西部计算机 先进封装

00:00:01 大家好，欢迎参加西部计算机先进封装。目前所有参会者均处于静音状态，下面开始播报声明，本次电话会议服务于西部证券研究所客户，不构成投资建议。相关人员应自主做出投资决策并自行承担投资风险。西部证券不应使用本次内容所导致的任何损失承担任何责任。专家发言内容仅代表专家个人观点，不代表本公司观点。本次会议内容不涉及国家保密信息，内幕信息，未公开重大信息，商业秘密，个人隐私，不得涉及可能引发不当炒作或股价异常波动的敏感信息，不得涉及影响社会或资本市场稳定的言论。 00:00:43 未经西部证券事先书面许可，任何机构或个人不得以任何形式复制、刊载、转载、转发、引用本次会议内容，否则，由此造成的一切后果及法律责任由该机构或个人承担，本公司保留追究其法律责任的权利。 00:01:02 诶，线上各位领导大家晚上好，我是西部计算机的李想啊。那我们都知道啊，就是呃先进封装作为这个整个扩产逻辑下面啊非常重要的一个环节，其实自年初以来呢啊特别是呃一季报前后以来呢，其实一直是受到市场高度的一个关注的啊。那么虽然市场有波动啊，但我们认为在长周期的这么一个呃视角下啊，其实先进封装依然是目前国产算力的一个在，在制造端的一个主要的一个增长环节啊。那我们今天呢也有请到了这个在先进封装领域啊非常资深的专家，来为我们从产业的视角啊解析一下目前嗯，Co瓦SL以及先进封装的一些啊主要的一些增量环节， 00:01:43 诶大家晚上好。哎你好，哎哎哎，这样好，那我先抛砖引玉啊，请教您几个小问题。嗯，能不能先请您简单的帮我们呃科普一下，就是Co瓦斯目前最新的这个Co瓦斯L，呃在这个嗯从技术角度上来说，嗯和之前的比如说Co瓦S、S有哪些主要的一个区别，以及cosl的特点大概是什么，谢谢。 00:02:09 OK,cos l的这个逻辑呢，其实cos分为3种嘛，一个是cos s,一个是cos r,一个是cos l.那class s呢和Co r呢都比较绝对，因为它像class s的话，它直接S的意思叫sig in thebother,他就直接把这个。就是cow cos嘛， 00:02:34 Cow OS就是cow里面的W，它用intervalser叫silicon intervalser的形式去做啊，就是使用这个硅中间层的方式去做这个东西，是这样的状态。啊，所以它是最。早的也是玩家最多的一个产品的形态，是这样的道理的。那Cos r呢，是为了这种成本的节俭的角度，因为它使用的R的意思就是RDL，它就是把这个这个这个in the Bo SIL in the boo用RDL的形式去替代啊，做这样的一个等级。所以它的它倒不是这个金圆厂去做了，它可能是一些OS赛的机构去做，包括ae啊安啊西品啊，国内的像上个精威啊通富啊这些企业去做这个东西。 00:03:24 那cos l呢，它是介于两者之间的，它其实呢更倾向于跟coss有点类似啊，它只是把那个CD跟的in the boo它变成了这种。我们管它叫这个local的这个silicon bridge,它直接做成了这种，相当于这种。局部的硅互联叫local silicon in the connector,这种环节是这样的一个逻辑，所以呢它直接的逻辑就是一定要做一个silicon的bridge这个东西。这个Bridge的话只是在局部区域使用这种TSV的工艺或者叫tiv的工艺去做啊，Through s well这种工艺去做这样的环节，所以它能够也能带来整个的成本的这个降降低，而且呢性能跟啊cos s有点类似，是这样的意思，所以呢这个是。 00:04:19 业内的整个的格局未来来说的话，Cross l的话其实呃很多人都在开发啊，包括现在的台积电啊三星啊Intel啊。还有这些是晶圆厂，还有一些像O赛的厂，像as SE啊、spiel啊、安扣啊这些企业，包括国内的我刚才说圣乐、金威、通福床垫这些企业也有在做这样的事情。 