使三星的总产能达到每月88万片，SK海力士则增至64.5万片。同时，美光也在大幅扩产，计划从每月34万片增至40万片，增幅约18%。综合来看，今年(2026年)DRAM整体晶圆产能增幅可能达到13%至18%,远高于历史平均水平。但值得注意的是，由于HBM生产存在良率损失和更高的晶圆消耗，将传统DRAM产能转向HBM生产，导致尽管晶圆产能扩张激进，整体位元增长(bit growth)仍然有限。因此，即便晶圆产能提升13%至18%,实际的位元增长仅为10%至14%。考虑到技术迁移因素，行业普遍预计今年DRAM的位元增长约为16%,NAND约为17%,均低于20%左右的历史平均水平。 关于三星在HBM4技术上的进展，其具体情况如何?三星采取了何种策略来解决此前在HBM3上遇到的问题? 三星在HBM4上的技术进展相当扎实，近期已有报道称其已启动HBM4商用产品的量产和出货。其HBM4芯片的每引脚数据传输速度达到11.7Gbps,部分最优样品甚至高达13Gbps。为实现这一性能，三星采用了自研的4nm节点生产HBM4的基础裸片(basedie),并结合了最新的1βDRAM工艺节点。这一策略与竞争对手形成鲜明对比。SK海力士和美光采取了更为保守的路线，因为JEDEC对HBM4的引脚速度标准仅为8 Gbps。它们认为，为满足英伟达等客户最初预期的10或11Gbps要求，无需采用最前沿的制程。因此，SK海力士的核心DRAM裸片继续使用1VNO工艺，逻辑裸片则与台积电合作，采用12纳米鳍式封装工艺。美光的策略类似，核心DRAM裸片沿用1VNO工艺，并继续使用自研DRAM工艺生产基底裸片，旨在通过节约成本来最大化利润。三星的策略则完全不同。在经历了HBM3向英伟达认证严重延迟(超过一年半)并导致市场份额大幅流失至20%以下后，新任管理层调整了业务策略，将重点从单纯追求利润率转向夺回市场份额。为此，三星通过为DRAM和逻辑芯片引入更先进的制程来全面提升性能。幸运的是，英伟达最终将HBM4的引脚速度标准提升至11.0 Gbps,后又进一步提高到11.7Gbps,在这一最高标准下，只有三星的产品能够满足要求，从而帮助三星重塑了其在英伟达供应链中的地位和信誉，并扩大了其在整个HBM4市场的份额。此外，三星还解决了导致其HBM3E市场份额下滑的根本问题。该问题并非出在键合工艺上，而是源于其1A节点DDR5芯片的设计瑕疵。这一瑕疵在英伟达的认证过程中被放大，迫使三星耗费超过六个月的时间和大量资源对1A节点的DDR5进行重新设计。由于该设计流程问题还延续到了1D和iS节点，三星管理层最终决定对这三代产品的根本性设计缺陷进行全面修复。 从工程角度看，对于HBM4和传统DRAM至关重要的1c纳米工艺目前成熟度如何?主要厂商的1c工艺当前良率水平是怎祥的? 制造良率是行业的高度机密，但根据多方信息综合判断，三星的1c节点DRAM正逐步成熟。其用于HBM4的1cDRAM已于去年(2025年)6月完成内部认证，当时的初始良率略高于30%,对于认证阶段而言尚可。到今年(2026年)2月，有消息称良率已超过50%、接近60%。4月份有单一信源报道称良率超过80%,但同时也有其他报道指出良率维持在60%-70%的区间。综合来看，60%-70%的良率水平是比较可靠的。对于投产不到一年的先进工艺节点而言，这是一个相当不错的表现，优于前几代产品的同期水平。三星目前正将DRAM的主要产能转向1c节点的HBM4单芯片DRAM,这表明该产品的良率和质量进展符合计划，产能爬坡速度也达到预期。在早期产能爬坡阶段，60%到70%的良率是正常的。不过，即使在成熟阶段，HBM的键合良率也仅维持在60%到70%左右。因此，即便1cDDR5的晶圆厂良率最终能超过80%并接近成熟水平，HBM4的综合良率最终可能也只在60%左右。 关于与英伟达的HBM认证流程，目前市场上有何观察? 市场普遍关注该认证流程。有观点指出三星在HBM4上取得了显著进步，而有报道称SK海力士则相对面临一些挑战。 考虑到NVIDIA对HBM引脚速度的要求日益提高，以及当前HBM供应短缺的背景，未来是否会针对Rubin平台推出搭载不同规格HBM4的SKU,例如同时采用11Gbps或更高规格以及8Gbps规格的产品? NVIDIA对AI加速器速度的追求使其对HBM的引脚速度要求越来越高，旨在缓解GPU与HBM之间的通信瓶颈。传统DRAM与XPU之间存在百倍的速度差异，而HBM通过将带宽扩展约100倍来显著减少这一瓶颈。尽管如此，NVIDIA仍希望进一步优化，因此对HBM4提出了高达11.7 Gbps的引脚速度要求。目前，三星是唯一能轻松满足此规格的供应商。然而，由于HBM供应极其短缺，NVIDIA无法仅依赖单一供应商。因此，行业传闻NVIDIA正推动双规格策略，为Rubin平台推出两种不同的SK