昨晚美股光通信走弱 有说是因为昨天一场关于中国光通信的电话会议 专家强调了中国在CW激光器EM

Jefferies光通信专家访谈 光模块（OT）市场翻倍与三倍增长，磷化铟需求旺盛 我们昨天邀请了光通信专家Rick Li进行交流。预计2026至2027年光收发器将持续供不应求，其中1.6T产品的短缺比例约为30%。目前仅有无源器件实现了国产化，但核心瓶颈依然在于高端EML和DSP芯片（依赖美国进口）。随着我们向3.2T以及NPO/CPO技术演进，磷化铟衬底对于EML/CWL依然不可或缺。 值得注意的是，中国掌控了全球70%的磷化铟供应。相关公司包括：AVGO（博通）、Marvell、住友电工、AXTI、Innolight（新易盛）和DSBJ（华工科技）。 全球光模块市场预计将在2026年翻倍，并在2027年增至三倍，但1.6T产品仍将面临约30%的短缺。2026年，专家预计800G产品的出货量为4000-4200万只，而需求量超过4500万只，意味着约10%的短缺；但到2027年，出货量应会增至8000万只，并在2028年略有下降。 预计2026年1.6T光模块的出货量将达到约1800万只，而需求量约为2600万只；2027年出货量预计为5500万只，而需求量将超过7500万只，这意味着这两年的短缺比例均约 为30%。供应紧张是由于上游组件短缺，包括DSP、EML芯片和CW激光器芯片。预计3.2T样品将在2026年第四季度出货，并于2027年第四季度开始小规模商业化出货。专家预测2028年1.6T CT的出货量将突破1亿只，而3.2T产品的出货量将从约250万只起步。基于这些预测，我们估计2027年OT的可用市场规模将增长3倍。 中国光模块组件的国产化将重点聚焦于CW激光器（CWL）和EML芯片 1）最大的瓶颈依然是DSP和200G EML芯片，国内替代仍然有限。高端DSP（用于1.6T的3nm工艺）由AVGO和Marvell主导，而200G EML则由Lumentum、AVGO和住友电工主导。目前中国尚无成熟的200G EML供应商（我们注意到DSBJ将于2026年下半年开始量产200G EML）。 2）中国在电芯片（TIA、驱动器）和硅光技术方面取得了进展，但仍需更多时间以实现突破 3）中国在CWL芯片方面取得了进展，以源杰科技为领导者（另有四家其他公司）。 4）对于无源光学器件（如隔离器、滤波器、透镜和AWG），中国已占据约85%的全球市场份额并占据主导地位。 康宁的“玻璃桥”技术对FAU（光纤阵列）的影响可能被高估：该技术利用玻璃内部波导将光纤与OE（光引擎）中的PIC连接起来。1）它改善了对准和耦合公差，有可能简化CPO中dFAU的光学组装。2）它不太可能减少光纤或dFAU的需求，但可能会降低dFAU的精度要求，从而影响对MLA（微透镜阵列）以及高精度对准与耦合设备的需求。3）它不会取代目前用于OT的FAU。4）“玻璃桥”也有技术局限性，例如仅支持一维传输、最多支持24根光纤，且无法支持NVDA/台积电（TSMC）用于CPO OIO解决方案的3D垂直耦合配置。 EML vs.硅光vs. TFLN：磷化铟依然不可或缺。对于800G光模块，EML仍是主导技术（激光+调制）。对于1.6T，硅光技术预计将成为占据>60%市场份额的主导技术，这得益于其约15%的更低功耗、更低成本（仅需2-4个CWL芯片，而EML需要8个）以及更高的集成度。EML的优势在于传输距离更长、耦合效率更高且编码错误率更低。但当我们迈向3.2T OT时，由于硅光的频率不够高，EML很可能再次占据主导地位。由于EML和CWL芯片（硅光方案和CPO均需要CWL芯片）都需要磷化铟衬底，因此磷化铟衬底的需求前景依然看涨。当OT迈向3.2T（8通道x 400G）时，TFLN（薄膜铌酸锂）可能成为一种极具前景的材料。然而，TFLN仅执行调制功能，仍需依赖外部的基于磷化铟的CWL芯片来产生光源。 因此，无论采用何种调制技术，磷化铟对于未来的数据中心光通信解决方案都是不可或缺的