00:04:44 所以未来来说的话，QCLL应该来说它是一个很好的最终的一个高性价比的一个东西，这样的一个环节是这样的一个道理的，所以这个是目前整个的cos的一个环节的一个比例情况好不好？是这样的好不好？嗯，以上嗯诶诶好的好的，谢谢专家。就Cos s啊，Cos l台 积电叫法嘛啊其他每个厂商其实也都有自己的一些呃表述， 00:05:07 但整体上比如类Co瓦S或者类Co瓦SL的这个工艺，其实呃就是它的特征还是很明显的。对，然后这一块能不能请您也再帮我们就是详细的科普一下，就是呃我们所谓的先进封装，这个它的定义是什么啊？主要是用到了哪些的一个工艺，然后对于cosl而言，其中的哪些工艺可能是啊比较有难度的啊。谢谢。诶，好的，应该这么去说啊。 00:05:35 先进封装的话呢，其实呃，它是针对传统封装来说的。那一般来说有有5种，就是以下5种技术当中的任何一种技术，你都可以认为它是先进封装。那这五种技术分别是？Bumping就是凸点工艺。RDL供应啊，就是redistribution lawyer在不在不线供应。第三个是WLP叫wafer level packaging晶圆级封装，第四个是2.5D。第五个是TSV啊3D这样的一个构造，Through silicon view,这五项，这五项技术只要你的产品里面用了其中的一项，你都可以认为你的产品是先进封装。这个是现代对于整个先进封装的定义， 00:06:25 但但是呢往往在很多的技术里面去呢，它不单单只包含一种技术。比如说我们以现在的HBM为例的话，它里面同时包含了这五项技术，它既是bumping工艺，又是RDL，又是WLP，又是2.5D又是这个TSV工艺，它都包含是这样的。 00:06:47 那对于cos里面来说的话呢，它其实啊也都有包括cos l啊，它里面都有这5种工艺，比如说它里面有帮片工艺，因为你7服对微服。 00:07:02 On subst前面的CHI ONF COW这个工艺的话就是用bumping的形式去连接的，那在bumping工艺去连接之前，你肯定要去做这个帮品的工艺，做做微凸点的这个东西，这个是要去做的。那同时也有阿里哦对吧，因为你的产品最终做出来的时候的话，你的帮品这个东西要引出来，你一定要去做这样的一个。这个呃再布线的这个工艺，同时你又是WLP，因为你的气泵工微F，你就是下面的这个微F的话就是以金元形式存在的，所以它也是这样的一个环节，也是一个WLP的环节， 00:07:43 同时呢你也有2.5D，因为你cos本身cos。不管是LRS，它都是2.5D封装。 00:07:51 同时呢，我刚才说的它里面的那个sinigon的bridge硅桥这个东西，它也是用到了这个TSV的工艺，所以它3D的工艺也有，所以它也是这五种工艺同时包含的。 00:08:04 那至于这五种工艺哪个是最难的话，肯定是TSV。就是这个做这个硅通孔，因为这沟通功能的话，因为首先一点它是要做一个高深宽比的这种硅通孔。高深宽比的硅通孔的话，一定要使用一些叫深硅刻蚀叫等离子干法刻蚀机这个东西，这个东西是价值量比较高，同时难度也比较大的这种产品，是这样的道理的。 00:08:30 其次呢是2.5D。就是说你要把这个HBM呐GPU啊，和一些其他的一些芯片使用2.5D的方式建合起来就连接起来，这个难度也是非常大的，包括你的chip vifer的工艺和onsubst,你把这个chip整个的HBM的chip GPU的chip放到这个。呃，In inter bos上面去啊，然后呢再用in inter的形式再放到on subject上面去，这个也是非常有难度的，这是第第3个难度。 00:09:07 其次呢，最后才是RDL和那个bumping这两个工艺呢显得相对来说比较成熟一点， 00:09:14 因为在很多的一些其他类的产品上面都有这两个工艺，一个是邦品工艺微凸点工艺，一个是这个RDL工艺。那你如果硬要去比较的话，应该来说邦面工艺比RDL工艺更难一点，因为邦面工艺在这个cross里面的话，它。应该叫micro bumping工艺，就是一些微凸点工艺，倒不是凸点工艺，它是微凸点工艺。相对于普通的一点的flip chip产品，就是倒装芯片产品的话，它的bum品大小更小一点，它是C4bump啊，其他的一些产品的话，可能是C2bump这样的一个类别。所以它的整个的这个逻辑跟那个一点，所以这个是整个class里面的先进，就是包括整个业内对于Co这个先进服装的一个定义， 00:09:56 以及cos里面包含这种产这个各项技术的一个难度情况，好不好是这样的啊。诶好的， 00:10:03 谢谢专家。就是您刚其实也讲了嘛，就TSV也好绑品也好啊，可能都是一些啊比较关键的一些工艺啊，这个是工艺这个视角看出来的。能不能请您也帮我们从这个设备视角做一个呃梳理。就是目前呃cos l或者类cos l的这种呃这个封装形式啊，这种封装工艺啊，它主要涉及到哪些的这样一个设备，然后那个主要设备的一个价值量啊，大概是怎么样的，这个能不能请您也帮我们做一个解析，谢谢。 00:10:35 哎好的，应该来说我一步步讲啊，就是对于cos来说的话， 00:10:40 首先我刚才说的，它对于cos l来说，首先第一阶段的话，它要去制备这个LSI的硅桥，叫local silicon interconnect硅桥的制备。那硅胶的制备，它的逻辑是在小尺寸的硅片上面制作一些亚微米级的铜互连。以及硅通孔或者是穿绝缘体的通孔TRV以及深沟电容DTD，呃叫DTC这种东西，所以呢，它所用到的一些设备的核心设备的话，包含一些这种。呃，光刻机呀，刻时机呀，PVD呀，CVD呀这一类的设备啊，这样的一个道理，所以主要的供应商包括像。呃，光刻机的话肯定是阿斯麦，刻蚀机的话和PDEPVD和CVD的话基本上是a MATAMAT和t TEL啊，硬材和这个东京电子这些企业。 00:11:40 做完这个以后。要把这个l SI的这个逻辑，这个这个是硅桥的金圆制造嘛，金圆的话要把它切割成小小的这个硅桥。就相当于，啊。形成局部的这个硅互联芯片叫local LSI芯片啊，Local sli interconnect芯片，这个的话基本上是一些呃主要一种设备叫金圆切割机，这个设备DR这个设备主要供应商是disco以及S M，P T这些企业。 做完这个以后。再做这个第二阶段叫重组中间层的制造。 00:12:18 这个时候的话一定要做一个这个工艺叫临时键合与LSI的嵌入。它的逻辑是在一个载体的晶圆上面制造这个triv啊，穿穿绝缘体通孔这样东西，然后把这个晶圆上制造这个TIV以后，再把这个l SI我刚才切好的这种l SI的芯片高精度地嵌入进去。 00:12:44 所以它有两个设备，第一个高精度的固晶机，第二个临时键合设备。所以固晶机的话基本上用到的是比如说as m pt DA c这些企业的，那临时间合机的话相当于Su u ss,如果是国内的话，那就是新源威这些企业在做。做完以后要进行塑封，我们管它叫模塑填充，然后再加上平坦化。这个主要就平这个模塑填充的话就是相当于塑封机了，就是一些使用一些环氧的塑封料EMC，然后再使用环那个c MMP chemical mechanical polishing化学机械抛光的设备进行表面磨平。所以它的核心设备一个是4这个日本的toa的这种塑封机设备，然后呢CMP。 00:13:34 设备的话，包含这个应用材料的和这个disco这种厂家的。啊，做完这个以后，然后做全局的RDL与TSTIV的形成，这个相当于在正面和背面。要把这个RDL实现全局互联嘛，所以并这个达到这个t iiv,刚才说的t iiv的话作为一个垂直互联，所以呢它需要使用一些互联的直写光刻设备叫ldi啊，再加上一些P V D、C V D以及电镀设备。所以主要的供应商，比如说这种a m t T E L、L a m泛林这些企业是这样的，做完这个以后。整个的这个就是相当于。 00:14:20 COW之前的这